
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
![]() ![]() ![]() |
![]() ![]() ![]() |
Здравствуйте Гость ( Вход | Регистрация ) | Выслать повторно письмо для активации |
![]() ![]() ![]() |
VAL |
Дата 23.05.2010 18:49
|
Offline![]() Мэтр, проФАН любви... proFAN of love ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Профиль Группа: Администраторы Сообщений: 38049 Пользователь №: 1 Регистрация: 6.03.2004 ![]() |
Баллистический транспорт зарядов
в "Азбуке наноэлектроники" Поведение подвижных носителей заряда (электронов и дырок) наноразмерных структурах определяют три группы фундаметальных явлений: квантовое ограничение, баллистический транспорт и квантовая интерференция, а также туннелирование. Все эти эффекты имеют кватово-механический характер. Транспорт зарядов может происходить как параллельно, так и перпендикулярно потенциальным барьерам. В случае параллельного движения доминирующим оказывается баллистический транспорт и квантовая интерференция. При движении электрона он может сталкиваться с другими электронами либо рассеиваться на колебаниях решетки твердого тела, ее дефектах либо на границах раздела материалов. При этом он неизбежно меняет свое состояние. Среднее расстояние между последовательными событиями рассеивания называется длиной свободного пробега. В наноструктурах все существенно отличается от макросистем, поскольку движение зарядов происходит без рассеивания. Такой перенос зарядов называется баллистическим. Таким образом, в наноэлектронике длина свободного пробега электрона (табл.1.1.)…. 1. Богданов К.Ю. Что могут нанотехнологии? (для старшего школьного возраста) / серия «Все это НАНО». – М.: Просвещение, 2009. – 96 с. 2. Наноэлектроника/ В.Е. Борисенко, А.И. Воробьева, Е.А. Уткина. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009 г., 223 с. Присоединённое изображение ![]() -------------------- |
VAL |
Дата 23.05.2010 18:55
|
||
Offline![]() Мэтр, проФАН любви... proFAN of love ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Профиль Группа: Администраторы Сообщений: 38049 Пользователь №: 1 Регистрация: 6.03.2004 ![]() |
В присланном мне варианте понятие интепретируется несколько иначе... :1eye: Цитирую:
Классно! :doh: ЗЫ. Отдыхаю, сочиняю анекдот про профессора, который принимает в МИФИ у студента экзамен по наноэлектронике и задает свой первый вопрос, глядя в билет: - Батенька, не разъясните мне, что означает баллистический перенос зарадов? Студент: - Баллистический перенос зарядов? Ну, наиболее существенной чертой... (далее см. приведенную цитату! :gathering: -------------------- |
||
horror |
Дата 23.05.2010 20:51
|
Offline![]() Первокурсник ![]() Профиль Группа: Гость Сообщений: 25 Пользователь №: 8403 Регистрация: 18.02.2010 ![]() |
все исправил,диск перезаписал ,думаю теперь все будет ОК
-------------------- Жизнь за жизнь
|
VAL |
Дата 23.05.2010 21:33
|
Offline![]() Мэтр, проФАН любви... proFAN of love ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Профиль Группа: Администраторы Сообщений: 38049 Пользователь №: 1 Регистрация: 6.03.2004 ![]() |
horror
ОК! Подарите мне, пожалуйста, оба диска.... :doh: Первый будет раритетом в музей "Парадоксов наноэлектроники". Название экспоната "Баллистический перенос...." в виде модели размером Х*Y*Z нм3, где в качестве постамента используется именно ваш знаменитый диск! :) -------------------- |
![]() |
![]() ![]() ![]() |