
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
![]() ![]() ![]() |
![]() ![]() ![]() |
Здравствуйте Гость ( Вход | Регистрация ) | Выслать повторно письмо для активации |
![]() ![]() ![]() |
VAL |
Дата 1.03.2019 16:59
|
Offline![]() Мэтр, проФАН любви... proFAN of love ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Профиль Группа: Администраторы Сообщений: 38049 Пользователь №: 1 Регистрация: 6.03.2004 ![]() |
Авторский список публикаций (РИНЦ, eLIBRARY.RU)
Источник: https://elibrary.ru/author_items.asp 1. [Можно приобрести полный текст этой публикации за 300 руб.] МИКРОСХЕМЫ “УМНОЙ” АССОЦИАТИВНОЙ ПАМЯТИ: ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ, КЛАССИФИКАЦИЯ И ПРИМЕНЕНИЕ Лапшинский В.А. Датчики и системы. 2018. № 2 (222). С. 60-65. 2. ON THE WAY TO THE SMART EDUCATION IN THE CLOUD: THE EXPERIENCE OF USING A VIRTUAL LEARNING ENVIRONMENT AND WEBINARS IN EDUCATIONAL AND CAREER GUIDANCE PROCESS Lapshinsky V.A. В сборнике: AIP Conference Proceedings Сер. "Information Technologies in Education of the XXI Century, ITE-XXI 2015: Proceedings of the International Scientific-Practical Conference "Information Technologies in Education of the XXI Century"" 2017. С. 020009. 3. EFFECT OF MONO- AND BIMETALLIC NANOPARTICLES FE, NI, & FE/NI BASED ON CARBON NANOCOMPOSITES ON ELECTROCATALYTIC PROPERTIES OF ANODES Ranabhat K., Pylinina A.I., Skripkin K.S., Sofronova E.A., Patrikeev L.N., Lapshinsky V.A., Revina A.A., Kasatkin V.E. В сборнике: IOP Conference Series: Materials Science and Engineering 1. Сер. "1st International Telecommunication Conference "Advanced Micro- and Nanoelectronic Systems and Technologies"" 2016. С. 012023. 4. [Можно приобрести полный текст этой публикации за 300 руб.] НА ПУТИ К ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫМ МИКРОСХЕМАМ ПАМЯТИ Лапшинский В.А. Датчики и системы. 2016. № 4 (202). С. 77-83. 5. [Доступ к полному тексту открыт] EMERGING ARCHITECTURES FOR PROCESSOR-IN-MEMORY CHIPS: TAXONOMY AND IMPLEMENTATION Valery A.L. Вестник Российского университета дружбы народов. Серия: Инженерные исследования. 2016. № 4. С. 35-40. 6. AN INTRODUCTION TO SOLAR CELL TECHNOLOGY Ranabhat K., Patrikeev L., Revina A.A., Andrianov K., Sofronova E., Lapshinsky V. Journal of Applied Engineering Science. 2016. Т. 14. № 4. С. 481-491. 7. [Можно приобрести полный текст этой публикации за 300 руб.] НА ПУТИ К “УМНОЙ” И “РАЗУМНОЙ” ПАМЯТИ: БАЗОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ И ПРОЦЕССОРНО-ОРИЕНТИРОВАННАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ “УМНОЙ” ПАМЯТИ Лапшинский В.А. Датчики и системы. 2015. № 1 (188). С. 81-86. 8. ШКОЛЬНАЯ ОЛИМПИАДА НАНОЭЛЕКТРОНИКА Лапшинский В.А., Бочаров Ю.И., Воронов Ю.А., Зебрев Г.И., Мочалкина О.Р., Орлов В.К., Подлепецкий Б.И. Сборник задач и творческих заданий / Москва, 2014. 9. [Можно приобрести полный текст этой публикации за 300 руб.] ПРИБОР ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ Бакеренков А.С., Беляков В.В., Соломатин А.В., Першенков В.С., Лапшинский В.А. Датчики и системы. 2012. № 11 (162). С. 30-35. 10. [Публикация из списков цитируемой литературы] AUTOMATIC EQUIPMENT FOR SEMICONDUCTOR DEVICE VOLTAGE-CURRENT CHARACTERISTIC MEASUREMENT Bakerenkov A.S., Belyakov V.V., Lapshinskii V.A., Pershenkov V.S., Solomatin A.V. Sensory systems. 2012. Т. 11. С. 30. 11. [Доступ к полному тексту открыт] РАСЧЕТНЫЙ МЕТОД ОЦЕНКИ СТОЙКОСТИ БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРОВ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НИЗКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ КОНВЕРСИОННОЙ МОДЕЛИ Першенков В.С., Бакеренков А.С., Варламов С.А., Беляков В.В., Лапшинский В.А. Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2011. № 4. С. 5-12. 12. [Можно приобрести полный текст этой публикации за 300 руб.] АРХИТЕКТУРА СПЕЦИАЛИЗИРОВАННОЙ БИС СЧИТЫВАНИЯ СИГНАЛОВ МНОГОКАНАЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ Бочаров Ю.И., Гуменюк А.С., Лапшинский В.А., Осипов Д.Л., Симаков А.Б. Датчики и системы. 2008. № 10. С. 47-50. -------------------- |
