| 10 последних сообщений пользователя McFly |
| Обо всем и о себе… [ 2010: Олимпиада в Ванкувере ] |
Наши проиграли все, что могли 
|
| Новости и объявления. Полигон форума [ (2007-2021) Новости микро- и наноэлектроники ] |
Различие концентраций УНТ на модифицированной APTES (слева)и немодифицированной (справа) поверхностях оксида кремния при осаждении в одинаковых условиях
|
| Новости и объявления. Полигон форума [ (2007-2021) Новости микро- и наноэлектроники ] |
Поверхность, на которую осаждаются УНТ
|
| Новости и объявления. Полигон форума [ (2007-2021) Новости микро- и наноэлектроники ] |
Схема устройства тонкопленочного транзистора на основе УНТ
|
| Новости и объявления. Полигон форума [ (2007-2021) Новости микро- и наноэлектроники ] |
Транзисторы из нанотрубок
http://www.nanometer.ru/2009/11/22/ibm_159205.html#
Для многих современных электронных приспособлений требуются тонкопленочные транзисторы (ТПТ), для изготовления которых широко применяется аморфный кремний. Но эта технология требует применения высоких температур и характеризуется сравнительно малой оперативностью работы получаемых устройств. Недавно начались попытки внедрения органических ТПТ, но они тоже имеют проблему невысокой скорости переключения транзисторов.
Наиболее перспективными материалами для тонкопленочных транзисторов сейчас считаются одностенные углеродные нанотрубки (УНТ). УНТ отличаются способностью проводить достаточно большие токи и довольно низким электросопротивлением. На их основе уже создаются электронные схемы с ТПТ, характеризующиеся относительно быстрым срабатыванием, отличной проводимостью, гибкостью и прозрачностью. Но применяемые технологии синтеза УНТ приводят к одновременному образованию двух типов УНТ: с металлической проводимостью (около 33% от общего количества) и полупроводниковых (около 67%). Только метод CVD позволяет достигнуть несколько большей, но, все равно, недостаточной для практического применения доли полупроводниковых трубок. Как правило, требуемая доля составляет 99% (например, для технологических процессов, разрабатываемых компанией IBM).
[IMG]http://www.nanometer.ru/2009/11/22/ibm_159205/PROP_IMG_images_3/3.jpg[/IMG] |
| Абитуриентам НИЯУ МИФИ [ Работа по специальности, полученной в МИФИ ] |
Я уже работаю по специальности и собираюсь и дальше развиваться в этой области.  |
| Кафедра Микро- и наноэлектроники МИФИ [ Спорить с профессором? ] |
| Я думаю, что спорить с преподавателем не стоит, так как если он хороший преподаватель, то он не сидит на месте, а с каждым развитием в своем предмете совершенствуется. Поэтому спор по предмету является бессмысленным. |
| МИФИческие хроники [ Дорога в МИФИ ] |
А у меня на дорогу занимает час при хорошем раскладе (10 минут от дома до метро 30-40 минут в метро и от метро до института на автобусе минут 10, а пешком 15-20 минут. А вот, когда выпал снег я ехала 2 часа). А вот когда выпал первый снег я добиралась два часа.  |
| Хроники [ (2004-2024) Новости погоды. Хроники о вечном и ] |
| По ощущению по-моему было и все 30. |
Помощь
Поиск
Участники
Календарь
Фотогалерея
Студенческий форум -> Профиль пользователя
