(2007-2021) Новости микро- и наноэлектроники

[Alexander]

Новости микро- и наноэлектроники публикуют студенты МИФИ и РУДН

ver.1.0

Это сообщение отредактировал VAL - 25.12.2021 10:00

[VAL]

Alexander
Хорошо бы вставить рисунки!
Здесь описано как это сделать!

[Alexander]

Создан модуль цифровой молекулярной памяти
http://rnd.cnews.ru/tech/news/

Специалисты Калифорнийского технологического института и Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе создали первый модуль памяти, способный хранить информацию с помощью переконфигурируемых молекулярных переключателей и обладающий фантастической плотностью хранения данных - 10^11 бит на 1 см^2.


Создан первый квантовый светодиод
http://rnd.cnews.ru/tech/news

Ученые из Нидерландов сделали первый в мире светодиод на основе нанонити с квантовыми точками.
Благодаря открытию ученых из университета Дельфта вскоре могут появиться оптоэлектронные наноустройства на основе этих светодиодов.
Открытие важно тем, что одноэлектронный транспорт в устройстве сочетается с однофотонной оптикой, что до недавнего времени являлось одной из нерешенных задач оптоэлектроники.
Основной элемент квантового LED – нанонить толщиной 30 нанометров и длиной 4 микрона, расположенная на кремниевой подложке.
Еще одно преимущество квантового LED – его несложное выращивание на кремниевой основе, что делает его идеальным решением для интеграции в микроэлектронные сенсоры.
Ученые также говорят о возможности создания на основе нового LED-прибора недорогих коммерческих систем освещения, поскольку процесс светоизлучения проходит с высокой степенью эффективности.

Рис. 1. Квантовый LED на основе нанонити

Присоединённое изображение

[Alexander]

Транзистор нового поколения на индий-галлий-арсениде
http://www.itmnews.ru/micronews.php

Сотрудники MIT предлагают своё решение задачи поиска новых полупроводниковых материалов. Массачусетские учёные считают, что полупроводниковыми материалами следующего поколения для изготовления транзисторов станет семейство так называемых "полупроводников III-V". Такое название отображает тот факт, что они состоят из элементов с валентностями III и V. В качестве эксперимента исследователи использовали многослойную структуру с квантовыми ямами (гетероструктура с тонкими, несколько нанометров, слоями) - индий-галлий-арсенид (InGaAs). Им удалось сконструировать InGaAs-транзистор, который работает в 2,5 раза быстрее традиционных кремниевых. Группа учёных во главе с профессором Аламо (Alamo) продемонстрировала работу транзистора на структурах с квантовыми ямами, питая его довольно низким напряжением – всего 0,5 В.
Конечно, пока до внедрения новой разработки в массовое производство еще далеко и придётся преодолеть ещё много барьеров. Но Аламо считает, что прототипы устройств на InGaAs-транзисторах будут разработаны уже через два года. Примечательно, что одним из спонсоров исследований является компания Intel. Заглядывание в будущее - хорошее качество, которое у неё не отнимешь.


Создан графеновый транзистор толщиной в один атом
http://techlabs.by/news/hardware/

Ученые манчестерского университета нашли применения в микроэлектронике для одной из синтетических форм углерода – графена. Графен представляет собой двумерную форму графита, или развернутый фуллерен – атомарный слой, состоящий из гексагональных углеродных ячеек. Это самый тонкий в мире материал. На его основе создан первый в мире транзистор толщиной всего в один атом и шириной в пятьдесят. Если верить утверждениям ученых, то создание такого транзистора – важнейшая веха десятилетия для полупроводниковой индустрии, поскольку с традиционным кремнием в качестве материала подобная миниатюризация недостижима.
В ближайшие двадцать лет полупроводниковая индустрия упрется в технологический предел кремния, когда сделать транзисторы меньше не будет позволять сам материал. Первые транзисторы из графена были созданы ещё два года назад, но только сейчас удалось решить проблему больших токов утечки, доведя графеновый транзистор до состояния стабильного прототипа.
В отличие от кремниевых, графеновые транзисторы могут оставаться стабильными и проводить ток даже при толщине всего в несколько нанометров. Ученые манчестерского университета считают, что возможно создание такого транзистора на базе графена, размеры которого были бы равны минимальной гексагональной единице самого графена – то есть, фактически, кольцу из атомов углерода. Если прибавить сюда атомарную толщину графеновой пленки, получим фантастически компактные электронные устройства. Правда, в том, что касается сроков практической реализации открытой технологии, ученые не столь оптимистичны – по их мнению, коммерческое применение графена в микропроцессорах начнется не ранее 2025 года.