VAL |
Дата 1.03.2019 17:08
|
Offline![]() Мэтр, проФАН любви... proFAN of love ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Профиль Группа: Администраторы Сообщений: 38049 Пользователь №: 1 Регистрация: 6.03.2004 ![]() |
13. [Публикация из списков цитируемой литературы] СИСТЕМА МОРФОЛОГИЧЕСКИХ ПОКАЗАТЕЛЕЙ И ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДЛЯ ОЦЕНКИ АРХИТЕКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЗУ
Алексенко А.Г., Лапшинский В.А. Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 1986. № 3. С. 52. 14. [Публикация из списков цитируемой литературы] ОЦЕНКА ЭФФЕКТИВНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЗУ С САМОКОНТРОЛЕМ Алексенко А.Г., Галкин С.Е., Лапшинский В.А. Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 1986. № 4. С. 71. 15. [Публикация из списков цитируемой литературы] ОЦЕНКА ВОЗМОЖНОСТЕЙ РЕАЛИЗАЦИИ САМОТЕСТИРУЕЫХ БИС ПАМЯТИ С САМОПРОВЕРЯЕМЫМИ СХЕМАМИ ЭЛЕКТРОННОГО ОБРАМЛЕНИЯ Галкин С.Е., Лапшинский В.А. Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 1985. № 3. С. 3 16. [Публикация из списков цитируемой литературы] ВСТРОЕННЫЙ КОНТРОЛЬ КАК МЕТОД УСКОРЕННОЙ ПРОВЕРКИ БИС ОЗУ Березин А.С., Галкин С.Е., Лапшинский В.А. Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 1983. № 1. С. 104. 17. [Публикация из списков цитируемой литературы] СТРУКТУРНО-ЛОГИЧЕСКИЕ СРЕДСТВА РЕАЛИЗАЦИИ КВАЗИСТАТИЧЕСКИХ СБИС ПАМЯТИ Алексенко А.Г., Лапшинский В.А., Онищенко Е.М. Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 1983. № 5. С. 55. 18. [Публикация из списков цитируемой литературы] РАСШИРЕНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ВОЗМОЖНОСТЕЙ СБИС ПАМЯТИ (ЕМКОСТЬЮ БОЛЕЕ 4 КБИТ) КАК МЕТОД УЛУЧШЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЗУ Алексенко А.Г., Лапшинский В.А. Микроэлектроника. 1982. Т. 2. № 6. С. 512 19. [Публикация из списков цитируемой литературы] ОСОБЕННОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ СИНХРОННО-АСИНХРОННОЙ РЕГЕНЕРАЦИИ В БИС ОЗУ НА ОСНОВЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ Лапшинский В.А., Онищенко Е.М. Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 1982. № 5. С. 97. 20. [Публикация из списков цитируемой литературы] “СУПЕРКОМПОНЕНТЫ” НА ОСНОВЕ СВЕРБОЛЬШИХ ИС ПАМЯТИ - ПЕРСПЕКТИВНАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЦИФРОВЫХ СИСТЕМ IY ПОКОЛЕНИЯ Алексенко А.Г., Лапшинский В.А. Микроэлектроника. 1980. Т. 9. № 1. С. 3. 21. [Публикация из списков цитируемой литературы] ОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРНО-ЛОГИЧЕСКОЙ РЕАЛИЗАЦИИ ПРОЦЕССОРНО-ОРИЕНТИРОВАННОЙ ОРГАНИЗАЦИИ СВЕРХБИС ПАМЯТИ Лапшинский В.А. Микроэлектроника. 1980. Т. 9. № 2. С. 169. 22.[Публикация из списков цитируемой литературы] ОЦЕНКА ЭФФЕКТИВНОСТИ БАЗОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ПАМЯТИ Алексенко А.Г., Лапшинский В.А. Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 1980. № 4. С. 3. 23. [Публикация из списков цитируемой литературы] ЭЛЕМЕНТНЫЕ И СХЕМОТЕХНИЧЕСКИЕ СРЕДСТВА РЕАЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ БИПОЛЯРНЫХ СБИС ОЗУ Лапшинский В.А. Микроэлектроника. 1979. Т. 8. № 4. С. 302. 24. [Публикация из списков цитируемой литературы] СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ, ОСОБЕННОСТИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ СВЕРХБОЛЬШИХ ИС ПАМЯТИ Алексенко А.Г., Лапшинский В.А. Зарубежная радиоэлектроника. 1979. № 12. С. 16-45. 25. [Публикация из списков цитируемой литературы] ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ С ИНЖЕКЦИОННЫМ ПИТАНИЕМ Березин А.С., Лапшинский В.А., Онищенко Е.М., Шагурин И.И. Микроэлектроника. 1978. Т. 7. № 2. С. 126. -------------------- |
![]() |
![]() ![]() ![]() |