(2007-2021) Новости микро- и наноэлектроники

15.04.07 - 21.04.07

В Европе будет создана сеть суперкомпьютеров
http://rnd.cnews.ru/

Европейские страны подписали декларацию о намеренениях по созданию инфраструктуры для единой сети суперкомпьютеров. Декларацию о намерениях подписали 15 стран, в том числе Великобритания, Германия, Франция, Италия.
Предполагается создание единого центра, который будет обеспечивать странам-участницам возможность использования сразу нескольких суперкомпьютеров. Центр будет стоить около €400 млн., основную часть расходов будут нести страны-участницы, остальное финансирование обеспечит Европейский союз.
Создание сети суперкомпьютеров было декларировано еще в 2000 г. на заседании Европейского Совета в Лиссабоне, где была поставлена цель по превращению экономики Европы в наиболее динамичную и основанную на знаниях, сообщает The Engineer.


Струйные принтеры переходят к тиражированию электроники
http://rnd.cnews.ru/

Новая краска, разработанная британскими специалистами, позволяет превратить любой современный струйный принтер в устройство, способное распечатать на подложке проводящий слой - например, антенну для GPS-приемника или RFID-устройства.
Как сообщает New Scientist, разработанный учеными из университета Лиддса состав представляет собой водный раствор солей серебра и витамина С, полностью совместимый с механизмом краски эжекции современных струйных принтеров.


IDF Spring 2007: Intel разрабатывает стеклянную память
http://www.3dnews.ru/

Полупроводниковый гигант планирует в рамках IDF озвучить новые подробности относительно собственного типа памяти. Пока лишь известно, что компания Intel в данный момент готовит производство своей собственной памяти с изменением фазового состояния (phase change memory, PCM), которая носит обозначение PRAM.
Известно, что такая память будет энергонезависимой подобно флэш-памяти. Далее, скорость записи и чтения такой памяти будут на уровне типичных модулей памяти DDR, доступных на рынке уже сегодня. Но главной особенностью PRAM-памяти является материал, из которого она будет изготавливаться. В данном случае материалом служит стекло, которое позволяет обеспечивать фактически бесконечный срок службы. Известно также, что применение стекла при создании памяти дает возможность функционирования при частом изменении сопротивления вследствие воздействия тепла, генерируемого электрическими потоками.

Присоединённое изображение

Весьма интересно.

Вот еще ссылка про новости микроэлектроники
:)

ЗЫ. Статьи про п/п память: ЗДЕСЬ!

22.04.07 - 29.04.07

IBM и MIT разработали первый учебный курс по процессорной технологии
http://rnd.cnews.ru/

IBM и факультет электротехники и информатики Массачусетского технологического института (MIT) сообщили о недавнем успешном завершении первого в США учебного курса по инновационной микропроцессорной технологии Cell Broadband Engine (Cell/B.E), которая используется, в частности, в игровой приставке PLAYSTATION 3 от Sony Computer Entertainment (SCE).
В течение четырех недель января студенты MIT не только изучали новый микропроцессор, но также разрабатывали и реализовывали собственные проекты для системы PS3, использующие программное обеспечение на базе открытых стандартов.
В настоящее время IBM проводит среди студентов колледжей и университетов из 25 стран первый в своем роде конкурс по программированию приложений для процессора Cell/B.E, названный Cell University Challenge, на котором разыгрываются денежные призы и награды за самые инновационные идеи по применению процессорной технологии Cell/B.E.


Разработан новый материал для спинтронных приборов
http://rnd.cnews.ru/

Группа ученых под руководством Игоря Зализняка (Igor Zaliznyak) из Брукхэвенской национальной лаборатории разработали новый материал – графен-магнитный мультислой (“graphene-magnet multilayers” (GMMs)), который может использоваться для изготовления спинтронных приборов.
Материал состоит из слоев графена, чередующихся с магнитными и немагнитными слоями. Изменение ориентации спинов в графене, по замыслу ученых, будет производиться с помощью магнитных полей.
Ориентируя соответствующим образом направление намагниченности одного или нескольких магнитных слоев, инженеры смогут получить весь спектр спинтронных приборов, в том числе микрочипы, транзисторы и логические элементы, сообщается в пресс-релизе Брукхэвенской национальной лаборатории.
Кроме того, новый материал может применяться для исследования релятивистских частиц в двухмерном пространстве – на плоских пластинах графена. Эти исследования также могут оказаться полезными для разработки спинтроных устройств.