Рис. 2. Кристаллическая решетка графена

Присоединённое изображение

[Alexander]

Epson Toyocom разработала новый тип кварцевых кристаллов
http://www.3dnews.ru/news

Инженеры японского подразделения гиганта Epson Toyocom сегодня могут похвастаться очередным, возможно, революционным достижением. Им удалось создать абсолютно новый материал – кварцевый кристалл (технология QMEMS). Поэтому отныне, имея возможность вносить изменения в структуру производства полупроводников, компания получит инструментальные средства, позволяющие создавать миниатюрные кварцевые устройства и применение их в компьютерной промышленности.
Также специалистам удалось обеспечить приемлемые энергетические показатели разработки, несмотря на максимальную миниатюризацию, что открывает новые горизонты для разработчиков микросхем для мобильных телефонов. Нужно отметить, что повышенная точность изготовления такой продукции позволит специалистам намного улучшить ее устойчивость и стабильность, так как в данном случае механизмы обработки намного превосходят уже уходящие «механические» принципы. Скептики охарактеризовали нововведение всего несколькими понятиями – миниатюризация, экономия энергии и высокая степень устойчивости.
Примечательно, но в январе этого года Epson Toyocom уже начала поставки модулей кристаллов FC-13F, которые на сегодня являются самыми тонкими в промышленности. Толщина одного модуля составляет всего лишь 0,6 мм, это приблизительно две трети толщины аналогичных предшественников.


Весна – на нанотрубках набухают фуллереновые почки
http://www.chemport.ru/newsarchive.shtml

Создан новый основанный на углероде гибридный материал, который может дать новый импульс микроэлектронике. Материал, получивший название «нанопочки», состоит из одностенных углеродных нанотрубок, к внешней поверхности которых привиты молекулы фуллеренов.
Разработанный гибридный материал сочетает в себе черты как жестких нанотрубок, так и реакционноспособных фуллеренов, образуя некое подобие ветвей, покрытых почками или побегами. Нанопочки могут применяться в разнообразных микроэлектронных процессах, так как их способность к электронной эмиссии при комнатной температуре гораздо выше, чем просто у углеродных нанотрубок.
Международная исследовательская команда, возглавляемая Альбертом Насыбуллиным (Albert Nasibulin) получила нанопочки в результате одностадийного контролированного разложения моноксида углерода на поверхности частиц железа.
Электрические свойства нанопочек являются комбинацией свойств нанотрубок и фуллеренов. Первые обладают отличной проводимостью и инертностью, вторые вносят реакционную способность и, в особенности, хорошую электронную эмиссию. Это обстоятельство делает нанопочки особенно полезными в микроэлектронике, главным образом там, где востребован эффект холодной электронной эмиссии.

Рис. 3. Нанопочки: гибридные структуры фуллерен-нанотрубка напоминают почки, растущие на ветке (по материалам Nature Nanotechnology).


Присоединённое изображение

[Alexander]

Крупнейшая сделка на российском рынке микроэлектроники: зеленоградский «Ангстрем» купит у AMD производство микрочипов в Германии
http://www.e-xecutive.ru/news/

Российская компания "Ангстрем", производящая электронные компоненты для оборонной промышленности, приобретает оборудование дрезденского завода одного из лидеров мировой электроники - компании AMD. После того, как оборудование для производства микрочипов будет перевезено в Зеленоград, "Ангстрем" сможет производить в России микроэлектроники на 1 млрд долларов в год. Значительную часть чипов будут продавать в России.
По мнению экспертов, российскому предприятию достанется оборудование далеко не самое современное, однако для нужд внутреннего российского рынка оно вполне подойдет. Импортное оборудование AMD позволяет производить чипы с нормой проектирования 0,13 микрона.


