Помощь      Поиск      Участники      Календарь      Новости
 Учебные Материалы      ВАЛтест     Фотогалерея Фотогалерея
 Правила форума      Виртуальные тренажеры      Мемуары


  Closed TopicStart new topicStart Poll

> Память: избранная библиография (верс. 2014 г.), коллекция от ВАЛа
VAL
Дата 16.09.2014 11:07
Quote Post
Offline



Мэтр, проФАН любви... proFAN of love
*****

Профиль
Группа: Администраторы
Сообщений: 37771
Пользователь №: 1
Регистрация: 6.03.2004





Память: избранная библиография преподавателя (коллекция от ВАЛа)

В том числе источники для статьи (верс. 1.0)
Лапшинский В.А. На пути к «умной» и «разумной» памяти и жизнь систем памяти на кромке хаоса

Публикации 70-х годов
1. Алексенко А.Г., Онищенко Е.М. Современное состояние и тенденции развития быстродействующих интегральных схем оперативных запоминающих устройств на биполярных транзисторах // Микроэлектроника. Под ред. А.А. Васенкова. – 1974. – Вып. 7. – с. 170-187.
2. Онищенко Е.М. Схемотехника периферийных цепей БИС памяти на биполярных транзисторах // Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Под ред. А.А. Васенкова и Я.А. Федотова. – 1976. – Вып. 1. – с. 123-133.
3. Березин А.С. Кимарский В.И. Кузовлев Ю.И. и др. Использование элементов памяти с инжекционным питанием в субсистемах малой емкости // Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Под ред. А.А. Васенкова и Я.А. Федотова. – 1976. – Вып. 1. – с. 144-147.
4. Березин А.С., Кимарский В.И. Онищенко Е.М. и др. Исследование запоминающих элементов на основе p-n-p-n-структур с помощью ЭВМ // Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Под ред. А.А. Васенкова и Я.А. Федотова. – 1976. – Вып. 1. – с. 148-153.
5. Березин А.С., Онищенко Е.М., Лапшинский В.А. и др. Высокоэффективная биполярная БИС памяти емкостью 256 бит // Сб. научн. Трудов МИЭТ «Проектирование и полупроводниковых интегральных схем и полупроводниковых запоминающих устройств. – М.: МИЭТ, 1977. – Вып. – с. 29-35.
6. Березин А.С., Лапшинский В.А., Онищенко Е.М. Биполярные динамические элементы памяти // Известия вузов МВ и ССО СССР «Радиоэлектроника». – Киев: Изд. Киевского политехн. и-та, 1978. – Том XXI, №12. – с.29-36.
7. Березин А.С., Лапшинский В.А., Онищенко Е.М., Шагурин И.И. Запоминающий элемент с инжекционным питанием // Микроэлектроника. – 1978. – Том 7, вып. 2 – с. 126-132.
8. Березин А.С., Онищенко Е.М. Лапшинский В.А. и др. Высокоэффективная биполярная БИС памяти емкостью 256 бит // Программа VIII Всесоюзной конференции по микроэлектронике. – М.: МИЭТ. – 1978. – с.4.
9. Лапшинский В.А. Элементные и схемотехнические средства реализации полупроводниковых биполярных СБИС ОЗУ // Микроэлектроника. АН СССР – М.: Наука, 1979. – Том 8, вып. 4. – с. 302-311.
10. Алексенко А.Г., Лапшинский В.А. Современное состояние, особенности проектирования перспективы развития сверхбольших ИС памяти // Зарубежная радиоэлектроника. – М.: Радио и связь, 1979. – №12. – с.16-43.
11. Лапшинский В.А. Расширение функциональных возможностей СБИС памяти // Сб. тез. докл. XXVIII научно-технической конференции МИФИ, 1979. – с. 34