"Электронный нос" станет еще чувствительнее
http://rnd.cnews.ru/

Ученым из Великобритании удалось улучшить работу устройства для распознавания запахов - «электронного носа» – с помощью специально разработанной слизистой субстанции.
Органы обоняния человека содержат более 100 млн. рецепторов, которые идентифицируют и различают молекулы. Электронные датчики запаха работают по тому же принципу, но содержат всего лишь несколько десятков рецепторов, поэтому они менее чувствительны, чем их биологические прототипы.
Кроме того, рецепторы в носу человека покрыты тонким слоем слизи, которая способствует улучшению их работы. Слизь сорбирует молекулы запаха и разделяет их на компоненты методом хроматографии. Таким образом различные молекулы попадают на рецепторы в разное время.
Д-р Джулиан Гарднер (Julian Gardner) и его коллеги из Варвикского университета и университета Лейстера разработали искусственный слизистый слой для электронных датчиков запаха. Ученые наносили слой полимера, который обычно используется для разделения газов, толщиной 10 мкм на 40 электронных сенсоров, расположенных внутри канала длиной 2,4 м. Затем через этот канал пропускались различные ароматические вещества, и проводилась статистическая обработка показаний датчиков.
Эксперименты проводились как с простыми веществами, такими как этанол или пары толуола, так и со сложными соединениями, например, с запахом ванили, сообщает NewScientist. Результаты тестирования показали, что использование слизистой субстанции существенно повышает эффективность работы детектора. Анализируя время, необходимое различным компонентам для того, чтобы достичь сенсоров, усовершенствованный детектор смог различить запахи молока и банана, что не удавалось ранее.
Ученые считают, что на основе этого метода может быть создано новое поколение электронных анализаторов запаха, способных идентифицировать простые и сложные запахи лучше, чем современные приборы, и за меньшее время.

30.04.07 - 05.05.07

IBM внедряет нанотехнологию самосборки
www.compulenta.ru

Корпорация IBM начала внедрение революционной нанотехнологии самосборки, применение которой, как ожидается, позволит существенно улучшить характеристики микрочипов.
Процесс самоорганизации повсеместно встречается в природе. Именно благодаря процессам самосборки формируется структура раковин моллюсков, снежинок и зубной эмали. Экспертам IBM удалось адаптировать методику самосборки для формирования триллионов вакуумных микрополостей в структуре микросхем. Такие полости имеют диаметр порядка 20 нанометров и играют роль изоляторов между проводниками.
В корпорации IBM подчеркивают, что, по сравнению с самыми передовыми технологиями производства процессоров, новая методика позволяет добиться значительного повышения быстродействия и снижения энергопотребления. В частности, производительность чипов может быть увеличена на 35%, а потребление энергии сокращено на 15%. Другим немаловажным достоинством предложенной технологии является то, что она может использоваться на любой производственной линии, выпускающей продукцию по технологии КМОП.
Методика самосборки уже внедрена в передовую производственную линию на заводе IBM в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк). А к 2009 году корпорация IBM намерена перевести на новую технологию все свое производство микрочипов. На начальном этапе процессоры, изготовленные с применением нанотехнологии самосборки, будут использоваться в серверных решениях IBM. Затем корпорация планирует начать поставки чипов сторонним компаниям.

Сведения о 45-нм процессорах AMD
http://www.3dnews.ru/

В начале февраля в cеть просочилась информация о планах компании AMD по выпуску процессоров на 2008 год. Тогда мы впервые имели возможность познакомиться с такими кодовыми именами, как Deneb FX, Deneb и Propus. Сайт DailyTech поделился “свежими” данными об этих CPU, а также представил еще два новых семейства – Regor и Sargas.
Как мы знаем, AMD планирует во второй половине 2008 года перевести свои процессоры архитектуры K10 на 45-нм техпроцесс. Как утверждает источник, AMD не будет изменять своим традициям и внедрит технологию “кремний-на-изоляторе” (SOI, silicon-on-insulator) в новый производственный процесс. Напомним, что Intel не собирается внедрять SOI вплоть до перехода на 32 нм.
По функциональности 45-нм процессоры семейства Deneb FX будут схожими с 65-нм CPU Agena. Они будут включать четыре “нативных” ядра (на одном кристалле), разделяемый кэш третьего уровня, а Deneb FX к тому же будут отличаться поддержкой памяти типа DDR3. Процессоры Deneb (без приставки FX) также будут производиться по 45-нм проектным нормам и станут первыми CPU в исполнении Socket AM3.
Ближе к 2009 году (в самом конце 2008) на смену 65-нм процессорам Kuma и Rana придут 45-нм решения, известные под кодовыми именами Propus и Regor соответственно. Семейство Propus по функциональности будет схоже с Deneb, но его представители будут включать два ядра, а не четыре, как и сообщалось ранее. Процессоры Regor от Propus будут отличаться отсутствием кэша L3, в остальном же их характеристики будут схожими.
В Low-End сегмент придут одноядерные решения Sargas. Они станут последователями 65-нм Spica и будут первыми 45-нм бюджетными CPU. Процессоры Sargas будут поставляться в упаковках Socket AM3 и иметь интегрированный контроллер памяти типа DDR3.

IBM Airgap: вакуум как изолятор в чипах
http://www.3dnews.ru/

Сотрудники одной из исследовательских лабораторий IBM разработали новую технологию, позволяющую использовать вакуум в качестве изолятора между проводниками в чипах. Проблема поиска новых, более эффективных диэлектрических материалов обостряется по мере последовательного уменьшения применяемых норм производства. При этом расстояния между проводниками становятся все меньше, что повышает риск возникновения паразитных токов и утечек. Применение вакуума в качестве изолятора выглядит идеальным решением, поскольку это наилучший диэлектрик из всех возможных, но до сих пор не существовало способа, позволяющего реализовать данную идею на практике. Известные разработки, предполагавшие использование с этой целью различных пористых материалов, в свое время не увенчались успехом из-за недостаточной стойкости этих материалов к условиям, сопровождающим процесс производства чипов.
Технология IBM, получившая название Airgap, основывается на использовании так называемых двухблочных сополимеров (diblock copolymers), молекулы которых имеют свойство выстраиваться в организованную структуру, чем-то напоминающую очень уменьшенный вариант упаковочной полиэтиленовой пленки с наполненными воздухом пузырьками. Двублочные сополимеры помещаются между уже созданными медными проводниками и путем «самосборки» образуют матрицу из точек, каждая из которых имеет диаметр 20 нм. Эти точки представляют собой заготовку для следующего этапа, процесса травления. В результате один из полимеров вытравливается, образуя «дырку», а второй выступает в качестве оболочки этой «дырки».
Сообщается, что предварительные данные позволяют говорить о повышении производительности чипов на 35%, снижении энергопотребления на 15%, или о некотором сбалансированном сочетании этих показателей, которого можно добиться благодаря применению технологии Airgap. Предполагается, что практические применение изобретения начнется с освоением IBM 32-нм норм производства, запланированным на 2009 г. Согласно информации компании, заинтересованность в использовании Airgap для производства собственных чипов проявили также ее партнеры, включая AMD, Toshiba и Sony, с перспективой скорого расширения этого списка многими другими чипмейкерами.

Первое массовое производство 16-Гбит NAND-чипов
http://www.3dnews.ru/

Южнокорейскому полупроводниковому гиганту все же удалось, наконец, освоить массовое производство флэш-памяти типа NAND по 51-нм проектным нормам. Компания Samsung Electonics первая в мире запустила серийное производство чипов плотностью 16 Гбит. Отметим, что еще в январе компания Toshiba сообщила о планах начать массовое производство 16-Гбит NAND-чипов по 56-нм нормам, но до настоящего времени официальных заявлений об этом от производителя не поступало. Поэтому Samsung можно считать пионером в области производства 16-Гбит чипов.
Как сообщается, при переходе с 60- на 51-нм нормы эффективность производства повышается до 60%. Интересно отметить темпы миграции на новый техпроцесс. Напомним, что 60-нм производство было освоено в августе прошлого года. Тогда Samsung начала выпускать чипы плотностью 8 Гбит. Первые ознакомительные образцы 16-Гбит чипов, изготовленных по более прецизионным нормам, были представлены уже в начале января этого года.
При изготовлении новых 16-Гбит чипов применяется технология многоуровневой ячейки (MLC, multi-level cell). С помощью таких микросхем можно на одной карте памяти уместить 16 Гб. Кроме того, переход на более тонкие нормы позволил повысить скорости чтения/записи почти на 80% (!) по сравнению с существующими MLC-чипами. Так, 51-нм чипы характеризуются скоростями чтения/записи 30 и 8 Мб/с соответственно. Для 60-нм MLC-чипов эти показатели составляют 17 и 4,4 Мб/с. Для повышения быстродействия был увеличен размер страниц памяти: с 2 Кб (для 60-нм чипов) до 4 Кб (для 51-нм чипов).
Для улучшенной совместимости со старым оборудованием в новых чипах используется такой же 4-разрядный код с возможностью исправления ошибок, как и в 60-нм чипах. Таким образом, для работы новых чипов с существующими интерфейсами придется всего лишь обновить “прошивку” соответствующего устройства. Как отмечается в пресс-релизе, на сегодняшний день карты памяти и контроллеры для MP3-плееров с поддержкой 4-Кб страниц уже доступны на рынке.

