Оригинальное название: Лапшинский В.А. Базовый кристалл памяти с перестроением разрядности ввода адреса
Источники:
- 1999, Таганрог, ТРТУ, Труды шестой международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники", Дивноморское, Россия 6-11 сентября 1999 г., с. 113
- 1999 Taganrog, TRTU, Actual Problems of Solid-State Electronics and Microelectronics, Proceedings of VI International Conference, Divnomorskoe, Russia, September 6-11, 1999, p. 113
