Версия для печати темы Нажмите сюда для просмотра этой темы в оригинальном формате

Студенческий форум > Новости и объявления. Полигон форума > (2007-2021) Новости микро- и наноэлектроники

Автор: Alexander 24.03.2007 18:48

Новости микро- и наноэлектроники публикуют студенты МИФИ и РУДН ver.1.0

Автор: VAL 25.03.2007 11:12

Alexander Хорошо бы вставить рисунки! http://www.valinfo.ru/forum/index.php?showforum=28

Автор: Alexander 25.03.2007 14:35

Создан модуль цифровой молекулярной памяти http://rnd.cnews.ru/tech/news/ Специалисты Калифорнийского технологического института и Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе создали первый модуль памяти, способный хранить информацию с помощью переконфигурируемых молекулярных переключателей и обладающий фантастической плотностью хранения данных - 10^11 бит на 1 см^2. Создан первый квантовый светодиод http://rnd.cnews.ru/tech/news Ученые из Нидерландов сделали первый в мире светодиод на основе нанонити с квантовыми точками. Благодаря открытию ученых из университета Дельфта вскоре могут появиться оптоэлектронные наноустройства на основе этих светодиодов. Открытие важно тем, что одноэлектронный транспорт в устройстве сочетается с однофотонной оптикой, что до недавнего времени являлось одной из нерешенных задач оптоэлектроники. Основной элемент квантового LED – нанонить толщиной 30 нанометров и длиной 4 микрона, расположенная на кремниевой подложке. Еще одно преимущество квантового LED – его несложное выращивание на кремниевой основе, что делает его идеальным решением для интеграции в микроэлектронные сенсоры. Ученые также говорят о возможности создания на основе нового LED-прибора недорогих коммерческих систем освещения, поскольку процесс светоизлучения проходит с высокой степенью эффективности. Рис. 1. Квантовый LED на основе нанонити

Автор: Alexander 25.03.2007 14:38

Транзистор нового поколения на индий-галлий-арсениде http://www.itmnews.ru/micronews.php Сотрудники MIT предлагают своё решение задачи поиска новых полупроводниковых материалов. Массачусетские учёные считают, что полупроводниковыми материалами следующего поколения для изготовления транзисторов станет семейство так называемых "полупроводников III-V". Такое название отображает тот факт, что они состоят из элементов с валентностями III и V. В качестве эксперимента исследователи использовали многослойную структуру с квантовыми ямами (гетероструктура с тонкими, несколько нанометров, слоями) - индий-галлий-арсенид (InGaAs). Им удалось сконструировать InGaAs-транзистор, который работает в 2,5 раза быстрее традиционных кремниевых. Группа учёных во главе с профессором Аламо (Alamo) продемонстрировала работу транзистора на структурах с квантовыми ямами, питая его довольно низким напряжением – всего 0,5 В. Конечно, пока до внедрения новой разработки в массовое производство еще далеко и придётся преодолеть ещё много барьеров. Но Аламо считает, что прототипы устройств на InGaAs-транзисторах будут разработаны уже через два года. Примечательно, что одним из спонсоров исследований является компания Intel. Заглядывание в будущее - хорошее качество, которое у неё не отнимешь. Создан графеновый транзистор толщиной в один атом http://techlabs.by/news/hardware/ Ученые манчестерского университета нашли применения в микроэлектронике для одной из синтетических форм углерода – графена. Графен представляет собой двумерную форму графита, или развернутый фуллерен – атомарный слой, состоящий из гексагональных углеродных ячеек. Это самый тонкий в мире материал. На его основе создан первый в мире транзистор толщиной всего в один атом и шириной в пятьдесят. Если верить утверждениям ученых, то создание такого транзистора – важнейшая веха десятилетия для полупроводниковой индустрии, поскольку с традиционным кремнием в качестве материала подобная миниатюризация недостижима. В ближайшие двадцать лет полупроводниковая индустрия упрется в технологический предел кремния, когда сделать транзисторы меньше не будет позволять сам материал. Первые транзисторы из графена были созданы ещё два года назад, но только сейчас удалось решить проблему больших токов утечки, доведя графеновый транзистор до состояния стабильного прототипа. В отличие от кремниевых, графеновые транзисторы могут оставаться стабильными и проводить ток даже при толщине всего в несколько нанометров. Ученые манчестерского университета считают, что возможно создание такого транзистора на базе графена, размеры которого были бы равны минимальной гексагональной единице самого графена – то есть, фактически, кольцу из атомов углерода. Если прибавить сюда атомарную толщину графеновой пленки, получим фантастически компактные электронные устройства. Правда, в том, что касается сроков практической реализации открытой технологии, ученые не столь оптимистичны – по их мнению, коммерческое применение графена в микропроцессорах начнется не ранее 2025 года. Рис. 2. Кристаллическая решетка графена

Автор: Alexander 25.03.2007 14:40

Epson Toyocom разработала новый тип кварцевых кристаллов http://www.3dnews.ru/news Инженеры японского подразделения гиганта Epson Toyocom сегодня могут похвастаться очередным, возможно, революционным достижением. Им удалось создать абсолютно новый материал – кварцевый кристалл (технология QMEMS). Поэтому отныне, имея возможность вносить изменения в структуру производства полупроводников, компания получит инструментальные средства, позволяющие создавать миниатюрные кварцевые устройства и применение их в компьютерной промышленности. Также специалистам удалось обеспечить приемлемые энергетические показатели разработки, несмотря на максимальную миниатюризацию, что открывает новые горизонты для разработчиков микросхем для мобильных телефонов. Нужно отметить, что повышенная точность изготовления такой продукции позволит специалистам намного улучшить ее устойчивость и стабильность, так как в данном случае механизмы обработки намного превосходят уже уходящие «механические» принципы. Скептики охарактеризовали нововведение всего несколькими понятиями – миниатюризация, экономия энергии и высокая степень устойчивости. Примечательно, но в январе этого года Epson Toyocom уже начала поставки модулей кристаллов FC-13F, которые на сегодня являются самыми тонкими в промышленности. Толщина одного модуля составляет всего лишь 0,6 мм, это приблизительно две трети толщины аналогичных предшественников. Весна – на нанотрубках набухают фуллереновые почки http://www.chemport.ru/newsarchive.shtml Создан новый основанный на углероде гибридный материал, который может дать новый импульс микроэлектронике. Материал, получивший название «нанопочки», состоит из одностенных углеродных нанотрубок, к внешней поверхности которых привиты молекулы фуллеренов. Разработанный гибридный материал сочетает в себе черты как жестких нанотрубок, так и реакционноспособных фуллеренов, образуя некое подобие ветвей, покрытых почками или побегами. Нанопочки могут применяться в разнообразных микроэлектронных процессах, так как их способность к электронной эмиссии при комнатной температуре гораздо выше, чем просто у углеродных нанотрубок. Международная исследовательская команда, возглавляемая Альбертом Насыбуллиным (Albert Nasibulin) получила нанопочки в результате одностадийного контролированного разложения моноксида углерода на поверхности частиц железа. Электрические свойства нанопочек являются комбинацией свойств нанотрубок и фуллеренов. Первые обладают отличной проводимостью и инертностью, вторые вносят реакционную способность и, в особенности, хорошую электронную эмиссию. Это обстоятельство делает нанопочки особенно полезными в микроэлектронике, главным образом там, где востребован эффект холодной электронной эмиссии. Рис. 3. Нанопочки: гибридные структуры фуллерен-нанотрубка напоминают почки, растущие на ветке (по материалам Nature Nanotechnology).