Первая низковольтная транзисторная схема из органики
http://www.chemport.ru/newsarchive.shtml

Ученые из Института Макса Планка разработали комплементарную схему, состоящую из двух органических транзисторов, которая характеризуется малым энергопотреблением и использует низковольтное питание.
Новая электронная деталь из органических веществ может управляться гораздо меньшим напряжением, чем использовавшиеся ранее. Для питания новой схемы достаточно вольтажа, подаваемого одной или двух батарей АА или ААА (1.5 В или 3.0 В).
Хотя транзисторы из органических материалов имеют ряд преимуществ в сравнении с традиционными кремниевыми (например, они могут быть размещены на гибких поверхностях, что увеличивает портативность и мобильность изделий на их основе), недостатком известных органических «радиодеталей» является высокое энергопотребление.
Для разработки малопотребляющей радиосхемы исследователи из Берлина использовали два принципа. В первую очередь они использовали для изоляции транзистора самоорганизующиеся монослои органических соединений. Толщина такого слоя изоляции составляла не более 3 нм.
Другой находкой ученых являлось объединение p и n транзисторов в комплементарную цепь. До настоящего времени органические схемы чаще всего реализовывались в форме монополярных схем, состоявших из транзисторов лишь одного типа (либо p, либо n). При реализации монополярной схемы необходимо использовать уравнительный ток, увеличивающий энергопотребление схемы, в то время как при использовании комплементарной цепи один из транзисторов блокирует противоток, что дает дополнительную возможность для экономии энергии.
Полевые транзисторы, сконструированные из стабильных к действию воздуха органических соединений – пентацена и гексадекафторфталоцианина меди, имеют три контакта: затвор, источник и сток. Разработанные берлинскими учеными схемы могут работать вплоть до 90 градусов Цельсия, что с одной стороны расширяет границы применимости микроэлектроники нового типа, а с другой – может облегчить процесс их производства.

Рис. 4. Схема и фотография комплементарного преобразователя, состоящей из р и n тонкопленочных транзисторов (По материалам Nature).

Присоединённое изображение

[VAL]

Alexander
Спасибо!
Так интереснее и лучше. Первую версию конспекта удаляем?
:)

[Alexander]

Удаляем, конечно :)

[VAL]

Alexander
А не хотели бы Вы на время семестра стать ведущим новостей МЭ. Публиковать новости каждую неделю и, в конце концов, написасать на эту тему реферат?

ЗЫ. Кстати, а как насчет структуры новостей (технология/схемотеника/....)?

[Alexander]

24.03.07 - 30.03.07.

Завершено строительство суперкомпьютера с изменяемой конфигурацией

Специалисты Эдинбургского университета (Шотландия) завершили строительство экспериментального суперкомпьютера с изменяемой архитектурой. Вычислительная система, как сообщает ZDNet, получила название Maxwell.
В суперкомпьютере Maxwell вместо традиционных микропроцессоров используются перепрограммируемые логические интегральные схемы (FPGA). Конфигурацию FPGA можно менять при помощи специализированных программных средств, адаптируя таким образом систему для решения строго определенных задач. Правда, перепрограммирование суперкомпьютера на базе FPGA представляет собой очень сложный процесс, что затрудняет коммерческое использование подобных комплексов.
По словам Марка Парсонса, руководителя проекта Maxwell, в процессе тестирования экспериментальная система использовалась для проведения сложных расчетов в финансовой и медицинской сферах. При этом комплекс продемонстрировал в 300 раз более высокую производительность и в 10 раз меньшее энергопотребление по сравнению со стандартными вычислительными центрами.
Разработка суперкомпьютера Maxwell длилась два года и обошлась в семь миллионов долларов США. Помощь в создании специализированных средств программирования шотландским ученым оказывали исследователи альянса FHPCA (FPGA High Performance Computing Alliance). Парсонс считает, что в течение ближайших двух-трех лет интерес к вычислительным комплексам на основе перепрограммируемых логических интегральных схем может существенно вырасти. Кстати, схемы FPGA уже используют в своей продукции некоторые компании, в частности, Cray.

