Студенческий форум -> История электроники. Каф. №27 МИФИ и вехи в её

Помощь

Поиск

Участники

Календарь

Новости

Учебные Материалы

ВАЛтест

Фотогалерея

Правила форума

Виртуальные тренажеры

Мемуары

Здравствуйте Гость ( Вход | Регистрация )

Выслать повторно письмо для активации

Студенческий форум -> Студенческие форумы НИЯУ МИФИ -> Кафедра Микро- и наноэлектроники МИФИ

История электроники. Каф. №27 МИФИ и вехи в её, истории

Подписка на тему | Сообщить другу | Версия для печати

VAL	Дата 15.01.2014 20:11
Offline Мэтр, проФАН любви... proFAN of love Профиль Группа: Администраторы Сообщений: 37820 Пользователь №: 1 Регистрация: 6.03.2004	История электроники и микроэлектроники и и вехи в истории каф. №27 Занятия в Московском механическом институте боеприпасов (ММИБ) начались 1 января 1943 года [1]. Упоминаний в [1] о том, что в этом институте научат использовать электронику в боеприпасах я не нашел. А факультеты в ММИБ были такие: - Трубок и взрывателей (№1); - Снарядов, мин, авиабомб (№2); - Патронов и гильз (№3). Между тем в Википедии [2] говорится о разработках самонаводящейся противокорабельной планирующей бомбе с полуактивным радиолокационным наведением в рамках программы SWOD ВМФ США во Второй Мировой Войне. Эта бомба успешно прошла испытания в 1943 году. Любопытно (Википедия поясняет, что формально), бомба «Пеликан» с голубем в качестве головки самонаведения, может считаться первым киборгом, разработанным для применения в боевых целях. Литература 1. Попов В.Д. Ровесники. Книга первая.1942-1962. – М.МИФИ, 2002. – 240 с. 2. http://ru.wikipedia.org/wiki/SWOD_Mk-7_Pelican - SWOD Mk-7 «Пеликан» (англ. Pelican — Пеликан) — самонаводящаяся противокорабельная планирующая бомба с полуактивным радиолокационным наведением. 3. http://mephi.ru/about/faculty/Automation_a...ir3/history.php - история кафедры электроники (№3) МИФИ. 4. Патрикеев Л.Н. Поэзия и проза инженерного и педагогического труда. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. - 175 с. 5. Электроника — статья из Большой советской энциклопедии 6. http://mephi.ru/about/faculty/Automation_a...r27/history.php - История кафедры №27 на официальном сайте НИЯУ МИФИ -------------------- www.valinfo.ru Всегда... Always.... Quod licet jovi, non licet bovi!

VAL

Дата 15.01.2014 20:20

Offline

Мэтр, проФАН любви... proFAN of love

Профиль
Группа: Администраторы
Сообщений: 37820
Пользователь №: 1
Регистрация: 6.03.2004

В январе 1945 г. ММИБ был переименован в Московский механический институт. Прошла и реорганизация факультетов. Теперь это были такие факультеты [1]:
- Механико-технологический;
- Конструкторский;
- Точной механики.

Учиться нужно было 5,5 лет. Появились кафедры электротехники и приборостроения. Это было уже к электронике как-то ближе.

Если судить по официальной информации [3], то кафедра электроники создана в 1949 году. Первым заведующим кафедрой был Соколов А.А. В 1951 году кафедра значительно укрупняется, в нее вливаются сотрудники МЭИ, МВТУ, заведующим кафедрой становится Анисимов Б.В. С 1952 по 1955 год и с 1956 по 1964 год заведовал кафедрой профессор Степаненко И.П.

А в конце января 1965 года и.о. обязанности министра высшего и среднего образования РСФСР С. Никишов подписал приказ №72 об организации с 1 февраля в МИФИ кафедры микроэлектроники. Появилась, наконец-то, в МИФИ и она. Основателем кафедры №27 стал профессор Степаненко И.П., который оставил каф. №3 Т.М. Агаханяну [4]. Профессор Агаханян возглавлял каф. №3 вплоть до 1991 г., а профессор Степаненко каф. №27 до 1982 г.

Считается, что эта кафедра является самой первой микроэлектронной кафедрой в вузах СССР.

На официальном сайте МИФИ [6] история кафедры сейчас выглядит таким образом:

QUOTE

МИФИ - первый вуз в Советском Союзе, который начал подготовку специалистов в области микроэлектроники.

Заведующий кафедрой c 1997 года, доктор технических наук профессор В.С. Першенков.

В 1962 г. по заказу редакции журнала "Радиотехника" И.П.Степаненко и Л.Н.Патрикеев опубликовали в нем обзор "Современное состояние и перспективы развития микроэлектроники". В августе того же года ЦК КПСС и Совет Министров СССР принял постановление N 831-353 о создании в г. Зеленограде Центра микроэлектроники и об открытии в 11 ведущих вузах страны Проблемных лабораторий микроэлектроники. В число этих вузов был включен и МИФИ. Научное руководство лабораторией было поручено И.П.Степаненко.

Более 5 лет на кафедре микроэлектроники МИФИ работают учебно-методические центры по разработке микропроцессорных систем, оборудованные компаниями Motorola и Cadence.

Фундаментальные результаты работ проблемной лаборатории в первые же годы ее деятельности - теория приборов с S-образной характеристикой, разработка элементов памяти на полевых транзисторах, разработка универсальной варакторной схемотехники - позволили укрепить авторитет МИФИ. Не случайно, что именно в МИФИ 1 февраля 1965г. была приказом Минвуза организована первая в стране кафедра микроэлектроники.

В организации подготовки специалистов на этой новой кафедре приняли участие: И.П. Сте-паненко (зав. кафедрой), Патрикеев Л.Н. (зам по учебной и научной работе), Кузьмин В.А., Рогачева О.И., Родионов Ю.П., Абриташина И.А., зав. лабораториями - Окороков В.Г., секретарь - Шенина Р.В.

Сотрудниками и учащимися кафедры проводятся разработки по проекту АТЛАС в рамках образовательного центра на базе CRDF и Минобразования РФ.

В формировании общего подхода и подготовке специалистов, интегрирующего обучение по трем основным составляющим - физике, схемотехнике и технологии - активно участвовали : Моин И.И., Ройзин Н.М., Малин Б.В., Алексенко А.Г., Арутюнов П.А., Тимофеев В.Ю., Гусев К.Т., Кириллов-Угрюмов В.Г.

В закладке фундамента новой специальности непосредственно участвовали Мочалкина О.Р., Шагурин И.И., Самохвалов М.М., Спасский Р.Д., Ваганов В.К., Лебедев В.И., Першенков В.С., Тарасов В.И., Старосельский В.Н., Воронкова Г.М., Ожогин М.А., Зайцев Б.Д., Большов В.И.

На кафедре организован институт изучения поведения микроэлектронных и биологических систем в космосе, возглавляемый лётчиком-космонавтом С.В. Авдеевым, выпускником МИФИ.

Сочетание - фундаментальности и равноценной теоретико-практической освоенности всех составляющих микроэлектроники и сегодня составляют особенность подготовки выпускников кафедры микроэлектроники МИФИ. Первый выпуск на кафедре микроэлектроники состоялся в 1967 г. Выпускников было 13: Горулько Ю., Житнов Ю., Жеребцов А., Князев И., Костюк И., Коротков В., Кузнецов В., Кузьмин В., Мочкин В., Мазуров Ю., Андрейчук В, Суполенов А., Чивиль В.

Одним из фундаментальных результатов деятельности кафедры является выпуск учебной трилогии "Основы микроэлектроники" Степаненко И.П., "Технология и конструирование интегральных микросхем" Мочалкиной О.Р. и Березина А.С. и "Микросхемотехника" Алексенко А.Г. и Шагурина И.И. под общей редакцией И.П. Степаненко.

В начале 1967 года на кафедре Микроэлектроники МИФИ основано научное направление "Радиационная стойкость МОП интегральных микросхем". Тестовые структуры изготавливались в технологической лаборатории кафедры, а исследование радиационных эффектов Поповым В.Д. проводилось в Курчатовском институте (в лаборатории Ухина Николая Андреевича – родоначальника исследований радиационных эффектов в полупроводниковых приборах в нашей стране).

С марта 1968 года и до настоящего времени экспериментальные исследования радиационных эффектов в МОП приборах и интегральных схемах на их основе проводятся на реакторе ИРТ МИФИ.

В 1976 году на кафедре Микроэлектроники МИФИ была организована отраслевая лаборатория ОНИЛ-727 при главном научно-техническом управлении Министерства электронной промышленности СССР. Научная группа вошла в состав этой лаборатории, которая просуществовала до 1993 года.

В 70-е годы и в начале 80-х годов прошлого века в результате научной работы на кафедре микроэлектроники в теоретическом плане:
- уточнена модель процесса накопления заряда в подзатворном диэлектрике МОП структуры при воздействии ионизирующего излучения [1];
- разработана теория процесса образования поверхностных состояний при облучении МОП структур [2];
- впервые показана связь радиационных эффектов в планарных приборах с механическими напряжениями в них [3].

