(2012) Закон масштабирования Деннарда
VAL |
|
Offline

Мэтр, проФАН любви... proFAN of love
    
Профиль
Группа: Администраторы
Сообщений: 38049
Пользователь №: 1
Регистрация: 6.03.2004

|
Закон масштабирования ДеннардаИсточник: http://www.osp.ru/os/2012/02/13014110/ - ж. «Открытые системы», № 02, 2012 QUOTE | Трудно представить себе, что кто-то не знает о существовании закона Мура, но столь же маловероятно, что кому-то известна роль Роберта Деннарда и открытого им закона масштабирования, объясняющего закон Мура. |
QUOTE | Роберт Деннард соотнес масштабирование с производительностью, и если Гордон Мур задал вектор для развития полупроводниковой индустрии, то Деннард объяснил, каким именно способом следует двигаться в его направлении |
--------------------
|
|
|
VAL |
|
Offline

Мэтр, проФАН любви... proFAN of love
    
Профиль
Группа: Администраторы
Сообщений: 38049
Пользователь №: 1
Регистрация: 6.03.2004

|
QUOTE | Все эти ускорения и уменьшения стали возможны за счет явления, получившего название «масштабирование», которое придает компьютерным технологиям уникальные качества, отличающие их от всех остальных, позволяя варьировать показатели в самых широких диапазонах, причем не в разы, как бывает в авиации или машиностроении, а на порядки. Можно говорить о двух уровнях масштабирования — микро и макро. Микроуровень, или миниатюризацию полупроводников, обычно связывают с законом Мура, а точнее, следует говорить о масштабировании по Деннарду (MOSFET scaling by R. Dennard), а макроуровень — это наращивание мощности систем. |
QUOTE | Сам Деннард, несмотря на свои достижения, никогда не стремился к публичности и уже более 50 лет бессменно работает в IBM, набрав за это время на свой счет немало изобретений и открытий, самое известное из которых было сделано им в 1968 году — это изобретение динамической памяти с произвольным доступом (Dynamic Random Access Memory, DRAM). Работая над полевыми транзисторами MOSFET (Metal — Oxide — Semiconductor Field Effect Transistor) и структурами MOS (Metal — Oxide — Semiconductor), Деннард вывел условие, необходимое для соблюдения закона Мура. Суть открытия в том, что если удерживать постоянным значение напряженности электрического поля при уменьшении размеров транзистора, то параметры производительности улучшаются. Это значит, что если, например, сократить длину затвора в n раз и одновременно во столько же раз понизить рабочее напряжение (значение напряженности при этом не изменится), время задержки логического элемента также уменьшится в n раз. Отсюда и жесткая зависимость производительности от размеров элементов интегральных микросхем. Масштабирование MOSFET называют двигателем технологий больших интегральных схем (VLSI).
Теория масштабирования впервые была изложена в статье «Проектирование МОП-структур с ионной имплантацией и очень малыми физическими размерностями» (“Design of Ion-Implanted MOSFET’s with Very Small Physical Dimensions”), опубликованной в 1974 году. Статья заслужила имя собственное — ее называют Scaling Paper (статья о масштабировании), а ее появлению предшествовало десятилетие активных исследований, в результате которых биполярные точечные транзисторы со структурами обратной проводимости (n-p-n) и структурами прямой проводимости (p-n-p), изобретенные еще в 1947 году, уступили место полевым транзисторам с p-n переходом и изолированным затвором (MOSFET). |
--------------------
|
|
|
1 Пользователей читают эту тему (1 Гостей и 0 Скрытых Пользователей)
0 Пользователей: