Студенческий форум -> (2013) План развития п/п технологий (ITRS)

Помощь

Поиск

Участники

Календарь

Новости

Учебные Материалы

ВАЛтест

Фотогалерея

Правила форума

Виртуальные тренажеры

Мемуары

Здравствуйте Гость ( Вход | Регистрация )

Выслать повторно письмо для активации

Студенческий форум -> Студенческие форумы НИЯУ МИФИ -> Азбука наноэлектроники -> Эра "нано": настоящее и будущее. Прогнозы и планы. Масштабирование, разброс характеристик, снижение Еп

(2013) План развития п/п технологий (ITRS), новый план/прогноз 2013 г.

Подписка на тему | Сообщить другу | Версия для печати

VAL

Дата 9.04.2015 10:57

Offline

Мэтр, проФАН любви... proFAN of love

Профиль
Группа: Администраторы
Сообщений: 37820
Пользователь №: 1
Регистрация: 6.03.2004

Новый стратегический план развития полупроводниковых технологий (ITRS) (план/прогноз 2013 г.)
Источник: http://www.russianelectronics.ru/leader-r/review/doc/58377/
(ресурс "Время электроники", 20 февраля)
Автор: Владимир Фомичёв

QUOTE

Что будет с микроэлектроникой в ближайшей (до 2018 г.) и отдаленной (до 2026 г.) перспективе? Какие технологии будут доминировать? Об этом специалисты думают уже сейчас.

QUOTE

Ассоциация Semiconductor Industry Association (SIA) опубликовала план ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors – «Международный проект развития полупроводниковых технологий»), который был представлен в Инчхоне, Южная Корея, в декабре прошлого года. Этот проект поддерживается странами Европы, Японией, Кореей, Тайванем и США, а за его выполнением следит ассоциация SIA – рупор американских производителей полупроводников.

Значение проекта ITRS
Предусматривая решение вопросов на ближайшую (до 2018 г.) и отдаленную перспективу (2019–2026 гг.), а также инновационное развитие отрасли, этот план представляет видение того, в каком направлении пойдет проектирование и производство полупроводников до 2026 г. Цель этого плана – предвидеть возможные трудности, чтобы позволить отрасли и сообществу разработчиков своевременно с ними справиться. Одной из главных проблем, стоящих перед индустрией, является её способность идти в ногу с законом Мура (см. рис.), т.е. обеспечить соответствующее увеличение производительности систем при снижении размеров полупроводниковых элементов.

QUOTE

Главные задачи на краткосрочный период (до 2018 г.)
Проект ITRS должен учитывать требования новой эпохи, когда будут достигнуты теоретические пределы масштабирования КМОП-структуры. В связи с этим отрасли предстоит решить такие проблемы как формирование рисунка на пластинах, усовершенствованные материалы, проектирование непланарных структур, токи утечки через переход, управление техпроцессом и технологичность.

Масштабирование планарных КМОП-структур будет сопряжено со значительными трудностями, т.к. стандартные методы уменьшения изолирующего слоя затвора, его длины и повышение концентрации примесей в канале скоро не будут отвечать требованиям приложений по таким показателям как производительность и энергопотребление. Для решения этой задачи помимо совершенствования управления техпроцессом потребуется создание новых архитектур устройств.

В ближайшей перспективе в области методов проектирования останутся такие задачи как управление питанием, проектная производительность и проектирование с учетом технологических требований. Проектная производительность продолжает оставаться в центре внимания стратегического плана развития отрасли, т. к. экономические показатели масштабирования зависят, главным образом, от возможности вывести новую электронную продукцию на рынок с низким риском за меньшее время. С точки зрения вариативности производственных технологий и надежности схем, проектная производительность неразрывно связана с необходимостью совершенствования дизайна с учетом технологических требований. В то же время энергопотребление стало ключевым техническим параметром, который определяет возможность масштабирования полупроводников. Вопрос управления питанием электронных устройств стал настолько важным, что стратегия совершенствования технологий проектирования энергоэффективных устройств была включена в раздел проекта ITRS Design. Помимо того, концепция More-Than-Moore (период времени после прекращения действия закона Мура – новая область микро- и наноэлектроники, которая реализуется с помощью методов, отличающихся от традиционных полупроводниковых технологий и приложений) становится необходимым компонентом масштабирования полупроводниковой продукции. Наконец, в документе ITRS большее внимание стало уделяться гетерогенным системам, в т. ч. РЧ- и аналого-цифровым блокам.

ЗЫ. http://en.wikipedia.org/wiki/International..._Semiconductors - Википедия о ITRS

--------------------

www.valinfo.ru
Всегда... Always....
Quod licet jovi, non licet bovi!

VAL	Дата 12.12.2019 22:33
Offline Мэтр, проФАН любви... proFAN of love Профиль Группа: Администраторы Сообщений: 37820 Пользователь №: 1 Регистрация: 6.03.2004	:doh: См.: http://www.valinfo.ru/forum/index.php?showtopic=6412 -------------------- www.valinfo.ru Всегда... Always.... Quod licet jovi, non licet bovi!

VAL	Дата 13.10.2022 20:38
Offline Мэтр, проФАН любви... proFAN of love Профиль Группа: Администраторы Сообщений: 37820 Пользователь №: 1 Регистрация: 6.03.2004	:doh: -------------------- www.valinfo.ru Всегда... Always.... Quod licet jovi, non licet bovi!

0 Пользователей читают эту тему (0 Гостей и 0 Скрытых Пользователей)

0 Пользователей:

« Предыдущая тема | Эра "нано": настоящее и будущее. Прогнозы и планы. Масштабирование, разброс характеристик, снижение Еп | Следующая тема »

Powered by Invision Power Board(U) v1.3 Final © 2003 IPS, Inc.
Установка, модификация и поддержка:
Barsum | 1px Design Group & Xac | OппаRU форум