Помощь      Поиск      Участники      Календарь      Новости
 Учебные Материалы      ВАЛтест     Фотогалерея Фотогалерея
 Правила форума      Виртуальные тренажеры      Мемуары


  Reply to this topicStart new topicStart Poll

> (2000) Экситоны перестают быть экзотическими, квазичастицами (МГУ)
VAL
Дата 15.02.2018 13:25
Quote Post
Offline



Мэтр, проФАН любви... proFAN of love
*****

Профиль
Группа: Администраторы
Сообщений: 38059
Пользователь №: 1
Регистрация: 6.03.2004





(2000) Экситоны перестают быть экзотическими квазичастицами
Источник: http://scon155.phys.msu.su/publ/excitons.pdf

Автор: Днепровский В.С.

QUOTE
Эта квазичастица, состоящая из электрона и дырки, называется экситоном Ваннье–Мотта или экситоном большого радиуса. Размеры экситона Ваннье–Мотта велики по сравнению с периодом решетки твердого тела. Именно это обстоятельство позволяет с хорошим приближением рассматривать взаимодействие между электроном и дыркой как кулоновское взаимодействие двух точечных зарядов, ослабленное в ε раз, где ε – статическая диэлектрическая проницаемость кристалла.


QUOTE
Итак, два обстоятельства препятствуют созданию полупроводниковых приборов, работающих на экситонных переходах: 1) малая энергия связи экситонов и распад экситонов при комнатной температуре для большинства полупроводников, 2) малый вклад экситонных состояний в оптические константы полупроводников (малы силы осцилляторов экситонных переходов) из-за больших значений экситонного радиуса.
Какие пути позволяют преодолеть эти ограничения?


--------------------
www.valinfo.ru
Всегда... Always....
Quod licet jovi, non licet bovi!
PMEmail PosterUsers Website
Top
VAL
Дата 25.02.2018 08:19
Quote Post
Offline



Мэтр, проФАН любви... proFAN of love
*****

Профиль
Группа: Администраторы
Сообщений: 38059
Пользователь №: 1
Регистрация: 6.03.2004





QUOTE
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Развитые за последние 20 лет новые технологические методы получения полупроводниковых слоев толщиной в несколько десятков периодов кристаллической решетки с точностью до одного периода и прецизионных полупроводниковых нитей с поперечными размерами в несколько десятков нанометров позволили получить дву- и одномерные наноструктуры, основные физические свойства которых определяются экситонными состояниями. В отличие от объемных полупроводников с малой энергией связи экситонов, в которых экситонные состояния в основном проявляются при особых условиях, в частности при глубоком охлаждении образцов, в дву- и одномерных структурах экситонные состояния хорошо выражены при комнатной температуре. Меняя размеры наноструктур можно изменять энергию связи и другие параметры экситонов заданным образом – осуществлять инженерию экситонов в низкоразмерных структурах и создавать приборы, действие которых обусловлено физическими процессами, в которых доминирующую роль играют экситоны.

QUOTE
Новые возможности управления свойствами экситонов появляются в структурах полупроводник–диэлектрик за счет изменения кулоновского взаимодействия между электроном и дыркой (управления эффектом диэлектрического усиления экситонов). Однако на пути создания наноструктур полупроводник–диэлектрик и приборов на их основе следует преодолеть технологические трудности по получению окруженных диэлектриком тонких полупроводниковых слоев с однородной толщиной и нитей с малой дисперсией поперечных размеров.


--------------------
www.valinfo.ru
Всегда... Always....
Quod licet jovi, non licet bovi!
PMEmail PosterUsers Website
Top
VAL
Дата 10.11.2019 20:26
Quote Post
Offline



Мэтр, проФАН любви... proFAN of love
*****

Профиль
Группа: Администраторы
Сообщений: 38059
Пользователь №: 1
Регистрация: 6.03.2004





:doh:


--------------------
www.valinfo.ru
Всегда... Always....
Quod licet jovi, non licet bovi!
PMEmail PosterUsers Website
Top
1 Пользователей читают эту тему (1 Гостей и 0 Скрытых Пользователей)
0 Пользователей:

Topic Options Reply to this topicStart new topicStart Poll