С конца 80-х годов прошлого века сформировались два основных направления научных исследований:
- применение радиационно-термической обработки МОП интегральных микросхем для отбраковки образцов с аномально низкой радиационной стойкостью;
- исследование особенности низкоинтенсивного радиационного воздействия на МОП интегральные микросхемы (так называемого "эффекта низкой интенсивности").
Результаты работ по применению радиационно-термической обработки МОП интегральных микросхем на пластине в процессе серийного производства дали прекрасный результат – повысился процент выхода годных изделий и их надежность [4] .

Кроме того, радиационно-термическая обработка явилась мощным средством диагностики технологического процесса производства МОП интегральных микросхем. Эти исследования показали, что правильно примененное радиационное воздействие может улучшить характеристики МОП интегральных микросхем [5]. Результаты исследований эффекта низкой интенсивности показали основную роль эмиссии в диэлектрик горячих электронов, образующихся при ионизации в материалах полупроводника и затвора МОП структур [6,7].

В середине 90-х годов начаты работы по разработке "надежностного" подхода к определению радиационной стойкости и исследованию влияния радиации на надежность интегральных микросхем. Результатами этих исследований являются подходы:
- к определению интенсивности радиационных отказов [8];
- к оценке вероятности безотказной работы интегральных микросхем в условиях действия низкоинтенсивного ионизирующего излучения космического пространства [9,10];
- к объяснению сущности "пострадиационного эффекта" – отказа микросхем через некоторое время после облучеия ионизирующим излучением [11];
- к определению коэффициента влияния радиации на интенсивность отказов интегральных микросхем [12].

Литература
1. Попов В.Д. Методы расчета заряда в объеме диэлектрика МДП-структуры по ее вольт-фарадной характеристике. //Микроэлектроника. 1973. Том 2. Вып.4. С.353-360.
2. Попов В.Д., Ройзин Н.М. Роль ионизации в образовании поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник. //Микроэлектроника. 1973. Том 2. Вып.6. С.560-564.
3. Тензорадиационный эффект в полупроводниковых структурах./Л.Н. Линник, Л.Н. Патрикеев, В.Д. Попов, Н.М. Ройзин // Известия ВУЗов - Радиоэлектроника. 1982.Том XXV. №5. С.90-92
4. Попов В.Д., Катеринич И.И., Курин Ф.М. Радиационная технология: уникальные возможности в производстве МОП-интегральных схем. – Chip News. 1997. №3(12). С. 20-22/
5. Катеринич И., Попов В. Метод диагностики технологического процесса изготовления МОП ИС с использованием радиационно-термических процессов. // Chip News. 2003. №7(80). С.50-53/
6. Влияние мощности дозы ионизирующего излучения на параметры транзисторов в КМОП ИС. / В.А.Болисов, В.И.Верхотуров, В.Д.Попов, А.В.Сизов //Электронная техника. Сер.8. 1991. Вып.5(147). С.60-62
7. Popov V.D. A simple model for radiation response of complementary metal-oxide-semiconductor integrated circuits exposed to ionizing cosmic rays. // Radiation Measurements. 1996. Vol.26. No 3. P.497-501.
8. Катеринич И.И., Попов В.Д. Определение интенсивности радиационно-стимулированных отказов интегральных схем. Микроэлектроника. 1997. Том 26. №1. С.25-27.
9. Prediction of integrated circuit serviceability in space radiation fields./ N.M. Khamidullina, N.V. Kuznetsov, K.M. Pichkhadze, V.D. Popov // Radiation Measurements. 1999. Vol.30. P.633-638 и
10. Попов В.Д. Метод прогнозирования времени нормального функционирования интегральных микросхем при низкоинтенсивном (Р<0,1 рад/с) облучении. //Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Научно-технический сб. Вып. 4. – М.: ЦНИИАтом-информ, 2002. С.91-92.
11. Попов В.Д. Пострадиационный эффект в ИС. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2002. №4. С.36-39.
12. Попов В.Д. Учет влияния радиационного воздействия на надежность интегральных микросхем. // Технология приборостроения. 2002. №3. С.59-67.

--------------------

www.valinfo.ru
Всегда... Always....
Quod licet jovi, non licet bovi!

VAL

Дата 15.01.2014 20:43

Offline

Мэтр, проФАН любви... proFAN of love

Профиль
Группа: Администраторы
Сообщений: 37820
Пользователь №: 1
Регистрация: 6.03.2004

Так какой же была электроника во время войны? Как, когда и почему появилась микроэлектроника? Насколько новая кафедра в МИФИ соответствовала современному состоянию электроники в СССР и в мире? Попробуем в этом разобраться.

Для начала следует опеделиться с термином "электроника". Википедия определяет электронику так:
Электро́ника (от греч. Ηλεκτρόνιο — электрон) — наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями и методах создания электронных приборов и устройств для преобразования электромагнитной энергии, в основном для приёма, передачи, обработки и хранения информации[5].

