(2001) Экситон в низкоразмерных гетероструктурах
VAL |
|
Offline

Мэтр, проФАН любви... proFAN of love
    
Профиль
Группа: Администраторы
Сообщений: 38059
Пользователь №: 1
Регистрация: 6.03.2004

|
QUOTE | ВВЕДЕНИЕ
В последнее десятилетие в физике полупроводников наметился резкий поворот интересов в сторону гетеросистем пониженной размерности. К ним относятся так называемые квантовые ямы, квантовые проволоки и квантовые точки (рис. 1), а также переходные состояния между ними. Оказалось, что, изменяя размерность и регулируя величину квантового ограничения, можно радикальным образом изменять энергетический спектр системы, что способствует не только решению фундаментальных проблем квантовой механики и физики полупроводниковых кристаллов, но и созданию совершенно новых полупроводниковых приборов (впрочем, также и оптимизации известных).
По-видимому, именно низкоразмерные гетеросистемы станут основной материальной базой микроэлектроники и оптоэлек- троники нынешнего столетия.
Появился даже термин “зонная инженерия”, подобно “генной инженерии” в биологии, для обозначения попытки искусственного создания новых материалов с заданной зонной структурой или же заданным спектром электронных энергетических уровней. |
--------------------
|
|
|
1 Пользователей читают эту тему (1 Гостей и 0 Скрытых Пользователей)
0 Пользователей: