
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
![]() ![]() ![]() |
![]() ![]() ![]() |
Здравствуйте Гость ( Вход | Регистрация ) | Выслать повторно письмо для активации |
Страницы: (5) « Первая ... 3 4 [5] ( Перейти к первому непрочитанному сообщению ) | ![]() ![]() ![]() |
Alexashka |
Дата 22.12.2009 10:17
|
Offline![]() Первокурсник ![]() Профиль Группа: Выпускники Сообщений: 47 Пользователь №: 8125 Регистрация: 18.09.2009 ![]() |
На текущем этапе разработка не может сравниться с традиционной флеш-памятью по плотности и продолжительности хранения данных. Так, существующий образец запоминающего устройства способен удерживать информацию не более суток, и это является одной из основных проблем.
Зато «органическая флеш-память» обладает гибкостью и в производстве будет обходиться намного дешевле обычных флеш-накопителей. Предполагается, что в перспективе память нового типа сможет найти применение в гаджетах на основе электронной бумаги, различных датчиках и других продуктах, в которых требуются недорогие запоминающие устройства. Секитани отмечает, что ближайшие задачи исследователей – улучшение стабильности памяти и уменьшить размер транзистора. Присоединённое изображение ![]() -------------------- Только Спартак, только победа!
|
Alexashka |
Дата 22.12.2009 10:18
|
Offline![]() Первокурсник ![]() Профиль Группа: Выпускники Сообщений: 47 Пользователь №: 8125 Регистрация: 18.09.2009 ![]() |
И ещё картинок))) ;)
Присоединённое изображение ![]() -------------------- Только Спартак, только победа!
|
McFly |
Дата 22.12.2009 11:22
|
Offline![]() Первокурсник ![]() Профиль Группа: Выпускники Сообщений: 34 Пользователь №: 8104 Регистрация: 17.09.2009 ![]() |
Поверхность, на которую осаждаются УНТ
Присоединённое изображение ![]() |
McFly |
![]() |
Offline![]() Первокурсник ![]() Профиль Группа: Выпускники Сообщений: 34 Пользователь №: 8104 Регистрация: 17.09.2009 ![]() |
Различие концентраций УНТ на модифицированной APTES (слева)и немодифицированной (справа) поверхностях оксида кремния при осаждении в одинаковых условиях
Присоединённое изображение ![]() |
VAL |
Дата 23.12.2009 09:47
|
Offline![]() Мэтр, проФАН любви... proFAN of love ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Профиль Группа: Администраторы Сообщений: 38049 Пользователь №: 1 Регистрация: 6.03.2004 ![]() |
Alexashka, McFly, зачтено! :)
-------------------- |
map |
Дата 23.12.2009 15:06
|
Offline![]() Абитуриент Профиль Группа: Выпускники Сообщений: 24 Пользователь №: 7952 Регистрация: 5.09.2009 ![]() |
Разработаны микроскопические солнечные батареи
Учёные из национальной лаборатории Sandia создали крошечные фотоэлектрические элементы, которые в десять раз тоньше, чем обычные солнечные батареи, однако превосходят их по многим параметрам. Потенциал применения новинки крайне широк — от спутников и средств дистанционного зондирования до походных палаток и даже одежды. http://www.membrana.ru/lenta/?9966 Присоединённое изображение ![]() -------------------- Imperare sibi maximum imperium est
|
map |
Дата 23.12.2009 21:51
|
Offline![]() Абитуриент Профиль Группа: Выпускники Сообщений: 24 Пользователь №: 7952 Регистрация: 5.09.2009 ![]() |
Физики создали цифровую квантовую батарею
Физики предложили конструкцию цифровой квантовой батареи (так свое детище назвали сами исследователи). По словам исследователей, новая схема позволит увеличить емкость аккумуляторов примерно в 10 раз, а также позволит создавать более компактные системы хранения информации. http://lenta.ru/news/2009/12/23/batteries/ Присоединённое изображение ![]() -------------------- Imperare sibi maximum imperium est
|
map |
Дата 23.12.2009 22:00
|
Offline![]() Абитуриент Профиль Группа: Выпускники Сообщений: 24 Пользователь №: 7952 Регистрация: 5.09.2009 ![]() |
Новый материал увеличит емкость чипов памяти в 50 раз
Ученые из университета Северной Каролины создали композитный материал, который позволит радикально увеличить емкость компьютерных чипов памяти, сообщает TGDaily. Уникальные свойства нового материала также открывают перспективы создания экономичных керамических двигателей внутреннего сгорания и разработки высокоэффективных полупроводников. http://lenta.ru/news/2009/10/21/spin/ Присоединённое изображение ![]() -------------------- Imperare sibi maximum imperium est
|
MACTEP |
Дата 23.12.2009 23:03
|
Offline Абитуриент Профиль Группа: Гость Сообщений: 4 Пользователь №: 8172 Регистрация: 25.09.2009 ![]() |
Команда исследователей из лондонского центра нанотехнологий при исследовательском центре UCL разработала новое биомедицинское устройство, благодаря которому диагностика рака груди может существенно упроститься.