Автор: Alexander 25.03.2007 14:45

Крупнейшая сделка на российском рынке микроэлектроники: зеленоградский «Ангстрем» купит у AMD производство микрочипов в Германии http://www.e-xecutive.ru/news/ Российская компания "Ангстрем", производящая электронные компоненты для оборонной промышленности, приобретает оборудование дрезденского завода одного из лидеров мировой электроники - компании AMD. После того, как оборудование для производства микрочипов будет перевезено в Зеленоград, "Ангстрем" сможет производить в России микроэлектроники на 1 млрд долларов в год. Значительную часть чипов будут продавать в России. По мнению экспертов, российскому предприятию достанется оборудование далеко не самое современное, однако для нужд внутреннего российского рынка оно вполне подойдет. Импортное оборудование AMD позволяет производить чипы с нормой проектирования 0,13 микрона. Первая низковольтная транзисторная схема из органики http://www.chemport.ru/newsarchive.shtml Ученые из Института Макса Планка разработали комплементарную схему, состоящую из двух органических транзисторов, которая характеризуется малым энергопотреблением и использует низковольтное питание. Новая электронная деталь из органических веществ может управляться гораздо меньшим напряжением, чем использовавшиеся ранее. Для питания новой схемы достаточно вольтажа, подаваемого одной или двух батарей АА или ААА (1.5 В или 3.0 В). Хотя транзисторы из органических материалов имеют ряд преимуществ в сравнении с традиционными кремниевыми (например, они могут быть размещены на гибких поверхностях, что увеличивает портативность и мобильность изделий на их основе), недостатком известных органических «радиодеталей» является высокое энергопотребление. Для разработки малопотребляющей радиосхемы исследователи из Берлина использовали два принципа. В первую очередь они использовали для изоляции транзистора самоорганизующиеся монослои органических соединений. Толщина такого слоя изоляции составляла не более 3 нм. Другой находкой ученых являлось объединение p и n транзисторов в комплементарную цепь. До настоящего времени органические схемы чаще всего реализовывались в форме монополярных схем, состоявших из транзисторов лишь одного типа (либо p, либо n). При реализации монополярной схемы необходимо использовать уравнительный ток, увеличивающий энергопотребление схемы, в то время как при использовании комплементарной цепи один из транзисторов блокирует противоток, что дает дополнительную возможность для экономии энергии. Полевые транзисторы, сконструированные из стабильных к действию воздуха органических соединений – пентацена и гексадекафторфталоцианина меди, имеют три контакта: затвор, источник и сток. Разработанные берлинскими учеными схемы могут работать вплоть до 90 градусов Цельсия, что с одной стороны расширяет границы применимости микроэлектроники нового типа, а с другой – может облегчить процесс их производства. Рис. 4. Схема и фотография комплементарного преобразователя, состоящей из р и n тонкопленочных транзисторов (По материалам Nature).

Автор: VAL 25.03.2007 23:00

Alexander Спасибо! Так интереснее и лучше. Первую версию конспекта удаляем?

Автор: Alexander 26.03.2007 12:45

Удаляем, конечно

Автор: VAL 29.03.2007 15:22

Alexander А не хотели бы Вы на время семестра стать ведущим новостей МЭ. Публиковать новости каждую неделю и, в конце концов, написасать на эту тему реферат? ЗЫ. Кстати, а как насчет структуры новостей (технология/схемотеника/....)?

Автор: Alexander 31.03.2007 18:39

24.03.07 - 30.03.07. Завершено строительство суперкомпьютера с изменяемой конфигурацией Специалисты Эдинбургского университета (Шотландия) завершили строительство экспериментального суперкомпьютера с изменяемой архитектурой. Вычислительная система, как сообщает ZDNet, получила название Maxwell. В суперкомпьютере Maxwell вместо традиционных микропроцессоров используются перепрограммируемые логические интегральные схемы (FPGA). Конфигурацию FPGA можно менять при помощи специализированных программных средств, адаптируя таким образом систему для решения строго определенных задач. Правда, перепрограммирование суперкомпьютера на базе FPGA представляет собой очень сложный процесс, что затрудняет коммерческое использование подобных комплексов. По словам Марка Парсонса, руководителя проекта Maxwell, в процессе тестирования экспериментальная система использовалась для проведения сложных расчетов в финансовой и медицинской сферах. При этом комплекс продемонстрировал в 300 раз более высокую производительность и в 10 раз меньшее энергопотребление по сравнению со стандартными вычислительными центрами. Разработка суперкомпьютера Maxwell длилась два года и обошлась в семь миллионов долларов США. Помощь в создании специализированных средств программирования шотландским ученым оказывали исследователи альянса FHPCA (FPGA High Performance Computing Alliance). Парсонс считает, что в течение ближайших двух-трех лет интерес к вычислительным комплексам на основе перепрограммируемых логических интегральных схем может существенно вырасти. Кстати, схемы FPGA уже используют в своей продукции некоторые компании, в частности, Cray. Создан ультратонкий аккумулятор По сообщению ScienceDaily, японскими учеными из университета Васеда создан плоский, как бумага, и гибкий полимерный аккумулятор толщиной всего 300 нм с высокими эксплуатационными параметрами. Аккумулятор имеет высокую удельную плотность радикалов и способен выдерживать до 1 тыс. циклов зарядки-разрядки, причем продолжительность полной зарядки составляет всего 1 минуту. Samsung наращивает емкость твердотельных дисков Южнокорейская компания Samsung объявила о выпуске нового твердотельного диска (SSD) на основе флэш-памяти, вмещающего до 64 Гб данных. Стоит сразу оговориться, что на рынке уже присутствуют накопители SSD емкостью в 64 Гб. В частности твердотельный диск такого объема предлагает компания SimpleTech. А фирма Adtron и вовсе недавно анонсировала твердотельный диск, способный хранить до 160 Гб информации. Однако накопители SimpleTech и Adtron выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма, тогда как новый диск Samsung имеет форм-фактор 1,8 дюйма. Это позволяет использовать накопитель в ультрамобильных компьютерах, а также медиаплеерах. Новый твердотельный диск Samsung построен на основе флэш-памяти NAND и обладает повышенными, по сравнению с накопителями предыдущего поколения, скоростями чтения и записи. В частности, заявленная скорость чтения информации составляет 64 Мб/с, скорость записи - 45 Мб/с. Это, соответственно, на 20% и 50% больше аналогичных показателей для твердотельных дисков Samsung объемом в 32 Гб. Среди основных преимуществ SSD компания Samsung выделяет нулевой уровень шума при работе, более низкое по сравнению с традиционными винчестерами энергопотребление и высокую надежность, объясняющуюся отсутствием подвижных частей. Стоит добавить, что, по мнению аналитиков Samsung, рынок SSD ожидает существенный рост. Согласно прогнозам, объем соответствующего сегмента рынка вырастет с 56 миллионов долларов в прошлом году до 6,8 миллиарда долларов США к 2010 году. Рисунок.Твердотельный диск Samsung