Присоединённое изображение

Новости микроэлектроники:

[/b]HP создает новую технологию производства микросхем
Представители компании HP сегодня объявили о том, что инженеры и разработчики компании успешно завершили исследования и приступили к созданию прототипов принципиально новых компьютерных чипов и плат, в основе которых лежат нанотехнологии.
По словам представителей компании, новые чипы позволят существенно увеличить мощность компьютеров и повысить пропускную способность сетей.
На сегодня в компании говорят о том, что благодаря новым разработкам количество работающих частей на едином чипе можно увеличить как минимум в восемь раз, одновременно с этим, понизив энергопотребление электроники. На практике такие разработки могут предшествовать разработкам новых коммуникационных систем, устройств беспроводного доступа, новых систем вещания и целого класса аналогичной любительской и профессиональной электроники.
Подход HP необычен тем, что в нем не предполагается уменьшение размера самих транзисторов, а именно такой подход как правило используют производители для повышения мощности и скорости работы электронных устройств. Напомним, что уже на протяжении почти десятка лет производители выпускают все новые поколения транзисторов, которые обладают меньшими размерами и их количество можно увеличить на том же физическом объеме микросхемы. Однако в последние годы данный подход уже был признан тупиковым, так как современное приборостроение приблизилось к той черте, когда дальнейшее уменьшение деталей физически невозможно.
Исследователи HP предлагают использовать микроскопические нанотрубки, расположенные в микросхемах вместо транзисторов. Данные нанотрубки будут пронизывать всю поверхность чипа вдоль и поперек в несколько ярусов, в нанотрубках будет храниться и обрабатываться компьютерная информация, переведенная в электронные либо световые импульсы.
На сегодня в HP предложили новый класс микросхем FPGA (field programmable gate arrays), работающих на основе данного принципа.
Напомним, что современные производители электроники, например компьютерных процессоров, оперируют такими размерами как нанометры (1 нанометр = 1 миллиардная доля метра).
Инженеры говорят, что чипы FPGA станут популярны, так как они легко программируются производителями электронных продуктов, таких как коммутаторы или концентраторы. Вместе с тем, конечная стоимость таких чипов будет выше, чем стоимости других чипов, частично из-за того, что в обычных чипах лишь около 20% от общей поверхности чипа является рабочей, в то время как в случае FPGA практически весь чип представляет собой рабочую поверхность.

http://www.tcen.ru/cgi-bin/lenta/news805

IBM внедряет нанотехнологию самосборки

http://hard.compulenta.ru/317486/

Корпорация IBM начала внедрение революционной нанотехнологии самосборки, применение которой, как ожидается, позволит существенно улучшить характеристики микрочипов.
Процесс самоорганизации повсеместно встречается в природе. Именно благодаря процессам самосборки формируется структура раковин моллюсков, снежинок и зубной эмали. Экспертам IBM удалось адаптировать методику самосборки для формирования триллионов вакуумных микрополостей в структуре микросхем. Такие полости имеют диаметр порядка 20 нанометров и играют роль изоляторов между проводниками.
В корпорации IBM подчеркивают, что, по сравнению с самыми передовыми технологиями производства процессоров, новая методика позволяет добиться значительного повышения быстродействия и снижения энергопотребления. В частности, производительность чипов может быть увеличена на 35%, а потребление энергии сокращено на 15%. Другим немаловажным достоинством предложенной технологии является то, что она может использоваться на любой производственной линии, выпускающей продукцию по технологии КМОП.
Методика самосборки уже внедрена в передовую производственную линию на заводе IBM в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк). А к 2009 году корпорация IBM намерена перевести на новую технологию все свое производство микрочипов. На начальном этапе процессоры, изготовленные с применением нанотехнологии самосборки, будут использоваться в серверных решениях IBM. Затем корпорация планирует начать поставки чипов сторонним компаниям.

