Offline
Мэтр, проФАН любви... proFAN of love
Профиль
Группа: Администраторы
Сообщений: 37816
Пользователь №: 1
Регистрация: 6.03.2004
|
K юбилею каф. №27. В ж. Датчики и системы, 2015 г. №1. Преамбула
| QUOTE | Первая в СССР кафедра микроэлектроники была создана пятьдесят лет назад в Московском инженерно-физическом институте (сегодня НИЯУ МИФИ), в то время, когда в США и СССР начали осваивать серийный выпуск первых интегральных микросхем (ИМС). Со дня основания до 1982 года возглавлял кафедру профессор И.П. Степаненко, затем – профессор А.В. Шальнов и с 1997 года – профессор В.С. Першенков. В становлении и развитии научно-учебного процесса принимали участия специалисты электронной промышленности Б.В. Малин (один из разработчиков первой отечественной ИМС), А.Г.Алексенко (ведущий специалист космического приборостроения), K.А.Валиев и А.А. Орликовский (ныне академики).
На кафедре была создана технологическая лаборатория, оснащённая оборудованием, обеспечивающим основные процессы изготовления гибридных и полупроводниковых ИМС. афедра не могла и не должна была заниматься непосредственно производством ИМС, т.е. решать задачи быстро развивающейся электронной промышленности. Главная задача была подготовка квалифицированных специалистов-микроэлектронщиков для отраслевых НИИ и промышленных предприятий оборонного комплекса. Многие научные направления кафедры носили поисковый характер (варакторная и тиристорная микроэлектроника, освоение МЭМС-технологий, диоды Ганна, фотоприёмные матрицы, биомедицинские интегральные датчики, приборы и микросистемы).
В те годы МИФИ располагал собственной научно-исследовательской базой (ядерны-ми установками, ускорителями заряженных частиц и другими источниками ионизирую-щих излучений) для экспериментального исследования действия радиации на элементы и компоненты электронной аппаратуры. Учитывая такие возможности, исследования влия-ния различных видов радиации на ИМС стало одним из основных научных направлений кафедры с 1966-го года по сегодняшний день.
С начала 1970-х годов на кафедре микроэлектроники МИФИ стали разрабатываться первые в СССР кремниевые интегральные датчики давления и ускорения на основе МЭМС-технологий, что стало началом нового для кафедры научного направления – дат-чики на основе микротехнологий. Сотрудниками кафедры были разработаны фотоприём-ные матрицы, интегральные датчики индукции магнитного поля, концентрации ионов в растворах электролитов, концентраций водородсодержащих газов, мультимикроэлектро-ды и активные биоэлектроды, фотоплетизмографические датчики.
Другими важными научными направлениями кафедры с 1970-х годов стали разработ-ки и применения ИМС памяти, АЦП, микропроцессоров, микроконтроллеров, цифровых процессоров обработки сигналов в специализированных электронных системах ядерного, космического и медицинского приборостроения.
В последние годы помимо перечисленных научных направлений важными являются разработки портативных приборов и систем для оценки α-радиактивности среды, малых концентраций взрывчатых и наркотических веществ, а также токсичных и взрывоопасных газов, измерения дозы электромагнитного излучения, поглощенной человеком.
Большой вклад в развитие новых научных направлений внесли Л.Н. Патрикеев, И.И. Шагурин, В.С. Першенков, В.Д. Попов, О.Р. Мочалкина, В.И. Ваганов, В.И. Старосельский, А.С. Березин, Е.М. Онищенко, В.А. Лапшинский, Б.И. Подлепецкий, Ю.А. Воронов, А.Б. Симаков, Ю.И. Бочаров, В.В. Беляков, Г.И. Зебрев.
Сотрудники кафедры регулярно принимают активное участие в международных конференциях таких, как EUROSENSORS, IMCS(International Meeting on Chemical Sensors), NSREC (Nuclear and Space Radiation Effects Conference), RADECS (Radiation and its Effects on Components and Systems). афедра подготовила более 1500 специалистов на дневном и вечернем факультетах, факультетах переподготовки специалистов и повышения квалифи-кации НИЯУ МИФИ, большинство из которых работают в ведущих академических и от-раслевых НИИ и предприятиях.
В данном выпуске журнала «Датчики и системы» представлена подборка статей со-трудников и выпускников кафедры микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ, посвящённых исследованиям характеристик микроэлектронных датчиков, приборов и систем. |
Это сообщение отредактировал VAL - 15.02.2024 11:58
--------------------
|
(2015) K юбилею каф. №27. Ж. Датчики и системы, 2015 г. №1. Преамбула журнала
Помощь
Поиск
Участники
Календарь
Фотогалерея
Студенческий форум -> Студенческие форумы НИЯУ МИФИ -> Кафедра Микро- и наноэлектроники МИФИ -> К 50-летию каф. микро- и наноэлектроники МИФИ