Автор: VAL 3.04.2007 18:57

Alexander В полученном Вами диске про "Новости МЭ" есть что-то (по Вашему мнению) интересное?

Автор: Alexander 3.04.2007 19:31

Конечно, для меня представляет интерес версия конспекта по моей теме за прошлый год. Особенно интересно деление новостей по группам (физика, технология, схемотехника + добавленная к ним группа "Новости архитектуры")

Автор: Alexander 7.04.2007 20:25

Intel по прежнему номер 1 в мире Компания Intel является крупнейшим мировым производителем микропроцессоров. Лишний раз этот факт подтвердили аналитики из The Gartner Group. Несмотря на то, что доход корпорации снизился примерно на 12 процентов в 2006 году по сравнению с предыдущим, компания все же занимает лидирующее положение на рынке полупроводников. Некоторая доля прибыли от продаж процессоров была потеряна в ходе борьбы с главным конкурентом – компанией AMD. Intel проигрывала на протяжении почти всего 2006 года, за исключением последнего квартала. Именно тогда удалось реализовать немалое количество таких продуктов как Core 2 Duo и Xeon 5100. По мнению исследователей Gartner эти процессоры позволят одержать победу над AMD в течение 2007 года. Также известно, что общая доля продукции Intel на рынке в ушедшем 2006 году составила 11,6%. На втором месте после Intel находится компания Samsung – общая доля продукции на рынке составляет 7,7%. Увеличению продаж на 9,8% по сравнению с 2005 годом способствовали следующие продукты: память DRAM, NOR Flash, PSRAM, CMOS-сенсор. Однако, производитель утратил половину доходов в сегменте продаж микросхем памяти NAND Flash. Американский производитель полупроводников Texas Instruments (TI) занимает третье почетное место. Увеличив продажи на целых 18,4% по сравнению с 2005 годом, TI отвоевала долю от общего рынка размером в 4,6%. Доход от продаж беспроводных устройств третьего поколения 3G для TI вырос на 50%. В первой десятке оказались также компании Hynix Semiconductor и Infineon Technologies, показавшие самые высокие темпы развития за 2006 год. Доход от продаж продукции Hynix вырос почти на 40% по сравнению с 2005 годом, а у Infineon – на 28,4%. В завершении приведем еще пару цифр, подсчитанных в Gartner. Общий мировой денежный оборот за 2006 год на рынке продаж полупроводников составил 262,7 миллиарда долларов США, что по сравнению с доходом 2005 годом дало прирост в 10,2%. Ученые будут создавать полупроводники из пластмасс Голландский ученый-исследователь Паулетт Принс (Paulette Prins) на днях выступила с заявлением, что в ее основном научном труде, кандидатской диссертации The Foundation for Fundamental Research on Matter (FOM), кроется секрет создания материала (в данном случае это пластик) с очень высоким коэффициентом жесткости и электропроводимости. Этот полимер с так называемой «лестничной» структурой позволит разрабатывать комплектующие для мобильных телефонов и других электронных устройств, которые вряд ли получится не нарочно разбить или повредить при падении даже с приличной высоты. В труде разработчика указывается, что сегодня подавляющее большинство электроприборов, в частотности мобильников, создаются из довольно хрупких материалов (чипы, микросхемы), которые не способны пережить резкую физическую нагрузку или деформацию. Однако Паулетт, похоже, имеет свое мнение по этому поводу – почему бы не производить полупроводники не из хрупкого и дорого материала кремния, а из прочного пластика? Однако здесь сразу возникает проблема – сегодняшние достижения науки не позволяют создавать пластиковые структуры с достаточной электропроводимостью. Не секрет, что пластмасса по этим характеристикам проигрывает существующим полупроводникам примерно в 1000 раз. Но примеры, представленные Принс, позволяют убедиться в обратном. Особая молекулярная структура полимера, разработанная немецкими инженерами, кардинально отличается от классических структур пластмасс. К примеру, молекулярные цепи обычного пластика имеют несимметричную и ломанную структуру, а новая разработка отличается фиксированным, «лестничным» построением элементов, что придает ей абсолютно новые физические свойства, родственные используемым сегодня полупроводникам. Именно поэтому ученые уже сегодня могут сделать вывод, что создание полупроводников из пластмассы – не фантастика, поэтому скоро за сохранность дорогущих трубок волноваться уже не будет смысла. Комбинированные чипы Samsung для мобильников Компания Samsung представила технологию, позволяющую комбинировать процессор приложений и такую память, как OneDRAM, совмещающую функции оперативной и буферной памяти. Данная разработка стала возможной благодаря использованию архитектуры PoP (корпус на корпусе - package on package), которая предполагает расположение нескольких полупроводниковых чипов непосредственно друг на друге. Таким образом, представленная технология предполагает уменьшение площади чипа за счет размещения двух корпусов друг на друге. Более того, такой корпус позволяет снизить уровень помех, сопровождающих операции на высоких частотах. Компания Samsung планирует применять такие чипы в мобильных телефонах поколений 3G и 3,5G, а также в портативных плеерах и навигаторах. Ключевым звеном представленной технологии выступает процессор приложений S3C6400, работающий на частоте 667 МГц. Данный процессор оснащен функцией воспроизведения потокового видео стандартного разрешения и множеством интерфейсных функций. Однако, больший интерес представляют различные интегрированные узлы взаимодействия со всевозможными устройствами. Среди большого числа таких устройств отметим LCD-панели, камеры с разрешением вплоть до 16 Мп и беспроводной интерфейс Bluetooth.