Медные проводники уступят место оптическим линиям связи

http://hard.compulenta.ru/303299/

Эксперты Intel, IBM, а также ряда научно-исследовательских организаций занимаются разработкой новых коммуникационных систем, которые в перспективе позволят соединять чипы с друг с другом при помощи оптических линий. Свои последние достижения в соответствующей сфере, как сообщает Wired News, ученые представят на этой неделе в рамках ежегодной конференции Photonics West в Сан-Хосе (Калифорния).
Планируется, что оптические линии связи будут применяться вместо традиционных шлейфов с проводниками из меди. Предполагается, что такие линии будут обеспечивать намного более высокую пропускную способность, нежели современные интерфейсы, позволят сэкономить место внутри корпусов конечных устройств, а также снизить производственные издержки.
Оптическая коммуникационная система на чипе предполагает использование трех основных компонентов: модулятора, преобразующего электрические сигналы в световые импульсы, собственно оптической линии связи и декодирующего устройства, формирующего электрический сигнал на основе полученных световых импульсов. Причем в идеале все компоненты желательно расположить на обычной кремниевой пластине, что сократит издержки на внедрение новой технологии и упростит производство.
В ходе конференции Photonics West корпорация Intel планирует показать оптический модулятор на кремниевом чипе, способный преобразовывать электрические сигналы в световые импульсы с частотой до 20 ГГц. Специалисты из лаборатории Линкольна при Массачусетском технологическом институте, в свою очередь, продемонстрируют кремниевый детектор, работающий на частоте от 10 до 20 ГГц. Наконец, исследователи IBM добились значительных успехов в области разработки микроскопических проводников для коммуникационных систем нового типа.
Не исключено, что уже через 15-20 лет все линии связи внутри чипов будут исключительно оптическими. Впрочем, прежде чем это произойдет, ученым предстоит проделать огромный объем работы.

Atmel представила интегральную схему драйвера для управления электродвигателями постоянного тока с частотой ШИМ вне слышимого звукового диапазона
http://sub.chipdoc.ru/news.php?fn=1226

Компания Atmel сообщила о доступности новой интегральной схемы драйвера ATA6831 с поддержкой повышенной частоты ШИМ, которая позволит плавно управлять электродвигателями постоянного тока при пониженном уровне шума. ATA6831 предназначена для совместной работы с микроконтроллером в целях управления двумя электродвигателями постоянного тока или тремя различными нагрузками в автомобильных и промышленных приложениях, например, управление выпускным механизмом банкоматов. За счет возможности работы с высокими напряжениями (до 40В) ATA6831 может использоваться в грузовых автомобилях с напряжением питания 24В. Благодаря выпуску микросхемы по высоковольтной технологии Atmel "BCD-on-SOI" (SMARTIS), данная интегральная схема отличается превосходной степенью защищенности и чрезвычайно привлекательной стоимостью.
Недорогая и малогабаритная интегральная схема ATA6831 представляет собой трехканальный полностью защищенный полумостовой драйвер со встроенным силовым каскадом. Каждый из 3 драйверов верхнего уровня и 3 драйверов нижнего уровня способны управлять токами до 1.0А. ATA6831 разработан с учетом применения в схемах управления электродвигателями постоянного тока по Н-мостовой схеме. Возможность работы с внешним ШИМ-сигналом позволит реализовать функцию плавной регулировки двигателя, а расширение частотного диапазона ШИМ-сигнала до 25 кГц позволит исключить генерацию акустического шума. Задание таких режимов работы двигателя, как реверс, торможение и перевод выходных каскадов в высокоимпедансное состояние осуществляется через интерфейс SPI.
ATA6831 выполняет несколько защитных функций, в т.ч. сигнализация и отключение при перегреве, защита от перегрузки и перенапряжения, а также полная защита от коротких замыканий. Некоторые диагностические биты отображаются в регистре вывода интерфейса SPI, что позволяет их считать микроконтроллером. В случае недопустимого снижения напряжения на выводе питания в регистре вывода устанавливается бит нарушения питания и все выходы отключаются. Применительно к биту предупредительной сигнализации перегрева разработчик должен предусмотреть программную процедуру, которая в случае установки этого бита выполнит действия, направленные на снижение рассеиваемой мощности и температуры. Если рост температуры не прекратится и она пересечет установленный уровень, то во избежание выхода из строя интегральная схема отключится. Микросхема также отвечает жестким автомобильным требованиям (защита от внесенных излучений, EMC- и ESD-защита), а также может противостоять переходным процессам в соответствии с ISO/TR 7637.
Образцы интегральной схемы ATA6831 доступны в настоящее время в бессвинцовых корпусах QFN18. Для приложений с окружающей температурой до 150°С доступна высокотемпературная версия драйвера ATA6832. Кроме того, для сокращения сроков проектирования выпускается оценочная плата.
Сокращения
BCDMOS - комбинированная технология, объединяющая биполярные, CMOS и DMOS компоненты
EMC - электромагнитная совместимость
ESD - электростатический разряд
ШИМ - широтно-импульсная модуляция
SOI - технология "полупроводник на диэлектрике"

TВ-тюнер на базе схемы с нулевой промежуточной частотой (ZIF) для систем наземного цифрового телевещания не требует применения ПАВ фильтра


http://sub.chipdoc.ru/news.php?fn=1251

Maxim Integrated Products представил MAX3580 ИС TВ-тюнера прямого преобразования на базе схемы с нулевой промежуточной частотой (ZIF) для систем наземного цифрового телевещания (DVB-T). Благодаря архитектуре ZIF и наличию встроенного следящего фильтра высоких частот ТВ-тюнер не требует применения внешних дискретных фильтрующих радиоэлементов и традиционного дорогостоящего ПАВ фильтра, как это обычно имеет место в тюнерах, работающих на средних частотах. Такой подход позволяет максимально сократить номенклатуру применяемых для разработки компонентов и материалов (BOM).