Публикации 80-х годов
12. Алексенко А.Г., Лапшинский В.А. «Суперкомпоненты» на основе свербольших ИС памяти – перспективная элементная база цифровых систем IY поколения // Микроэлектроника. АН СССР – М.: Наука, 1980. – Том 9, вып. 1. – с. 3-14.
13. Лапшинский В.А. Особенности структурно-логической реализации процессорно-ориентированной организации сверБИС памяти // Микроэлектроника. АН СССР – М.: Наука, 1980. – Том 9, вып. 2. – с. 169-182.
14. Алексенко А.Г., Лапшинский В.А. Оценка эффективности базовых кристаллов памяти // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. – 1980. – Вып. 4. – с. 3-8.
15. Лапшинский В.А. Анализ эффективности структурной организации сверхбольших ИС памяти методами теории массового обслуживания // Программа IX Всесоюзной научно-технической конференции по микроэлектронике. – Казань. – 1980. – с.16.
16. Лапшинский В.А. Способ регенерации информации в ОЗУ на основе динамических БИС памяти // Микроэлектроника. АН СССР – М.: Наука, 1981. – Том 10, вып. 3. – с. 258-260.
17. Алексенко А.Г., Лапшинский В.А. Расширение функциональных возможностей СБИС памяти (емкостью более 4 Кбит) как метод улучшения параметров полупроводниковых ЗУ // Микроэлектроника. АН СССР – М.: Наука, 1982. – Том 2, вып. 6. – с. 512-519.
18. Лапшинский В.А., Онищенко Е.М. Особенности реализации синхронно-асинхронной регенерации в БИС ОЗУ на основе динамических элементов памяти // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. – 1982. – Вып. 5. – с. 97-105.
19. Лапшинский В.А. Расширение функциональных возможностей СБИС памяти – новое направление в области совершенствования полупроводниковых ЗУ // Всесоюзная научно-техническая конференция «Развитие теории и техники хранения информации. Сб. тезисов докладов. – Пенза. – 1983. – с. 79-80.
20. Галкин С.Е., Лапшинский В.А. Анализ перспектив реализации СБИС ОЗУ с функциональной возможностью самоконтроля // Всесоюзная научно-техническая конференция «Развитие теории и техники хранения информации. Сб. тезисов докладов. – Пенза. – 1983. – с. 164-165.
21. Березин А.С., Галкин С.Е., Лапшинский В.А. и др. Встроенный контроль как метод ускоренной проверки БИС ОЗУ // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. – 1983. – Вып.1. – с. 104-107.
22. Алексенко А.Г., Лапшинский В.А., Онищенко Е.М. Структурно-логические средства реализации квазистатических СБИС памяти // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. – 1983. – Вып.5. – с. 55-63.
23. Галкин С.Е., Лапшинский В.А. Структурный способ самоконтроля БИС памяти // Программа Всесоюзной школы-семинара «Перспективные разработки запоминающих ЭВМ. – Фрунзе. – 1984. – с. 9.
24. Галкин С.Е., Лапшинский В.А. Оценка возможностей реализации самотестируеых БИС памяти с самопроверяемыми схемами электронного обрамления // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. – 1985. – Вып.3. – с. 3-8.
25. Березин А.С., Онищенко Е.М., Сушко С.В. Самотестирование и резервирование в сверхбольших микросхемах памяти // Микроэлектроника. – 1985. – Том 14, вып. 2. – с. 99-105.
26. Лапшинский В.А., Березин А.С., Онищенко Е.М. Авт. св. СССР «Устройство для записи информации». – М.: БИ СССР №42. – №1 191 941 G11 С11/00.
27. Алексенко А.Г., Галкин С.Е., Лапшинский В.А. Оценка эффективности полупроводниковых ЗУ с самоконтролем. // Электронная техника, Сер. Микроэлектроника. – 1986. – Вып. 4. – с. 71-78.
28. Алексенко А.Г., Лапшинский В.А. Система морфологических показателей и ее использование для оценки архитектуры полупроводниковых ЗУ // Электронная техника, Сер. Микроэлектроника. – 1986. – Вып. 3. – с. 52-62.
29. Лапшинский В.А. Авт. св. СССР «Устройство для записи информации». – М.: БИ СССР №46. – №1 1277 208 G11 С11/00.
30. Коул Б.К. «Разумные» ЗУ – Современное состояние и перспективы развития // Электроника. – 1987. – Том 60, №3 . – с. 33-38.