Автор: Alexander 14.04.2007 19:59

8.04.07 - 14.04.07 Опубликован список самых мощных суперкомпьютеров СНГ http://www.computerra.ru/news/ На днях научно-исследовательский вычислительный центр МГУ и межведомственный суперкомпьютерный центр Российской академии наук (МСЦ РАН) представили ежегодный рейтинг самых мощных суперкомпьютеров СНГ. Первое место по производительности занял суперкомпьютер "Скиф Cyberia", созданный компанией "Т-Платформы" и установленный в Томском государственном университете. Система расположена в Региональном центре коллективного пользования высокопроизводительными вычислительными ресурсами ТГУ и построена совместными усилиями компании "Т-Платформы", Института программных систем РАН, корпорации Intel и корпорации Microsoft. Суперкомпьютер "Скиф Cyberia" построен на базе 566 двуядерных процессоров Intel Xeon 5150. Вычислительный узел базируется на специально модифицированной по заказу разработчиков системной плате, в которой серверный набор микросхем заменили на чипсет Intel 5000x, обычно применяющийся для строительства графических станций. Помимо стандартного набора управляющего и системного ПО "СКИФ Cyberia" использует новую операционную систему Microsoft Windows Compute Cluster Server 2003. Пиковая производительность комплекса составляет 12 триллионов операций в секунду. Результат системы на стандартном тесте Linpack составил 9.019 триллионов операций (75% от пиковой). По словам пресс-секретаря "Т-Платформ" Елены Чураковой , "Скиф Cyberia" разработан в рамках национального проекта образования, который курирует Роснаука. На создание системы государство выделило два миллиона долларов США, а суперкомпьютер возьмет на себя функции межрегионального вычислительного центра. Между тем, на втором месте списка оказался прошлогодний лидер - суперкомпьютер МВС-15000ВМ производительностью 6,7 терафлопсов, построенный на платформе IBM PowerPC и установленный в МСЦ РАН. IBM: закон Мура в третьем измерении http://rnd.cnews.ru/tech/news Компания IBM разработала технологию through-silicon vias, позволяющую перейти от двумерной к трехмерной компоновке чипов. Это позволит повысить плотность компоновки элементов в чипе, увеличить его быстродействие, снизить размеры и удельное энергопотребление. Технология позволяет на три порядка снизить расстояние, которое приходится преодолевать сигналам в чипе, и на два порядка повысить количество информационных каналов в сравнении с двумерными чипами. Сделан первый шаг к созданию высокоскоростного нанотранзистора http://rnd.cnews.ru/tech/news/ Ученые из университета Нотр-Дам, США, предложили новый метод, который ускорит передвижение электронов в полупроводниках. Суть метода заключается в нанесении на проводящую поверхность нанометрового слоя изолятора. Этот нехитрый способ позволит уменьшить эффект рассеивания электронов из-за примесей и неоднородностей в полупроводнике и таким образом увеличить скорость их распространения. Как сообщает Nanotechweb, метод полностью разработан и исследован благодаря математическому моделированию, проведенному учеными для случая кремниевых полупроводников. Как показали результаты математического моделирования, нанопокрытие позволит создавать транзисторы, работающие на высоких частотах. Ученые сообщают, что обработка материалов с помощью нанослоя не требует каких-либо изменений в традиционном производстве микроэлектронных компонентов. После успешных результатов моделирования ученые планируют опробовать новый метод практически, создав высокоскоростной нанотранзистор. Ученые разработали пластик - проводник электрического тока http://www.3dnews.ru Доктор Юе-Лин Лу (Yueh-Lin Loo), представитель научного сообщества Техасского Университета, на днях представила общественности информацию о проведенных ею опытах по модификации пластика с целью придания этому веществу свойства проводить электричество. Нужно сказать, что наработки в этой сфере могут быть полезны разработчикам электроники в будущем. Лу, иженер-химик, сейчас работает над изучением особого типа пластмассы, получившей название «полианилин», которая способна проводить электрический ток и может быть использована в военном деле (маскировка, меняющая цвет), создании «скручиваемых» дисплеев, и даже медицинских инструментов. После воздействия на полианилин ряда химических реактивов, Лу удалось улучшить показатель проводимости тока этого материала в несколько раз. Судя по химическим показателям, полианилин можно сравнить по отдельным свойствам с золотом и медью. Согласно последним данным, рекордный показатель токопроводимости этого материала составил величину в 10 раз большую, чем у обычного пластика, однако этого не достаточно, чтобы назвать полианилин полностью альтернативным элементом-заменителем той же меди.

Автор: VAL 15.04.2007 09:15

Alexander Продолжайте публикации. Очень интересно.