Создан ультратонкий аккумулятор

По сообщению ScienceDaily, японскими учеными из университета Васеда создан плоский, как бумага, и гибкий полимерный аккумулятор толщиной всего 300 нм с высокими эксплуатационными параметрами. Аккумулятор имеет высокую удельную плотность радикалов и способен выдерживать до 1 тыс. циклов зарядки-разрядки, причем продолжительность полной зарядки составляет всего 1 минуту.

Samsung наращивает емкость твердотельных дисков

Южнокорейская компания Samsung объявила о выпуске нового твердотельного диска (SSD) на основе флэш-памяти, вмещающего до 64 Гб данных.
Стоит сразу оговориться, что на рынке уже присутствуют накопители SSD емкостью в 64 Гб. В частности твердотельный диск такого объема предлагает компания SimpleTech. А фирма Adtron и вовсе недавно анонсировала твердотельный диск, способный хранить до 160 Гб информации. Однако накопители SimpleTech и Adtron выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма, тогда как новый диск Samsung имеет форм-фактор 1,8 дюйма. Это позволяет использовать накопитель в ультрамобильных компьютерах, а также медиаплеерах.
Новый твердотельный диск Samsung построен на основе флэш-памяти NAND и обладает повышенными, по сравнению с накопителями предыдущего поколения, скоростями чтения и записи. В частности, заявленная скорость чтения информации составляет 64 Мб/с, скорость записи - 45 Мб/с. Это, соответственно, на 20% и 50% больше аналогичных показателей для твердотельных дисков Samsung объемом в 32 Гб.
Среди основных преимуществ SSD компания Samsung выделяет нулевой уровень шума при работе, более низкое по сравнению с традиционными винчестерами энергопотребление и высокую надежность, объясняющуюся отсутствием подвижных частей. Стоит добавить, что, по мнению аналитиков Samsung, рынок SSD ожидает существенный рост. Согласно прогнозам, объем соответствующего сегмента рынка вырастет с 56 миллионов долларов в прошлом году до 6,8 миллиарда долларов США к 2010 году.

Рисунок.Твердотельный диск Samsung

Присоединённое изображение

[VAL]

Alexander
В полученном Вами диске про "Новости МЭ" есть что-то (по Вашему мнению) интересное?

[Alexander]

Конечно, для меня представляет интерес версия конспекта по моей теме за прошлый год. Особенно интересно деление новостей по группам (физика, технология, схемотехника + добавленная к ним группа "Новости архитектуры")

[Alexander]

Intel по прежнему номер 1 в мире

Компания Intel является крупнейшим мировым производителем микропроцессоров. Лишний раз этот факт подтвердили аналитики из The Gartner Group. Несмотря на то, что доход корпорации снизился примерно на 12 процентов в 2006 году по сравнению с предыдущим, компания все же занимает лидирующее положение на рынке полупроводников.
Некоторая доля прибыли от продаж процессоров была потеряна в ходе борьбы с главным конкурентом – компанией AMD. Intel проигрывала на протяжении почти всего 2006 года, за исключением последнего квартала. Именно тогда удалось реализовать немалое количество таких продуктов как Core 2 Duo и Xeon 5100. По мнению исследователей Gartner эти процессоры позволят одержать победу над AMD в течение 2007 года. Также известно, что общая доля продукции Intel на рынке в ушедшем 2006 году составила 11,6%.
На втором месте после Intel находится компания Samsung – общая доля продукции на рынке составляет 7,7%. Увеличению продаж на 9,8% по сравнению с 2005 годом способствовали следующие продукты: память DRAM, NOR Flash, PSRAM, CMOS-сенсор. Однако, производитель утратил половину доходов в сегменте продаж микросхем памяти NAND Flash.
Американский производитель полупроводников Texas Instruments (TI) занимает третье почетное место. Увеличив продажи на целых 18,4% по сравнению с 2005 годом, TI отвоевала долю от общего рынка размером в 4,6%. Доход от продаж беспроводных устройств третьего поколения 3G для TI вырос на 50%.
В первой десятке оказались также компании Hynix Semiconductor и Infineon Technologies, показавшие самые высокие темпы развития за 2006 год. Доход от продаж продукции Hynix вырос почти на 40% по сравнению с 2005 годом, а у Infineon – на 28,4%.
В завершении приведем еще пару цифр, подсчитанных в Gartner. Общий мировой денежный оборот за 2006 год на рынке продаж полупроводников составил 262,7 миллиарда долларов США, что по сравнению с доходом 2005 годом дало прирост в 10,2%.


Ученые будут создавать полупроводники из пластмасс

Голландский ученый-исследователь Паулетт Принс (Paulette Prins) на днях выступила с заявлением, что в ее основном научном труде, кандидатской диссертации The Foundation for Fundamental Research on Matter (FOM), кроется секрет создания материала (в данном случае это пластик) с очень высоким коэффициентом жесткости и электропроводимости. Этот полимер с так называемой «лестничной» структурой позволит разрабатывать комплектующие для мобильных телефонов и других электронных устройств, которые вряд ли получится не нарочно разбить или повредить при падении даже с приличной высоты.
В труде разработчика указывается, что сегодня подавляющее большинство электроприборов, в частотности мобильников, создаются из довольно хрупких материалов (чипы, микросхемы), которые не способны пережить резкую физическую нагрузку или деформацию. Однако Паулетт, похоже, имеет свое мнение по этому поводу – почему бы не производить полупроводники не из хрупкого и дорого материала кремния, а из прочного пластика?
Однако здесь сразу возникает проблема – сегодняшние достижения науки не позволяют создавать пластиковые структуры с достаточной электропроводимостью. Не секрет, что пластмасса по этим характеристикам проигрывает существующим полупроводникам примерно в 1000 раз. Но примеры, представленные Принс, позволяют убедиться в обратном. Особая молекулярная структура полимера, разработанная немецкими инженерами, кардинально отличается от классических структур пластмасс. К примеру, молекулярные цепи обычного пластика имеют несимметричную и ломанную структуру, а новая разработка отличается фиксированным, «лестничным» построением элементов, что придает ей абсолютно новые физические свойства, родственные используемым сегодня полупроводникам.
Именно поэтому ученые уже сегодня могут сделать вывод, что создание полупроводников из пластмассы – не фантастика, поэтому скоро за сохранность дорогущих трубок волноваться уже не будет смысла.


Комбинированные чипы Samsung для мобильников

Компания Samsung представила технологию, позволяющую комбинировать процессор приложений и такую память, как OneDRAM, совмещающую функции оперативной и буферной памяти. Данная разработка стала возможной благодаря использованию архитектуры PoP (корпус на корпусе - package on package), которая предполагает расположение нескольких полупроводниковых чипов непосредственно друг на друге.
Таким образом, представленная технология предполагает уменьшение площади чипа за счет размещения двух корпусов друг на друге. Более того, такой корпус позволяет снизить уровень помех, сопровождающих операции на высоких частотах. Компания Samsung планирует применять такие чипы в мобильных телефонах поколений 3G и 3,5G, а также в портативных плеерах и навигаторах.
Ключевым звеном представленной технологии выступает процессор приложений S3C6400, работающий на частоте 667 МГц. Данный процессор оснащен функцией воспроизведения потокового видео стандартного разрешения и множеством интерфейсных функций. Однако, больший интерес представляют различные интегрированные узлы взаимодействия со всевозможными устройствами. Среди большого числа таких устройств отметим LCD-панели, камеры с разрешением вплоть до 16 Мп и беспроводной интерфейс Bluetooth.