Публикации 90-х годов
31. Сверхбольшие интегральные схемы оперативных запоминающих устройств / В.В. Баринов, А.С. Березин и др.; Под ред. В.Д. Вернера. – М.: Радио и связь, 1991. – 272 с.
32. Лапшинский В.А. Базовый кристалл памяти с перестроением разрядности ввода адреса // Труды шестой международной научно-технической конференции. – Таганрог, 1999. – с. 112.
33. Лапшинский В.А. Базовый кристалл памяти с перестроением разрядности ввода-вывода данных // Труды шестой международной научно-технической конференции. – Таганрог, 1999. – с. 113

34. Хокинс Дж., Блейксли С. Об интеллекте: Пер. с англ. – М.: ООО «Изд. дом Вильямс», 2007. – 240 с.


--------------------
www.valinfo.ru
Всегда... Always....
Quod licet jovi, non licet bovi!
PMEmail PosterUsers Website
Top
VAL
Дата 17.09.2014 13:18
Quote Post
Offline



Мэтр, проФАН любви... proFAN of love
*****

Профиль
Группа: Администраторы
Сообщений: 37771
Пользователь №: 1
Регистрация: 6.03.2004





Список (верс.2.0)

70-е годы
1. Алексенко А.Г., Онищенко Е.М. Современное состояние и тенденции развития быстродействующих интегральных схем оперативных запоминающих устройств на биполярных транзисторах // Микроэлектроника. Под ред. А.А. Васенкова. – 1974. – Вып. 7. – с. 170-187.
2. Онищенко Е.М. Схемотехника периферийных цепей БИС памяти на биполярных транзисторах // Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Под ред. А.А. Васенкова и Я.А. Федотова. – 1976. – Вып. 1. – с. 123-133.
3. Березин А.С. Кимарский В.И. Кузовлев Ю.И. и др. Использование элементов памяти с инжекционным питанием в субсистемах малой емкости // Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Под ред. А.А. Васенкова и Я.А. Федотова. – 1976. – Вып. 1. – с. 144-147.
4. Березин А.С., Кимарский В.И. Онищенко Е.М. и др. Исследование запоминающих элементов на основе p-n-p-n-структур с помощью ЭВМ // Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Под ред. А.А. Васенкова и Я.А. Федотова. – 1976. – Вып. 1. – с. 148-153.
5. Березин А.С., Онищенко Е.М., Лапшинский В.А. и др. Высокоэффективная биполярная БИС памяти емкостью 256 бит // Сб. научн. Трудов МИЭТ «Проектирование и полупроводниковых интегральных схем и полупроводниковых запоминающих устройств. – М.: МИЭТ, 1977. – Вып. – с. 29-35.
6. Березин А.С., Лапшинский В.А., Онищенко Е.М. Биполярные динамические элементы памяти // Известия вузов МВ и ССО СССР «Радиоэлектроника». – Киев: Изд. Киевского политехн. и-та, 1978. – Том XXI, №12. – с.29-36.
7. Березин А.С., Лапшинский В.А., Онищенко Е.М., Шагурин И.И. Запоминающий элемент с инжекционным питанием // Микроэлектроника. – 1978. – Том 7, вып. 2 – с. 126-132.
8. Березин А.С., Онищенко Е.М. и др. Высокоэффективная биполярная БИС памяти емкостью 256 бит // Программа VIII Всесоюзной конференции по микроэлектронике. – М.: МИЭТ. – 1978. – с.4.
9. Лапшинский В.А. Элементные и схемотехнические средства реализации полупроводниковых биполярных СБИС ОЗУ // Микроэлектроника. АН СССР – М.: Наука, 1979. – Том 8, вып. 4. – с. 302-311.
10. Алексенко А.Г., Лапшинский В.А. Современное состояние, особенности проектирования перспективы развития сверхбольших ИС памяти // Зарубежная радиоэлектроника. – М.: Радио и связь, 1979. – №12. – с.16-43.
11. Лапшинский В.А. Расширение функциональных возможностей СБИС памяти // Сб. тез. докл. XXVIII научно-технической конференции МИФИ, 1979. – с. 34.
12. Орликовский А.А., Мамедов Т.Я., Сергеев А.Г. Коллективные явления в биполярных интегральных схемах памяти с инжекционным питанием // Микроэлектроника. АН СССР – М.: Наука, 1978. – Том 7, вып. 3. – с. 228-246.
13. Валиев К.А., Орликовский А.А. Полупроводниковые схемы памяти на биполярных транзисторных структурах. – М.: Сов. Радио, 1979. – 296 с.