Автор: Alexander 21.04.2007 19:25

15.04.07 - 21.04.07 В Европе будет создана сеть суперкомпьютеров http://rnd.cnews.ru/ Европейские страны подписали декларацию о намеренениях по созданию инфраструктуры для единой сети суперкомпьютеров. Декларацию о намерениях подписали 15 стран, в том числе Великобритания, Германия, Франция, Италия. Предполагается создание единого центра, который будет обеспечивать странам-участницам возможность использования сразу нескольких суперкомпьютеров. Центр будет стоить около €400 млн., основную часть расходов будут нести страны-участницы, остальное финансирование обеспечит Европейский союз. Создание сети суперкомпьютеров было декларировано еще в 2000 г. на заседании Европейского Совета в Лиссабоне, где была поставлена цель по превращению экономики Европы в наиболее динамичную и основанную на знаниях, сообщает The Engineer. Струйные принтеры переходят к тиражированию электроники http://rnd.cnews.ru/ Новая краска, разработанная британскими специалистами, позволяет превратить любой современный струйный принтер в устройство, способное распечатать на подложке проводящий слой - например, антенну для GPS-приемника или RFID-устройства. Как сообщает New Scientist, разработанный учеными из университета Лиддса состав представляет собой водный раствор солей серебра и витамина С, полностью совместимый с механизмом краски эжекции современных струйных принтеров. IDF Spring 2007: Intel разрабатывает стеклянную память http://www.3dnews.ru/ Полупроводниковый гигант планирует в рамках IDF озвучить новые подробности относительно собственного типа памяти. Пока лишь известно, что компания Intel в данный момент готовит производство своей собственной памяти с изменением фазового состояния (phase change memory, PCM), которая носит обозначение PRAM. Известно, что такая память будет энергонезависимой подобно флэш-памяти. Далее, скорость записи и чтения такой памяти будут на уровне типичных модулей памяти DDR, доступных на рынке уже сегодня. Но главной особенностью PRAM-памяти является материал, из которого она будет изготавливаться. В данном случае материалом служит стекло, которое позволяет обеспечивать фактически бесконечный срок службы. Известно также, что применение стекла при создании памяти дает возможность функционирования при частом изменении сопротивления вследствие воздействия тепла, генерируемого электрическими потоками.

Автор: VAL 21.04.2007 19:53

QUOTE IDF Spring 2007: Intel разрабатывает стеклянную память Весьма интересно. Вот еще ссылка про http://www.chipnews.ru/ ЗЫ. Статьи про п/п память: http://www.chipnews.ru/html.cgi/rubrikator/memo.htm

Автор: Alexander 29.04.2007 19:01

22.04.07 - 29.04.07 IBM и MIT разработали первый учебный курс по процессорной технологии http://rnd.cnews.ru/ IBM и факультет электротехники и информатики Массачусетского технологического института (MIT) сообщили о недавнем успешном завершении первого в США учебного курса по инновационной микропроцессорной технологии Cell Broadband Engine (Cell/B.E), которая используется, в частности, в игровой приставке PLAYSTATION 3 от Sony Computer Entertainment (SCE). В течение четырех недель января студенты MIT не только изучали новый микропроцессор, но также разрабатывали и реализовывали собственные проекты для системы PS3, использующие программное обеспечение на базе открытых стандартов. В настоящее время IBM проводит среди студентов колледжей и университетов из 25 стран первый в своем роде конкурс по программированию приложений для процессора Cell/B.E, названный Cell University Challenge, на котором разыгрываются денежные призы и награды за самые инновационные идеи по применению процессорной технологии Cell/B.E. Разработан новый материал для спинтронных приборов http://rnd.cnews.ru/ Группа ученых под руководством Игоря Зализняка (Igor Zaliznyak) из Брукхэвенской национальной лаборатории разработали новый материал – графен-магнитный мультислой (“graphene-magnet multilayers” (GMMs)), который может использоваться для изготовления спинтронных приборов. Материал состоит из слоев графена, чередующихся с магнитными и немагнитными слоями. Изменение ориентации спинов в графене, по замыслу ученых, будет производиться с помощью магнитных полей. Ориентируя соответствующим образом направление намагниченности одного или нескольких магнитных слоев, инженеры смогут получить весь спектр спинтронных приборов, в том числе микрочипы, транзисторы и логические элементы, сообщается в пресс-релизе Брукхэвенской национальной лаборатории. Кроме того, новый материал может применяться для исследования релятивистских частиц в двухмерном пространстве – на плоских пластинах графена. Эти исследования также могут оказаться полезными для разработки спинтроных устройств. "Электронный нос" станет еще чувствительнее http://rnd.cnews.ru/ Ученым из Великобритании удалось улучшить работу устройства для распознавания запахов - «электронного носа» – с помощью специально разработанной слизистой субстанции. Органы обоняния человека содержат более 100 млн. рецепторов, которые идентифицируют и различают молекулы. Электронные датчики запаха работают по тому же принципу, но содержат всего лишь несколько десятков рецепторов, поэтому они менее чувствительны, чем их биологические прототипы. Кроме того, рецепторы в носу человека покрыты тонким слоем слизи, которая способствует улучшению их работы. Слизь сорбирует молекулы запаха и разделяет их на компоненты методом хроматографии. Таким образом различные молекулы попадают на рецепторы в разное время. Д-р Джулиан Гарднер (Julian Gardner) и его коллеги из Варвикского университета и университета Лейстера разработали искусственный слизистый слой для электронных датчиков запаха. Ученые наносили слой полимера, который обычно используется для разделения газов, толщиной 10 мкм на 40 электронных сенсоров, расположенных внутри канала длиной 2,4 м. Затем через этот канал пропускались различные ароматические вещества, и проводилась статистическая обработка показаний датчиков. Эксперименты проводились как с простыми веществами, такими как этанол или пары толуола, так и со сложными соединениями, например, с запахом ванили, сообщает NewScientist. Результаты тестирования показали, что использование слизистой субстанции существенно повышает эффективность работы детектора. Анализируя время, необходимое различным компонентам для того, чтобы достичь сенсоров, усовершенствованный детектор смог различить запахи молока и банана, что не удавалось ранее. Ученые считают, что на основе этого метода может быть создано новое поколение электронных анализаторов запаха, способных идентифицировать простые и сложные запахи лучше, чем современные приборы, и за меньшее время.