MAX3580 работает от одного источника питания с номиналом напряжения 3.3В и потребляет мощность 650мВт, что делает ИС удобной для применения в системах с интерфейсом USB и мобильных мультимедийных системах.
MAX3580 выполнен в малогабаритном 32-выводном корпусе TQFN с габаритами 5мм х 5мм и работает в расширенном температурном диапазоне от -40°С до +85°С.

Присоединённое изображение

Цифровой температурный датчик с однопроводным интерфейсом обеспечивает работу в режиме подключения к последовательному каналу и определение собственного местоположения

http://sub.chipdoc.ru/news.php?fn=1243

Dallas Semiconductor представила ИС DS28EA00 - цифровой температурный датчик с однопроводным интерфейсом (1-Wire), имеющий точность измерений ±0.5°C и работающий в режиме подключения к последовательному каналу в виде цепочки. Новый режим включения и передачи сигналов протокола дает возможность быстро и автоматически определять местоположение отдельных датчиков в пространстве в случае, когда множество датчиков подсоединено к общей однопроводной сигнальной линии. DS28EA00 подходит для применения в разработках, в которых требуется осуществление точного распределенного цифрового измерения температуры при минимальных затратах и несложности сети соединений.
Измерение температуры производится в диапазоне от -40°C до +85°C. Откалиброванный на заводе-изготовителе DS28EA00 обеспечивает ошибку преобразования для худшего случая ±0.5°C в диапазоне измерения температуры от -10°C до +85°C и ±2.0°C в диапазоне от -40°C до -10°C. Оцифровывание измеренной температуры на дифференциальном выходе VBE согласованной пары NPN-транзисторов производится дельта-сигма АЦП первого порядка. Разрешение преобразования программируется пользователем и составляет от 9 до 12 бит.

DS28EA00 работает через интерфейс 1-Wire Dallas Semiconductor в соответствии с протоколом, который обеспечивает как сигнальное соединение, так и питание по одной сигнальной линии. Уникальный однопроводный интерфейс дает возможность подключиться к одной сигнальной линии и независимо работать множеству устройств с интерфейсом 1-Wire, в том числе ИС DS28EA00. При применении DS28EA00 (за счет осуществления сигнального соединения и подачи питания через один контакт) удается снизить сложность сети соединений и уменьшить стоимость систем, содержащих множество ИС. Как и все устройства с интерфейсом 1-Wire DS28EA00 имеет уникальный 64-разрядный серийный номер, который используется в распределенной среде выбора определенного устройства при считывании результатов измерения температуры. Это свойство позволяет определять местоположение температурных датчиков. Для соединения множества датчиков DS28EA00 в цепочку используются два дополнительных сигнальных вывода. Ведущий контроллер интерфейса 1-Wire в соответствии с протоколом обмена последовательно, начиная с первого, считывает 64-разрядный серийный номер каждого компонента в цепи. Такое последовательное считывание непосредственно соотносится с физическим расположением DS28EA00 в системе. Кроме того, дополнительный сигнальный вывод имеет двойное назначение и может использоваться либо для определения местоположения устройства в сети, либо в качестве входа-выхода общего назначения (5В/4мA) для управления светодиодными индикаторами или для передачи иных сигналов ввода-вывода. Типичным приложением для DS28EA00 является оборудование, монтируемое в стойках, для которых точное распределенное измерение температуры является важным: базовые станции беспроводной связи, главные офисные коммутаторы, серверы, системы высокого напряжения переменного тока и системы управления производством. Температурный датчик выпускается в 8-выводном корпусе µSOP.