80-е годы
14. Алексенко А.Г., Лапшинский В.А. «Суперкомпоненты» на основе свербольших ИС памяти – перспективная элементная база цифровых систем IY поколения // Микроэлектроника. АН СССР – М.: Наука, 1980. – Том 9, вып. 1. – с. 3-14.
15. Лапшинский В.А. Особенности структурно-логической реализации процессорно-ориентированной организации сверБИС памяти // Микроэлектроника. АН СССР – М.: Наука, 1980. – Том 9, вып. 2. – с. 169-182.
16. Алексенко А.Г., Лапшинский В.А. Оценка эффективности базовых кристаллов памяти // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. – 1980. – Вып. 4. – с. 3-8.
17. Лапшинский В.А. Анализ эффективности структурной организации сверхбольших ИС памяти методами теории массового обслуживания // Программа IX Всесоюзной научно-технической конференции по микроэлектронике. – Казань. – 1980. – с.16.
18. Лапшинский В.А. Способ регенерации информации в ОЗУ на основе динамических БИС памяти // Микроэлектроника. АН СССР – М.: Наука, 1981. – Том 10, вып. 3. – с. 258-260.
19. Алексенко А.Г., Лапшинский В.А. Расширение функциональных возможностей СБИС памяти (емкостью более 4 Кбит) как метод улучшения параметров полупроводниковых ЗУ // Микроэлектроника. АН СССР – М.: Наука, 1982. – Том 2, вып. 6. – с. 512-519.
20. Лапшинский В.А., Онищенко Е.М. Особенности реализации синхронно-асинхронной регенерации в БИС ОЗУ на основе динамических элементов памяти // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. – 1982. – Вып. 5. – с. 97-105.
21. Лапшинский В.А. Расширение функциональных возможностей СБИС памяти – новое направление в области совершенствования полупроводниковых ЗУ // Всесоюзная научно-техническая конференция «Развитие теории и техники хранения информации. Сб. тезисов докладов. – Пенза. – 1983. – с. 79-80.
22. Галкин С.Е., Лапшинский В.А. Анализ перспектив реализации СБИС ОЗУ с функциональной возможностью самоконтроля // Всесоюзная научно-техническая конференция «Развитие теории и техники хранения информации. Сб. тезисов докладов. – Пенза. – 1983. – с. 164-165.
23. Березин А.С., Галкин С.Е., Лапшинский В.А. и др. Встроенный контроль как метод ускоренной проверки БИС ОЗУ // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. – 1983. – Вып.1. – с. 104-107.
24. Алексенко А.Г., Лапшинский В.А., Онищенко Е.М. Структурно-логические средства реализации квазистатических СБИС памяти // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. – 1983. – Вып.5. – с. 55-63.
25. Галкин С.Е., Лапшинский В.А. Структурный способ самоконтроля БИС памяти // Программа Всесоюзной школы-семинара «Перспективные разработки запоминающих ЭВМ. – Фрунзе. – 1984. – с. 9.
26. Галкин С.Е., Лапшинский В.А. Оценка возможностей реализации самотестируеых БИС памяти с самопроверяемыми схемами электронного обрамления // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. – 1985. – Вып.3. – с. 3-8.
27. Березин А.С., Онищенко Е.М., Сушко С.В. Самотестирование и резервирование в сверхбольших микросхемах памяти // Микроэлектроника. – 1985. – Том 14, вып. 2. – с. 99-105.
28. Лапшинский В.А., Березин А.С., Онищенко Е.М. Авт. св. СССР «Устройство для записи информации». – М.: БИ СССР №42. – №1 191 941 G11 С11/00.
29. Алексенко А.Г., Галкин С.Е., Лапшинский В.А. Оценка эффективности полупроводниковых ЗУ с самоконтролем. // Электронная техника, Сер. Микроэлектроника. – 1986. – Вып. 4. – с. 71-78.
30. Алексенко А.Г., Лапшинский В.А. Система морфологических показателей и ее использование для оценки архитектуры полупроводниковых ЗУ // Электронная техника, Сер. Микроэлектроника. – 1986. – Вып. 3. – с. 52-62.
31. Лапшинский В.А. Авт. св. СССР «Устройство для записи информации». – М.: БИ СССР №46. – №1 1277 208 G11 С11/00.
32. Коул Б.К. «Разумные» ЗУ – Современное состояние и перспективы развития // Электроника. – 1987. – Том 60, №3 . – с. 33-38.
33. Реальность и прогнозы искусственного интеллекта: сб. статей: пер. с англ. / под ред. и с предисл. В.Л. Стефанюка. – М.: Мир, 1987. – 247с.
34. Березин А.С., Маринчук В.В. Интегральные запоминающие устройства с корректирующими кодами // Зарубежная электронная техника. – М.: ЦНИИ «Электроника», 1989. – №6. – с.39-63.