Автор: Alexander 5.05.2007 18:52

30.04.07 - 05.05.07 IBM внедряет нанотехнологию самосборки www.compulenta.ru Корпорация IBM начала внедрение революционной нанотехнологии самосборки, применение которой, как ожидается, позволит существенно улучшить характеристики микрочипов. Процесс самоорганизации повсеместно встречается в природе. Именно благодаря процессам самосборки формируется структура раковин моллюсков, снежинок и зубной эмали. Экспертам IBM удалось адаптировать методику самосборки для формирования триллионов вакуумных микрополостей в структуре микросхем. Такие полости имеют диаметр порядка 20 нанометров и играют роль изоляторов между проводниками. В корпорации IBM подчеркивают, что, по сравнению с самыми передовыми технологиями производства процессоров, новая методика позволяет добиться значительного повышения быстродействия и снижения энергопотребления. В частности, производительность чипов может быть увеличена на 35%, а потребление энергии сокращено на 15%. Другим немаловажным достоинством предложенной технологии является то, что она может использоваться на любой производственной линии, выпускающей продукцию по технологии КМОП. Методика самосборки уже внедрена в передовую производственную линию на заводе IBM в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк). А к 2009 году корпорация IBM намерена перевести на новую технологию все свое производство микрочипов. На начальном этапе процессоры, изготовленные с применением нанотехнологии самосборки, будут использоваться в серверных решениях IBM. Затем корпорация планирует начать поставки чипов сторонним компаниям. Сведения о 45-нм процессорах AMD http://www.3dnews.ru/ В начале февраля в cеть просочилась информация о планах компании AMD по выпуску процессоров на 2008 год. Тогда мы впервые имели возможность познакомиться с такими кодовыми именами, как Deneb FX, Deneb и Propus. Сайт DailyTech поделился “свежими” данными об этих CPU, а также представил еще два новых семейства – Regor и Sargas. Как мы знаем, AMD планирует во второй половине 2008 года перевести свои процессоры архитектуры K10 на 45-нм техпроцесс. Как утверждает источник, AMD не будет изменять своим традициям и внедрит технологию “кремний-на-изоляторе” (SOI, silicon-on-insulator) в новый производственный процесс. Напомним, что Intel не собирается внедрять SOI вплоть до перехода на 32 нм. По функциональности 45-нм процессоры семейства Deneb FX будут схожими с 65-нм CPU Agena. Они будут включать четыре “нативных” ядра (на одном кристалле), разделяемый кэш третьего уровня, а Deneb FX к тому же будут отличаться поддержкой памяти типа DDR3. Процессоры Deneb (без приставки FX) также будут производиться по 45-нм проектным нормам и станут первыми CPU в исполнении Socket AM3. Ближе к 2009 году (в самом конце 2008) на смену 65-нм процессорам Kuma и Rana придут 45-нм решения, известные под кодовыми именами Propus и Regor соответственно. Семейство Propus по функциональности будет схоже с Deneb, но его представители будут включать два ядра, а не четыре, как и сообщалось ранее. Процессоры Regor от Propus будут отличаться отсутствием кэша L3, в остальном же их характеристики будут схожими. В Low-End сегмент придут одноядерные решения Sargas. Они станут последователями 65-нм Spica и будут первыми 45-нм бюджетными CPU. Процессоры Sargas будут поставляться в упаковках Socket AM3 и иметь интегрированный контроллер памяти типа DDR3. IBM Airgap: вакуум как изолятор в чипах http://www.3dnews.ru/ Сотрудники одной из исследовательских лабораторий IBM разработали новую технологию, позволяющую использовать вакуум в качестве изолятора между проводниками в чипах. Проблема поиска новых, более эффективных диэлектрических материалов обостряется по мере последовательного уменьшения применяемых норм производства. При этом расстояния между проводниками становятся все меньше, что повышает риск возникновения паразитных токов и утечек. Применение вакуума в качестве изолятора выглядит идеальным решением, поскольку это наилучший диэлектрик из всех возможных, но до сих пор не существовало способа, позволяющего реализовать данную идею на практике. Известные разработки, предполагавшие использование с этой целью различных пористых материалов, в свое время не увенчались успехом из-за недостаточной стойкости этих материалов к условиям, сопровождающим процесс производства чипов. Технология IBM, получившая название Airgap, основывается на использовании так называемых двухблочных сополимеров (diblock copolymers), молекулы которых имеют свойство выстраиваться в организованную структуру, чем-то напоминающую очень уменьшенный вариант упаковочной полиэтиленовой пленки с наполненными воздухом пузырьками. Двублочные сополимеры помещаются между уже созданными медными проводниками и путем «самосборки» образуют матрицу из точек, каждая из которых имеет диаметр 20 нм. Эти точки представляют собой заготовку для следующего этапа, процесса травления. В результате один из полимеров вытравливается, образуя «дырку», а второй выступает в качестве оболочки этой «дырки». Сообщается, что предварительные данные позволяют говорить о повышении производительности чипов на 35%, снижении энергопотребления на 15%, или о некотором сбалансированном сочетании этих показателей, которого можно добиться благодаря применению технологии Airgap. Предполагается, что практические применение изобретения начнется с освоением IBM 32-нм норм производства, запланированным на 2009 г. Согласно информации компании, заинтересованность в использовании Airgap для производства собственных чипов проявили также ее партнеры, включая AMD, Toshiba и Sony, с перспективой скорого расширения этого списка многими другими чипмейкерами. Первое массовое производство 16-Гбит NAND-чипов http://www.3dnews.ru/ Южнокорейскому полупроводниковому гиганту все же удалось, наконец, освоить массовое производство флэш-памяти типа NAND по 51-нм проектным нормам. Компания Samsung Electonics первая в мире запустила серийное производство чипов плотностью 16 Гбит. Отметим, что еще в январе компания Toshiba сообщила о планах начать массовое производство 16-Гбит NAND-чипов по 56-нм нормам, но до настоящего времени официальных заявлений об этом от производителя не поступало. Поэтому Samsung можно считать пионером в области производства 16-Гбит чипов. Как сообщается, при переходе с 60- на 51-нм нормы эффективность производства повышается до 60%. Интересно отметить темпы миграции на новый техпроцесс. Напомним, что 60-нм производство было освоено в августе прошлого года. Тогда Samsung начала выпускать чипы плотностью 8 Гбит. Первые ознакомительные образцы 16-Гбит чипов, изготовленных по более прецизионным нормам, были представлены уже в начале января этого года. При изготовлении новых 16-Гбит чипов применяется технология многоуровневой ячейки (MLC, multi-level cell). С помощью таких микросхем можно на одной карте памяти уместить 16 Гб. Кроме того, переход на более тонкие нормы позволил повысить скорости чтения/записи почти на 80% (!) по сравнению с существующими MLC-чипами. Так, 51-нм чипы характеризуются скоростями чтения/записи 30 и 8 Мб/с соответственно. Для 60-нм MLC-чипов эти показатели составляют 17 и 4,4 Мб/с. Для повышения быстродействия был увеличен размер страниц памяти: с 2 Кб (для 60-нм чипов) до 4 Кб (для 51-нм чипов). Для улучшенной совместимости со старым оборудованием в новых чипах используется такой же 4-разрядный код с возможностью исправления ошибок, как и в 60-нм чипах. Таким образом, для работы новых чипов с существующими интерфейсами придется всего лишь обновить “прошивку” соответствующего устройства. Как отмечается в пресс-релизе, на сегодняшний день карты памяти и контроллеры для MP3-плееров с поддержкой 4-Кб страниц уже доступны на рынке.