Присоединённое изображение

[Alexander]

8.04.07 - 14.04.07

Опубликован список самых мощных суперкомпьютеров СНГ
http://www.computerra.ru/news/

На днях научно-исследовательский вычислительный центр МГУ и межведомственный суперкомпьютерный центр Российской академии наук (МСЦ РАН) представили ежегодный рейтинг самых мощных суперкомпьютеров СНГ. Первое место по производительности занял суперкомпьютер "Скиф Cyberia", созданный компанией "Т-Платформы" и установленный в Томском государственном университете.
Система расположена в Региональном центре коллективного пользования высокопроизводительными вычислительными ресурсами ТГУ и построена совместными усилиями компании "Т-Платформы", Института программных систем РАН, корпорации Intel и корпорации Microsoft.
Суперкомпьютер "Скиф Cyberia" построен на базе 566 двуядерных процессоров Intel Xeon 5150. Вычислительный узел базируется на специально модифицированной по заказу разработчиков системной плате, в которой серверный набор микросхем заменили на чипсет Intel 5000x, обычно применяющийся для строительства графических станций. Помимо стандартного набора управляющего и системного ПО "СКИФ Cyberia" использует новую операционную систему Microsoft Windows Compute Cluster Server 2003.
Пиковая производительность комплекса составляет 12 триллионов операций в секунду. Результат системы на стандартном тесте Linpack составил 9.019 триллионов операций (75% от пиковой).
По словам пресс-секретаря "Т-Платформ" Елены Чураковой , "Скиф Cyberia" разработан в рамках национального проекта образования, который курирует Роснаука. На создание системы государство выделило два миллиона долларов США, а суперкомпьютер возьмет на себя функции межрегионального вычислительного центра.
Между тем, на втором месте списка оказался прошлогодний лидер - суперкомпьютер МВС-15000ВМ производительностью 6,7 терафлопсов, построенный на платформе IBM PowerPC и установленный в МСЦ РАН.


IBM: закон Мура в третьем измерении
http://rnd.cnews.ru/tech/news

Компания IBM разработала технологию through-silicon vias, позволяющую перейти от двумерной к трехмерной компоновке чипов. Это позволит повысить плотность компоновки элементов в чипе, увеличить его быстродействие, снизить размеры и удельное энергопотребление. Технология позволяет на три порядка снизить расстояние, которое приходится преодолевать сигналам в чипе, и на два порядка повысить количество информационных каналов в сравнении с двумерными чипами.


Сделан первый шаг к созданию высокоскоростного нанотранзистора
http://rnd.cnews.ru/tech/news/

Ученые из университета Нотр-Дам, США, предложили новый метод, который ускорит передвижение электронов в полупроводниках.
Суть метода заключается в нанесении на проводящую поверхность нанометрового слоя изолятора. Этот нехитрый способ позволит уменьшить эффект рассеивания электронов из-за примесей и неоднородностей в полупроводнике и таким образом увеличить скорость их распространения.
Как сообщает Nanotechweb, метод полностью разработан и исследован благодаря математическому моделированию, проведенному учеными для случая кремниевых полупроводников. Как показали результаты математического моделирования, нанопокрытие позволит создавать транзисторы, работающие на высоких частотах.
Ученые сообщают, что обработка материалов с помощью нанослоя не требует каких-либо изменений в традиционном производстве микроэлектронных компонентов. После успешных результатов моделирования ученые планируют опробовать новый метод практически, создав высокоскоростной нанотранзистор.



Ученые разработали пластик - проводник электрического тока
http://www.3dnews.ru

Доктор Юе-Лин Лу (Yueh-Lin Loo), представитель научного сообщества Техасского Университета, на днях представила общественности информацию о проведенных ею опытах по модификации пластика с целью придания этому веществу свойства проводить электричество. Нужно сказать, что наработки в этой сфере могут быть полезны разработчикам электроники в будущем. Лу, иженер-химик, сейчас работает над изучением особого типа пластмассы, получившей название «полианилин», которая способна проводить электрический ток и может быть использована в военном деле (маскировка, меняющая цвет), создании «скручиваемых» дисплеев, и даже медицинских инструментов.
После воздействия на полианилин ряда химических реактивов, Лу удалось улучшить показатель проводимости тока этого материала в несколько раз. Судя по химическим показателям, полианилин можно сравнить по отдельным свойствам с золотом и медью. Согласно последним данным, рекордный показатель токопроводимости этого материала составил величину в 10 раз большую, чем у обычного пластика, однако этого не достаточно, чтобы назвать полианилин полностью альтернативным элементом-заменителем той же меди.


Присоединённое изображение

[VAL]

Alexander
Продолжайте публикации. Очень интересно.