90-е годы
35. Алексенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника: учеб. пособие для вузов. – 2-е изд. – М.: Радио и связь, 1990. – 496 с.
36. Хакен Г. Информация и самоорганизация: макроскопический подход к сложным системам: пер. с англ. – М.: Мир, 1991. – 240 с.
37. Сверхбольшие интегральные схемы оперативных запоминающих устройств / В.В. Баринов, А.С. Березин и др.; Под ред. В.Д. Вернера. – М.: Радио и связь, 1991. – 272 с.
38. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем: учеб. пособие для вузов. – 2-е изд. – М.: Радио и связь, 1992. – 320 с.
39. СБИС для распознавания образов и обработка изображений: пер. с англ. / под ред. К. Фу. – М.: Мир, 1998. – 248 с.
40. Паттерсон Д. Доводы в пользу iRAM // Компьютера, 1998. № 15. URL: http://old.computerra.ru/offline/1998/243/989/
41. Лапшинский В.А. Базовый кристалл памяти с перестроением разрядности ввода адреса // Труды шестой международной научно-технической конференции. – Таганрог, 1999. – с. 112.
42. Лапшинский В.А. Базовый кристалл памяти с перестроением разрядности ввода-вывода данных // Труды шестой международной научно-технической конференции. – Таганрог, 1999. – с. 113.
43. Kahn J.M., Katz R.H., Pister K.S.J. Next Centure Challenges: Mobile Networking for Smart Dust // АСМ, 1999. Р. 271–278. URL: http://www.eecs.harvard.edu/~rad/courses/c.../smart-dust.pdf