Автор: Ира 17.05.2007 16:35

Новости микроэлектроники: [/b]HP создает новую технологию производства микросхем Представители компании HP сегодня объявили о том, что инженеры и разработчики компании успешно завершили исследования и приступили к созданию прототипов принципиально новых компьютерных чипов и плат, в основе которых лежат нанотехнологии. По словам представителей компании, новые чипы позволят существенно увеличить мощность компьютеров и повысить пропускную способность сетей. На сегодня в компании говорят о том, что благодаря новым разработкам количество работающих частей на едином чипе можно увеличить как минимум в восемь раз, одновременно с этим, понизив энергопотребление электроники. На практике такие разработки могут предшествовать разработкам новых коммуникационных систем, устройств беспроводного доступа, новых систем вещания и целого класса аналогичной любительской и профессиональной электроники. Подход HP необычен тем, что в нем не предполагается уменьшение размера самих транзисторов, а именно такой подход как правило используют производители для повышения мощности и скорости работы электронных устройств. Напомним, что уже на протяжении почти десятка лет производители выпускают все новые поколения транзисторов, которые обладают меньшими размерами и их количество можно увеличить на том же физическом объеме микросхемы. Однако в последние годы данный подход уже был признан тупиковым, так как современное приборостроение приблизилось к той черте, когда дальнейшее уменьшение деталей физически невозможно. Исследователи HP предлагают использовать микроскопические нанотрубки, расположенные в микросхемах вместо транзисторов. Данные нанотрубки будут пронизывать всю поверхность чипа вдоль и поперек в несколько ярусов, в нанотрубках будет храниться и обрабатываться компьютерная информация, переведенная в электронные либо световые импульсы. На сегодня в HP предложили новый класс микросхем FPGA (field programmable gate arrays), работающих на основе данного принципа. Напомним, что современные производители электроники, например компьютерных процессоров, оперируют такими размерами как нанометры (1 нанометр = 1 миллиардная доля метра). Инженеры говорят, что чипы FPGA станут популярны, так как они легко программируются производителями электронных продуктов, таких как коммутаторы или концентраторы. Вместе с тем, конечная стоимость таких чипов будет выше, чем стоимости других чипов, частично из-за того, что в обычных чипах лишь около 20% от общей поверхности чипа является рабочей, в то время как в случае FPGA практически весь чип представляет собой рабочую поверхность. http://www.tcen.ru/cgi-bin/lenta/news805

Автор: Ира 17.05.2007 16:39

IBM внедряет нанотехнологию самосборки http://hard.compulenta.ru/317486/ Корпорация IBM начала внедрение революционной нанотехнологии самосборки, применение которой, как ожидается, позволит существенно улучшить характеристики микрочипов. Процесс самоорганизации повсеместно встречается в природе. Именно благодаря процессам самосборки формируется структура раковин моллюсков, снежинок и зубной эмали. Экспертам IBM удалось адаптировать методику самосборки для формирования триллионов вакуумных микрополостей в структуре микросхем. Такие полости имеют диаметр порядка 20 нанометров и играют роль изоляторов между проводниками. В корпорации IBM подчеркивают, что, по сравнению с самыми передовыми технологиями производства процессоров, новая методика позволяет добиться значительного повышения быстродействия и снижения энергопотребления. В частности, производительность чипов может быть увеличена на 35%, а потребление энергии сокращено на 15%. Другим немаловажным достоинством предложенной технологии является то, что она может использоваться на любой производственной линии, выпускающей продукцию по технологии КМОП. Методика самосборки уже внедрена в передовую производственную линию на заводе IBM в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк). А к 2009 году корпорация IBM намерена перевести на новую технологию все свое производство микрочипов. На начальном этапе процессоры, изготовленные с применением нанотехнологии самосборки, будут использоваться в серверных решениях IBM. Затем корпорация планирует начать поставки чипов сторонним компаниям.

Автор: Ира 17.05.2007 16:42

Медные проводники уступят место оптическим линиям связи http://hard.compulenta.ru/303299/ Эксперты Intel, IBM, а также ряда научно-исследовательских организаций занимаются разработкой новых коммуникационных систем, которые в перспективе позволят соединять чипы с друг с другом при помощи оптических линий. Свои последние достижения в соответствующей сфере, как сообщает Wired News, ученые представят на этой неделе в рамках ежегодной конференции Photonics West в Сан-Хосе (Калифорния). Планируется, что оптические линии связи будут применяться вместо традиционных шлейфов с проводниками из меди. Предполагается, что такие линии будут обеспечивать намного более высокую пропускную способность, нежели современные интерфейсы, позволят сэкономить место внутри корпусов конечных устройств, а также снизить производственные издержки. Оптическая коммуникационная система на чипе предполагает использование трех основных компонентов: модулятора, преобразующего электрические сигналы в световые импульсы, собственно оптической линии связи и декодирующего устройства, формирующего электрический сигнал на основе полученных световых импульсов. Причем в идеале все компоненты желательно расположить на обычной кремниевой пластине, что сократит издержки на внедрение новой технологии и упростит производство. В ходе конференции Photonics West корпорация Intel планирует показать оптический модулятор на кремниевом чипе, способный преобразовывать электрические сигналы в световые импульсы с частотой до 20 ГГц. Специалисты из лаборатории Линкольна при Массачусетском технологическом институте, в свою очередь, продемонстрируют кремниевый детектор, работающий на частоте от 10 до 20 ГГц. Наконец, исследователи IBM добились значительных успехов в области разработки микроскопических проводников для коммуникационных систем нового типа. Не исключено, что уже через 15-20 лет все линии связи внутри чипов будут исключительно оптическими. Впрочем, прежде чем это произойдет, ученым предстоит проделать огромный объем работы.

