Студенческий форум [Powered by Invision Power Board]

Версия для печати темы
Нажмите сюда для просмотра этой темы в оригинальном формате

Студенческий форум > Базовые кристаллы памяти (перестраиваемая архитектура СБИС ЗУ) > (2015)LapshinskyV. Basic cristals and CPU-oriented

Автор: VAL 12.04.2018 11:22

(2015) Lapshinsky V. Basic cristals and CPU-oriented organization smart memory
Оригинальное название: НА ПУТИ “УМНОЙ” И “РАЗУМНОЙ” ПАМЯТИ: БАЗОВЫЕ РИСТАЛЛЫ И ПРОЦЕССОРНО-ОРИЕНТИРОВАННАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ “УМНОЙ” ПАМЯТИ
Автор: Лапшинский Валерий Алексеевич
Источники:
- https://rucont.ru/efd/581537 - национальный цифровой ресурс "РУОНТ" (Сколково) ЗЫ. Предлагается

QUOTE

Приобрести эту публикацию за 150 руб.

- Датчики и системы. Sensors & Systems .— 2015 .— №1 .— С. 87-92
- https://rucont.ru/searchresults?q=%22%D0%BB%D0%B0%D0%BF%D1%88%D0%B8%D0%BD%D1%81%D0%BA%D0%B8%D0%B9%20%D0%B2%D0%B0%D0%BB%D0%B5%D1%80%D0%B8%D0%B9%22

QUOTE

Аннотация

Представлены история и результаты пионерских научных разработок кафедры микроэлектроники МИФИ в области архитектуры “умной” памяти в 1970—80 гг. Рассмотрены особенности процессорно-ориентированной организации и базовых кристаллов оперативной памяти (ОЗУ), их достоинства и недостатки. Описано понятие “умной” памяти тех времен. Дана современная оценка прогноза развития интегральных микросхем (ИМС) “умной” памяти, сделанного в конце 1970-х годов. Приведена библиография работ сотрудников кафедры в данной области.

QUOTE

Облако ключевых слов *
алексенко базовый кристалл биполярный транзистор возможности сбис динамический эп имс имс памяти инжекционное питание кафедра микро- кафедра микроэлектроники кристалл памяти лапшинский лапшинский валерий матрица эп микроэлектроника наноэлектроника нияу память времени перестроение организации пионерские разработки полупроводниковый зу прогнозы конца процессорно-ориентированная организация процессорно-ориентированная память процессорно-ориентированный сбис системы зу скалярный процессор словарная шина создание имс техника хранения элементы памяти

БИБЛИОМЕТРИЧЕСИЕ ПОАЗАТЕЛИ:

Источник:
- https://elibrary.ru/item.asp?id=22997883

Входит в РИНЦ®: да
Цитирований в РИНЦ®: 5
Входит в ядро РИНЦ®: да
Цитирований из ядра РИНЦ®: 3

Норм. цитируемость по журналу: 2,157
Импакт-фактор журнала в РИНЦ: 0,326
Норм. цитируемость по направлению: 1,178
Дециль в рейтинге по направлению: 2

Тематическое направление: Electrical engineering, electronic engineering
Рубрика ГРНТИ: Электроника. Радиотехника

АЛЬТМЕТРИИ:

Просмотров: 35 (14)
Загрузок: 1 (1)
Включено в подборки: 56

Автор: VAL 22.01.2022 15:50

QUOTE

The history and the results of the pioneering scientific work of the Department of microelectronics MEPhI in the field of architecture "smart" memory in the 70-80''s are presented. Peculiarities of processor-centric organization and basic crystals random access memory (RAM), their advantages and disadvantages have been discussed. The concept of "smart" memory of those times is described. Given modern assessment of forecast development of integrated circuits "smart" memory (IMS), made in the late 70-ies. Bibliography of works by members of the Department in this area is presented.