0-е годы
44. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2001. – 488 с.
45. Warneke B., Liebowitz B., Pister K.S.J. Smart Dust: Communicating with a Cubic Millimeter Computer // Computer, 2001. Jan. Р. 2–9. URL: http://resenv.media.mit.edu/classes/MAS965...gs/pister01.pdf.
46. Gaeke B.R., Husbands P., Li X.S. etc. Memory-Intensive Benchmarks: IRAM vs. Cache-Based Machines. – 2002. URL: http://iram.cs.berkeley.edu/papers/iram-ipdps02.pdf.
47. Fromm R., Perissakis S., Cardwell N. etc. The Energy Efficiency of IRAM Architectures
48. The Berkeley Intelligent RAM (IRAM) Project, 2002. URL: http://iram.cs.berkeley.edu/ .
49. Пупков К.А., Коньков В.Г. Интеллектуальные системы. Исследование и создание. – М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2003. – 348 с.
50. Gebis J., Williams S., Patterson D. VIRAM1: A Media-Oriented Vector Processor with Embedded DRAM. – DAC June 7-11, San-Diego, California, 2004.
51. Butts M. How We Can Design and Debug Gigagate Chip. Architecture for Silicon Nanoelectronics and Beyond/ 2005. URL: http://web.cecs.pdx.edu/~strom/nsf_workshop/butts.pdf.
52. Афонин В.Л., Макушин В.А. Интеллектуальные робототехнические системы. – М.: ИНТУИТ, 2005. – 2008 с.
53. Баженов С. Прошлое и будущее робототехники. 2005. URL: http://www.cleverence.ru/site.aspx?page=Robotics.
54. Дмитриев Е. Разработка элементной базы фотоприемных устройств отображения видеоинформации // ЭЛЕКТРОНИКА: НТБ, 2005. № 2. с. 74–79.
55. Oda S., Ferry D. (Eds.). Silicon Nanoelectronics. – CRC Press, 2006. – 310 p.
56. Микророботы проекта I-SWARM. 2007. URL: http://www.myrobot.ru/news/2007/11/20071121_3.php
57. Hawkins J. Why Can’t a Computer Be More Like a Brain? How a New Theory of Neocortex Will Lead to Truly Intelligent Machines. 2007. URL: http://conferences.oreillynet.com/cs/et200...ew/e_sess/13440
58. Хокинс Дж., Блейксли С. Об интеллекте: Пер. с англ. – М.: ООО «Изд. дом Вильямс», 2007. – 240 с.
59. Пенроуз Р. Новый ум короля: О компьютерах, мышлении и законах физики: пер. с англ. / под ред. В.О. Малышенко; предисл. Г.Г. Малинецкого.. – М.: Изд-во ЛКИ, 2008. – 3-е изд. – 400 с. – (Синергетика: от прошлого к будущему).
60. Nanoelectronics and Photonics: From Atoms to Materials, Devices, and Architecture / eds. A. Korkin, F. Rosel. – Springer, 2008. – 489 p.
61. Вернер В.Д. и др. Синергетика миниатюризации: микроэлектроника, микросистемная техника и наноэлектроника. 2008. (Нано- и микросистемная техника). URL: http://www.microsystems.ru/files/publ/752.htm.
62. Черняк Л. Архитектура фон Неймана, реконфигурируемые компьютерные системы и антимашина // Открытые системы, 2008. № 6. URL: http://www.osp.ru/os/2008/06/5340894/.
63. Cavalcanti A. etc. Nanorobot Hardware Architecture for Medical Defence. – Sensor, 2008. N 8, Р. 2932–2958.
64. Палагин А.В., Яковлев Ю.С., Тихонов Б.М. и др. Архитектурно-структурная организация компьютерных средств класса «процессор-в-памяти» // Математичнi i системи. – 2005. – №3. – с. 3-16.
65. Яковлев Ю.С., Елисеева Е.В. Основные задачи и методы реализации функций управления памятью в PIM-системах // Математичнi i системи. – 2008. – №2. – с. 47-62.
66. Яковлев Ю.С. Однокристальные компьютерные системы высокой производительности. Особенности архитектурно-структурной организации внутренних процессов. – Вiнница: ВНТУ, 2009. – 293 с.
67. Paul S., Bhunia S. Computing with Nanoscale Memory: Model and Architecture (Invited Paper) // IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architecture. 2009. URL: http://engr.case.edu/bhunia_swarup/papers/IC/IC7.pdf
68. Tadashi Shibata. Computing based on physics of nano devices – A beyond CMOS approach to human-like intelligent systems // Solid-State Electronics, 2009. N 53. Р. 1227–1241. URL: http://www.valinfo.ru/forum/index.php?showtopic=2861.