Присоединённое изображение

Первый 200-вольтовый DirectFET транзистор от IR
International Rectifier

http://sub.chipdoc.ru/news.php?fn=1250

Новый транзистор разработан для применения в изолированных DC/DC-конверторах с питанием от универсальной шины (36...75 В). Обладая ультранизким сопротивлением канала (51 мОм) и низким зарядом затвора, IRF6641TRPbF идеально подходит для синхронных выпрямителей высокоэффективных сильноточных DC/DC-конверторов, работающих на высокой частоте, последнего поколения конверторов шины, привода постоянного тока и даже для 48-вольтовых конверторов ветрогенераторов. Кроме того, он может использоваться в сильноточных AC/DC-конверторах компьютеров и телекоммуникационных серверов с питанием от 48-вольтовой шины.
Новый транзистор в корпусе DirectFET типа MZ при габаритах корпуса SO-8 и высоте корпуса 0,7 мм обеспечивает ток 25 А при минимальных потерях проводимости и переключения. Он заменяет до 3 транзисторов в корпусе SO-8 и экономит до 50% площади печатной платы. Транзистор обеспечивает КПД синхронных выпрямителей до 95% или такой же уровень КПД, что при удвоенном количестве транзисторов в корпусе SO-8 и выходном токе 7 А.

Присоединённое изображение

Dallas Semiconductor представил контроллер защищенного доступа с резервным питанием от батареи и неотображаемым статическим ОЗУ объемом 1КБ

http://sub.chipdoc.ru/news.php?fn=1248

Dallas Semiconductor представил DS3641, контроллер защищенного доступа с резервным питанием от батареи, являющийся одним из элементов первого промышленного семейства ИС защиты данных в кассовых торговых терминалах и других чувствительных к секретности данных приложениях. За счет встроенного генератора реального времени (RTC), автоматического переключателя батареи, 4-проводнго интерфейса и корпуса CSBGA для дополнительной защиты, контроллер обеспечивает обнаружение попыток несанкционированного вмешательства и быстрое стирание содержимого ключевой памяти. Благодаря высокому уровню защиты DS3641 не только поддерживает 3 и 4 уровень защиты FIPS-140, но также отвечает высоким требованиям стандартов Common Criteria, PCI-PED и EMV-4.1.
Главной новацией DS3641 является энергонезависимое SRAM для хранения ключей шифрования. При такой архитектуре памяти ячейки памяти постоянно заполнены, что исключает возможность считывания данных после вывода ИС из строя. Таким образом, технология предотвращает пассивное обнаружение данных оставшихся в ячейках при выходе памяти из строя. Другой новацией является возможность непосредственного стирания массива внутренней памяти объемом 1КБ менее чем за 100нс после обнаружения сигнала о вмешательстве. Уничтожение данных происходит так быстро потому, что задействуется встроенная функция высокоскоростного аппаратного стирания за счет интегрированного источника питания. DS3641 имеет входы обнаружения вмешательства для связи с системой питания, цепями нагрузки, внешними датчиками и устройствами блокировки. Отслеживание состояния этих элементов осуществляется в режиме низкого энергопотребления.
ИС отслеживает синхросигнал встроенного генератора реального времени (RTC) и определяет наличие вмешательства, если значение опускается ниже заданного порога. Встроенный датчик температуры включает детектор скорости изменения температуры, который защищает память ключей от термического воздействия. DS3641 постоянно контролирует основной источник напряжения питания. В случае сбоя источника, автоматически активируется внешний источник резервного батарейного питания с целью сохранения работоспособности SRAM, RTC и схемы обнаружения вмешательства.
DS3641 работает в температурном диапазоне от -40°C до +85°C.

Линейные стабилизаторы на 150 мА с ультранизким уровнем шума и сверхнизким падением напряжения для малогабаритных разработок

http://sub.chipdoc.ru/news.php?fn=1245

Maxim Integrated Products представил линейные стабилизаторы MAX8840, MAX8841, MAX8842 с ультранизким уровнем шума и сверхнизким падением напряжения (LDO), которые обеспечивают ток 150мА. Выполненные в небольшом корпусе µDFN с габаритами 1мм х 1,5мм х 0,8мм, устройства дают возможность уменьшить общие габариты разработки до 3,9 кв.мм, включая внешние компоненты. Компактность решения делает их подходящими для применения малогабаритных устройствах, таких как сотовые телефоны, смартфоны, КПК и ноутбуки.
MAX8840, MAX8841, MAX8842 работают от источника питания номиналом от 2В до 6В, что позволяет осуществлять питание от одноэлементной Li+ батареи. Время работы батареи максимально удлиняется за счет чрезвычайно низкого тока потребления (40 мкА в рабочем режиме, 50нА в режиме отключения). Среднеквадратичное действующее значение выходного шума 11мкВ (при 100Гц) и коэффициент подавления шумов источника питания 78дБ (при 1 кГц) делает MAX8840 идеальным для систем питания схем, требующих малошумящих источников, таких как радиосистемы, камеры мобильных телефонов и источники напряжения смещения импульсных усилителей. MAX8841 имеет уменьшенные габариты корпуса, так как не требует включения шунтирующего конденсатора, что позволяет применять его во встроенных источниках питания процессорных ядер, периферии и схем памяти.
MAX8840, MAX8841 имеют фиксированное выходное напряжение номиналом: 1,5В, 1,8В, 2,5В, 2,6В, 2,7В, 2,8В, 2,85В, 3,0В, 3,3В и 4,5В. MAX8842 позволяет запрограммировать при помощи резисторного делителя выходное напряжение в пределах диапазона от 1,225В до 4,5В.
MAX8840, MAX8841, MAX8842 имеют вход с активным низким логическим уровнем для отключения, защиту от превышения значения выходного тока и перегрева, работают в расширенном температурном диапазоне (от -40°С до +85°С) и выпускаются в корпусе µDFN с габаритами 1мм х 1,5мм х 0,8мм, не содержащем свинца.