Новый магнетометр высокой чувствительности HistoMag способен с помощью нанотехнологий находить отдельные раковые клетки в образцах тканей достаточно быстро. Устройство настолько инновационно, что получило престижную премию Королевского Наученного Общества Великобритании. Рис. 1. Так выглядит HistoMag Принцип действия устройства состоит в нанесении магнитных наночастиц с прикрепленными к ним антителами, присоединяющимися к белку HER2, который находится на поверхности раковых клеток. После обработки раствором наночастиц образца ткани можно уверенно говорить о том, что раковые клетки в ней «помечены» для дальнейшего исследования прибором-магнетометром, через микроскоп которого можно пересчитать раковые клетки . Как говорит руководитель проекта, профессор Панкхурст (Pankhurst), автоматизация поиска «помеченных» раковых клеток через микроскоп может привести к его преобладанию над другими методами диагностики рака груди. Ученые планируют на полученную премию (£25000) доработать HistoMag с таким расчетом, чтобы в 2010 году он уже появился в клинической практике. Присоединённое изображение ![]() |
VAL |
Дата 24.12.2009 15:36
|
Offline![]() Мэтр, проФАН любви... proFAN of love ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Профиль Группа: Администраторы Сообщений: 38049 Пользователь №: 1 Регистрация: 6.03.2004 ![]() |
map, MACTEP - зачтено.
-------------------- |
cerlaeda |
Дата 24.12.2009 21:54
|
Offline![]() Абитуриент Профиль Группа: Гость Сообщений: 14 Пользователь №: 8222 Регистрация: 1.10.2009 ![]() |
FAN103 – контроллеры стабилизатора для первичной стороны нового поколения
FAN103 FAN103 – контроллеры стабилизатора для первичной стороны нового покаления, позволяющие исключить из схемы 6-8 компонентов по сравнению со стандартным решением на основе FAN102, а также снизить потребляемую в дежурном режиме мощность до 30 мВт. Первым представителем данного семейства является контроллер FAN103. К концу года последует представление еще двух контроллеров, работающих совместно с внешними 0.5- и 1-амперными MOSFET-транзисторами. В контроллер встроены схемы компенсации COMI и COMV, а также высоковольтная схема запуска, которая позволяет исключить из схемы два пусковых резистора, использовавшихся в предыдущих решениях, и избавить от необходимости в каких-либо внешних измерениях в целях снижения потребляемой в дежурном режиме мощности. В рамках разработанного EBV опорного решения потребляемая в дежурном режиме мощность не превышала 30 мВт при питании переменным напряжением 265 В. Отличительные особенности ШИМ управление постоянным током/постоянным напряжением Высокоточный выход напряжения и тока, не требующий гальванической развязки оптроном Потребляемая мощность в режиме ожидания менее 30 мВт Требует на 6-8 внешних компонентов меньше по сравнению с предыдущим решением FAN102 источник Присоединённое изображение ![]() -------------------- Чтобы оправдаться в собственных глазах, мы нередко убеждаем себя, что не в силах достичь цели; на самом же деле мы не бессильны, а безвольны
|
cerlaeda |
Дата 24.12.2009 21:56
|
Offline![]() Абитуриент Профиль Группа: Гость Сообщений: 14 Пользователь №: 8222 Регистрация: 1.10.2009 ![]() |
75-вольтовые транзисторы для использования в каскадах синхронного выпрямления
Новые 75-вольтовые транзисторы семейства OptiMOSTM 3 характеризуются рекордно-низкими значениями сопротивления открытого канала и отличными коммутационными характеристиками. Благодаря малому сопротивлению транзисторов, размещенных в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа, и их нагрузочной способности до 50А, появляется возможность уменьшения размеров платы, а также гарантирования идеальных характеристик коммутации и наивысших уровней эффективности. IPP023NE7N3 G, с его типовым значением RDS(ON) 2.1 мОм (не более 2.3 мОм), а также тепловым сопротивлением 0.5К/Вт, установил новую рекордную планку для низкоомных MOSFET-транзисторов в 75-вольтовом классе. BSC092NE7NS3 G поставляется в корпусе SuperSO8 и характеризуется типовым значением RDS(ON) 3.7 мОм (максимальное не более 4.2 мОм), что позволит создавать новые высокоэффективные решения. Превосходные электрические характеристики 75-вольтовых транзисторов OptiMOSTM 3 делают их идеальными для использования в широком числе промышленных и потребительских применений. Несмотря на то, что низковольтные 75-вольтовые транзисторы OptiMOSTM 3 компании Infineon оптимизированы для работы в каскаде синхронного выпрямления, они также могут использоваться в других применениях, где требуется максимальная эффективность и минимальное занимаемое пространство, в т.ч. сильноточные каскады управления двигателями, высокочастотные DC/DC-преобразователи и усилители мощности звуковых частот класса D. Отличительные особенности
Сверхмалые заряд затвора (Qg) и заряд Миллера (Qgd) Самое низкое в мире сопротивление открытого канала (RDS(ON)) Наилучшая характеристика коммутации Оптимизированная технология для синхронного выпрямления Источник Присоединённое изображение ![]() -------------------- Чтобы оправдаться в собственных глазах, мы нередко убеждаем себя, что не в силах достичь цели; на самом же деле мы не бессильны, а безвольны
|
VAL |
Дата 26.02.2017 13:01
|
Offline![]() Мэтр, проФАН любви... proFAN of love ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Профиль Группа: Администраторы Сообщений: 38049 Пользователь №: 1 Регистрация: 6.03.2004 ![]() |
Что-то давно не было новостей по теме...
:doh: -------------------- |
VAL |
Дата 25.12.2021 09:57
|
||
Offline![]() Мэтр, проФАН любви... proFAN of love ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Профиль Группа: Администраторы Сообщений: 38049 Пользователь №: 1 Регистрация: 6.03.2004 ![]() |
(2021) Их тяжкая работа важней иных работ. ак пауки плетут графен Источники: - https://habr.com/ru/post/597479/ - https://www.pvsm.ru/himiya/370715
-------------------- |
||
![]() |
![]() ![]() ![]() |