10-е годы
69. Словарь нанотехнологических и связанных с нанотехнологиями терминов / под ред. С.В. Калюжного. – М.: Физматлит, 2010. – 528 с.
70. Sung Hyun Jo. Nanoscale Memristive Devices for Memory and Logic Applications. 2010. 153 p. URL: http://deepblue.lib.umich.edu/bitstream/ha...pdf;jsessionid= 7102CEEDA00A D938BC2E15261B1F3871?sequence=1.
71. Laiho M etc. Memristive synapses are becoming realty. – Institute of Neuromorphic Engineering, 2010. – Publication 10.2417/1201011/003396.
72. Carrara S. Memristors: A New Age in Electronics for Sensors and Memories. NGS-2011, Moscow, 12 Sept., 72 p. URL: http://www.asdn.net/ngc2011/presentations/sandro.pdf
73. Snider G. etc. From Synapses to Circuitry: Using Memristive Memory to Explore Electronic Brain // Computer, 2011. F. Р. 37–44.
74. Kavehei O. Memristive Devices and Circuits for Computing, Memory, and Neuromorphic Applications. – 2011. – 260 p.
75. Borcar R., Chien A. The Future of Microprocessors. 2011. URL: http://cacm.acm.org/magazines/2011/5/10770...ors/fulltext#F5
76. Ведрал В. Жизнь в квантовом мире // В мире науки. 2011. № 8. URL: http://sciam.ru/journal/catalog/8-2011
77. VMA – умная флэш-память для базы данных. 2012. (Блог компании НР) URL: http://habrahabr.ru/company/hp/blog/148798/
78. Андерсон Д. Взгляд изнутри: почему для ИТ-инфаструктур следующего поколения необходимы более «интеллектуальные» микросхемы. 2012. URL: http://www.osp.ru/dcworld/2012/10/13017740.html.
79. Ranade P., Volta S. Системы-на-кристалле открывают новый фронт войны чипов. 2012. URL: http://skydynamics.ru/news-of-electronics/...ov-chast-1.html.
80. Graphene Nanoelectronics: Metrolodgy, Synthesis, Properties and Applicatons / ed. N. Raza. – Springer, 2012. – 621 p.
81. Advanced Nanoelectronics / eds. R. Ismail, M.T. Ahmadi, S. Anwar. – CRC Press, 2012. – 456 p.
82. Трубочкина Н.К. Моделирование 3D-наносхемотехники. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. – 499 с.
83. Плеханов Л.П. Основы самосинхронных электронных схем. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2013. – 208 с.
84. Черняк Л. Закон Мура, сложность и обратная связь // Открытые системы, 2013. № 5. URL: http://www.osp.ru/os/2013/05/13036000/
85. Чернавский Д.С. Синергетика и информация: Динамическая теория информации / предисл. и послесл. Г.Г. Малинецкого. – 4-е изд. – М.: Книжный дом «ЛИБРОКОМ», 2013. – 304 с.
86. Алексенко А.Г. Графен. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2014. – 168 с.



--------------------
www.valinfo.ru
Всегда... Always....
Quod licet jovi, non licet bovi!
PMEmail PosterUsers Website
Top
0 Пользователей читают эту тему (0 Гостей и 0 Скрытых Пользователей)
0 Пользователей:

Topic Options Closed TopicStart new topicStart Poll