Основными вехами в развитии электроники можно считать (см. сюда):

QUOTE

- изобретения А. С. Поповым радио (7 мая 1895 года), и начало использования радиоприёмников,
- изобретение Ли де Форестом лампового триода, первого усилительного элемента,
- использование Лосевым полупроводникового элемента для усиления и генерации электрических сигналов,
- развитие твердотельной электроники,
- использование проводниковых и полупроводниковых элементов (работы Иоффе, Шотки),
- изобретение в 1947 году транзистора (Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн),
- создание интегральной микросхемы и последующее развитие микроэлектроники, основной области современной электроники.

В этой же статье можно найти информацию о различных типах электронных приборов и устройств.

--------------------

www.valinfo.ru
Всегда... Always....
Quod licet jovi, non licet bovi!

VAL

Дата 15.01.2014 21:28

Offline

Мэтр, проФАН любви... proFAN of love

Профиль
Группа: Администраторы
Сообщений: 37820
Пользователь №: 1
Регистрация: 6.03.2004

В микроэлектронике особое значение имеет изобретение интегральных микросхем (см. сюда):

QUOTE

7 мая 1952 года британский радиотехник Джеффри Даммер (англ. Geoffrey Dummer) впервые выдвинул идею интеграции множества стандартных электронных компонентов в монолитном кристалле полупроводника, а год спустя Харвик Джонсон подал первую в истории патентную заявку на прототип интегральной схемы (ИС). Реализация этих предложений в те годы не могла состояться из-за недостаточного развития технологий.

В конце 1958 года и в первой половине 1959 года в полупроводниковой промышленности состоялся прорыв. Три человека, представлявшие три частные американские корпорации, решили три фундаментальные проблемы, препятствовавшие созданию интегральных схем. Джек Килби из Texas Instruments запатентовал принцип интеграции, создал первые, несовершенные, прототипы ИС и довёл их до серийного выпуска. Курт Леговец из Sprague Electric Company изобрёл способ электрической изоляции компонентов, сформированных на одном кристалле полупроводника (изоляцию p-n-переходом (англ. P–n junction isolation)). Роберт Нойс из Fairchild Semiconductor изобрёл способ электрического соединения компонентов ИС (металлизацию алюминием) и предложил усовершенствованный вариант изоляции компонентов на базе новейшей планарной технологии Жана Эрни (англ. Jean Hoerni). 27 сентября 1960 года группа Джея Ласта (англ. Jay Last) создала на Fairchild Semiconductor первую работоспособную полупроводниковую ИС по идеям Нойса и Эрни. Texas Instruments, владевшая патентом на изобретение Килби, развязала против конкурентов патентную войну, завершившуюся в 1966 году мировым соглашением о перекрёстном лицензировании технологий.

QUOTE

Первая в СССР полупроводниковая интегральная микросхема была создана на основе планарной технологии, разработанной в начале 1960 года в НИИ-35 (затем переименован в НИИ «Пульсар») коллективом, который в дальнейшем был переведён в НИИМЭ («Микрон»). Создание первой отечественной кремниевой интегральной схемы было сконцентрировано на разработке и производстве с военной приёмкой серии интегральных кремниевых схем ТС-100 (37 элементов — эквивалент схемотехнической сложности триггера, аналога американских ИС серии SN-51 фирмы Texas Instruments). Образцы-прототипы и производственные образцы кремниевых интегральных схем для воспроизводства были получены из США. Работы проводились в НИИ-35 (директор Трутко) и Фрязинским полупроводниковым заводом (директор Колмогоров) по оборонному заказу для использования в автономном высотомере системы наведения баллистической ракеты. Разработка включала шесть типовых интегральных кремниевых планарных схем серии ТС-100 и с организацией опытного производства заняла в НИИ-35 три года (с 1962 по 1965 год). Ещё два года ушло на освоение заводского производства с военной приёмкой во Фрязино (1967 год)

.

Правда, есть и иная версия приоритета по созданию ИМС в СССР - см. сюда!

--------------------

www.valinfo.ru
Всегда... Always....
Quod licet jovi, non licet bovi!

VAL	Дата 30.03.2023 13:45
Offline Мэтр, проФАН любви... proFAN of love Профиль Группа: Администраторы Сообщений: 37820 Пользователь №: 1 Регистрация: 6.03.2004	:doh: -------------------- www.valinfo.ru Всегда... Always.... Quod licet jovi, non licet bovi!

0 Пользователей читают эту тему (0 Гостей и 0 Скрытых Пользователей)

0 Пользователей:

« Предыдущая тема | Кафедра Микро- и наноэлектроники МИФИ | Следующая тема »

Powered by Invision Power Board(U) v1.3 Final © 2003 IPS, Inc.
Установка, модификация и поддержка:
Barsum | 1px Design Group & Xac | OппаRU форум