Присоединённое изображение

Ира
Большое спасибо за публикацию новостей МЭ!
:clap:

Крупнейшая сделка на российском рынке микроэлектроники: зеленоградский "Ангстрем" купит у AMD производство микрочипов в Германии


На российском рынке микроэлектроники готовится крупнейшая в его истории сделка. Как стало известно, зеленоградское ОАО "Ангстрем" (производит микроконтроллеры, кристаллы для микропроцессоров, микропроцессоры и другую микроэлектронику), принадлежащее бывшему совладельцу Межпромбанка Сергею Веремеенко, выкупает у концерна AMD его мощности по производству микрочипов в Германии. Эксперты оценивают сделку в $250-300 млн.

Информацию о сделке с "Ангстремом" вчера подтвердили в российском представительстве AMD, но ее подробности сообщить отказались, отметив, что купля-продажа еще не завершена. Однако детали сделки раскрыл источник, близкий к владельцам "Ангстрема". Собеседник сообщил, что в собственность зеленоградского предприятия перейдет оборудование завода AMD в Дрездене, позволяющее производить по 0,13-микронной технологии до 12 млн чипов в год. "Оборудование будет демонтировано и вывезено в Южную промзону Зеленограда. На освободившихся площадях в Германии AMD разместит более современную инфраструктуру,– подчеркнул высокопоставленный представитель одной из участвующих в сделке структур.– Мощности в России позволят выпускать продукции на сумму до $1 млрд в год". Кроме того, источник отметил, что значительная часть продукции "Ангстрема" пойдет на экспорт. По его словам, не исключено, что в ближайшие несколько лет бюджет проекта увеличится до $700 млн.

Эксперты отмечают, что сделка между "Ангстремом" и AMD превратит подмосковный Зеленоград в аналог американской Силиконовой долины. Располагаясь в нескольких кварталах друг от друга, здесь будут выпускать микросхемы два агрессивных конкурента – "Ангстрем" и головное предприятие микроэлектронного комплекса концерна Sitronics "Микрон". В июле этого года дочерняя структура АФК "Система" осуществила аналогичный "Ангстрему" проект – приобрела у французской ST Microelectronics за $120 млн оборудование для производства чипов по 0,18-микронной технологии. Возможную конкуренцию с "Ангстремом" в концерне комментируют сдержанно. "Я не думаю, что наши интересы будут пересекаться. Мы используем совершенно иную технологию и планируем работать в другой нише",– говорит заместитель гендиректора по связям с общественностью Sitronics Елена Санарова.

Эксперты считают проект "Ангстрема" перспективным, он развивается на фоне резкого повышения спроса на микроэлектронные компоненты в России. "Перспективы российского рынка микроэлектроники сейчас очевидны,– говорит аналитик "Атон" Надежда Голубева.– Я не исключаю, что продукция как предприятий Sitronics, так и 'Ангстрема' найдет покупателя в России,– спрос на чипы со стороны оборонки и госструктур растет. Проекты, связанные с внедрением биопаспортов, медкарт, прав и других электронных документов, значительно повысят спрос на эту продукцию".

Участники рынка согласны с этим выводом, однако сомневаются в экспортном потенциале продукции "Ангстрем": по их мнению, российские чипы по характеристикам будут уступать зарубежным аналогам. "Технологический процесс 0,13 мкм – это, конечно, уже не передний край микроэлектроники. На мировой рынок – в глобальном понимании –- российским компаниям проникнуть вряд ли удастся,– отмечает гендиректор компании ИВК Григорий Сизоненко.– А вот в России, странах СНГ и некоторых других государствах компоненты, выполненные по нормам 0,13 мкм, могут быть широко востребованы".

По информации «Коммерсант»