Автор: Ира 17.05.2007 16:46

Atmel представила интегральную схему драйвера для управления электродвигателями постоянного тока с частотой ШИМ вне слышимого звукового диапазона http://sub.chipdoc.ru/news.php?fn=1226 Компания Atmel сообщила о доступности новой интегральной схемы драйвера ATA6831 с поддержкой повышенной частоты ШИМ, которая позволит плавно управлять электродвигателями постоянного тока при пониженном уровне шума. ATA6831 предназначена для совместной работы с микроконтроллером в целях управления двумя электродвигателями постоянного тока или тремя различными нагрузками в автомобильных и промышленных приложениях, например, управление выпускным механизмом банкоматов. За счет возможности работы с высокими напряжениями (до 40В) ATA6831 может использоваться в грузовых автомобилях с напряжением питания 24В. Благодаря выпуску микросхемы по высоковольтной технологии Atmel "BCD-on-SOI" (SMARTIS), данная интегральная схема отличается превосходной степенью защищенности и чрезвычайно привлекательной стоимостью. Недорогая и малогабаритная интегральная схема ATA6831 представляет собой трехканальный полностью защищенный полумостовой драйвер со встроенным силовым каскадом. Каждый из 3 драйверов верхнего уровня и 3 драйверов нижнего уровня способны управлять токами до 1.0А. ATA6831 разработан с учетом применения в схемах управления электродвигателями постоянного тока по Н-мостовой схеме. Возможность работы с внешним ШИМ-сигналом позволит реализовать функцию плавной регулировки двигателя, а расширение частотного диапазона ШИМ-сигнала до 25 кГц позволит исключить генерацию акустического шума. Задание таких режимов работы двигателя, как реверс, торможение и перевод выходных каскадов в высокоимпедансное состояние осуществляется через интерфейс SPI. ATA6831 выполняет несколько защитных функций, в т.ч. сигнализация и отключение при перегреве, защита от перегрузки и перенапряжения, а также полная защита от коротких замыканий. Некоторые диагностические биты отображаются в регистре вывода интерфейса SPI, что позволяет их считать микроконтроллером. В случае недопустимого снижения напряжения на выводе питания в регистре вывода устанавливается бит нарушения питания и все выходы отключаются. Применительно к биту предупредительной сигнализации перегрева разработчик должен предусмотреть программную процедуру, которая в случае установки этого бита выполнит действия, направленные на снижение рассеиваемой мощности и температуры. Если рост температуры не прекратится и она пересечет установленный уровень, то во избежание выхода из строя интегральная схема отключится. Микросхема также отвечает жестким автомобильным требованиям (защита от внесенных излучений, EMC- и ESD-защита), а также может противостоять переходным процессам в соответствии с ISO/TR 7637. Образцы интегральной схемы ATA6831 доступны в настоящее время в бессвинцовых корпусах QFN18. Для приложений с окружающей температурой до 150°С доступна высокотемпературная версия драйвера ATA6832. Кроме того, для сокращения сроков проектирования выпускается оценочная плата. Сокращения BCDMOS - комбинированная технология, объединяющая биполярные, CMOS и DMOS компоненты EMC - электромагнитная совместимость ESD - электростатический разряд ШИМ - широтно-импульсная модуляция SOI - технология "полупроводник на диэлектрике"

Автор: Ира 17.05.2007 16:56

TВ-тюнер на базе схемы с нулевой промежуточной частотой (ZIF) для систем наземного цифрового телевещания не требует применения ПАВ фильтра http://sub.chipdoc.ru/news.php?fn=1251 Maxim Integrated Products представил MAX3580 ИС TВ-тюнера прямого преобразования на базе схемы с нулевой промежуточной частотой (ZIF) для систем наземного цифрового телевещания (DVB-T). Благодаря архитектуре ZIF и наличию встроенного следящего фильтра высоких частот ТВ-тюнер не требует применения внешних дискретных фильтрующих радиоэлементов и традиционного дорогостоящего ПАВ фильтра, как это обычно имеет место в тюнерах, работающих на средних частотах. Такой подход позволяет максимально сократить номенклатуру применяемых для разработки компонентов и материалов (BOM). MAX3580 работает от одного источника питания с номиналом напряжения 3.3В и потребляет мощность 650мВт, что делает ИС удобной для применения в системах с интерфейсом USB и мобильных мультимедийных системах. MAX3580 выполнен в малогабаритном 32-выводном корпусе TQFN с габаритами 5мм х 5мм и работает в расширенном температурном диапазоне от -40°С до +85°С.

Автор: Ира 17.05.2007 16:59

Цифровой температурный датчик с однопроводным интерфейсом обеспечивает работу в режиме подключения к последовательному каналу и определение собственного местоположения http://sub.chipdoc.ru/news.php?fn=1243 Dallas Semiconductor представила ИС DS28EA00 - цифровой температурный датчик с однопроводным интерфейсом (1-Wire), имеющий точность измерений ±0.5°C и работающий в режиме подключения к последовательному каналу в виде цепочки. Новый режим включения и передачи сигналов протокола дает возможность быстро и автоматически определять местоположение отдельных датчиков в пространстве в случае, когда множество датчиков подсоединено к общей однопроводной сигнальной линии. DS28EA00 подходит для применения в разработках, в которых требуется осуществление точного распределенного цифрового измерения температуры при минимальных затратах и несложности сети соединений. Измерение температуры производится в диапазоне от -40°C до +85°C. Откалиброванный на заводе-изготовителе DS28EA00 обеспечивает ошибку преобразования для худшего случая ±0.5°C в диапазоне измерения температуры от -10°C до +85°C и ±2.0°C в диапазоне от -40°C до -10°C. Оцифровывание измеренной температуры на дифференциальном выходе VBE согласованной пары NPN-транзисторов производится дельта-сигма АЦП первого порядка. Разрешение преобразования программируется пользователем и составляет от 9 до 12 бит. DS28EA00 работает через интерфейс 1-Wire Dallas Semiconductor в соответствии с протоколом, который обеспечивает как сигнальное соединение, так и питание по одной сигнальной линии. Уникальный однопроводный интерфейс дает возможность подключиться к одной сигнальной линии и независимо работать множеству устройств с интерфейсом 1-Wire, в том числе ИС DS28EA00. При применении DS28EA00 (за счет осуществления сигнального соединения и подачи питания через один контакт) удается снизить сложность сети соединений и уменьшить стоимость систем, содержащих множество ИС. Как и все устройства с интерфейсом 1-Wire DS28EA00 имеет уникальный 64-разрядный серийный номер, который используется в распределенной среде выбора определенного устройства при считывании результатов измерения температуры. Это свойство позволяет определять местоположение температурных датчиков. Для соединения множества датчиков DS28EA00 в цепочку используются два дополнительных сигнальных вывода. Ведущий контроллер интерфейса 1-Wire в соответствии с протоколом обмена последовательно, начиная с первого, считывает 64-разрядный серийный номер каждого компонента в цепи. Такое последовательное считывание непосредственно соотносится с физическим расположением DS28EA00 в системе. Кроме того, дополнительный сигнальный вывод имеет двойное назначение и может использоваться либо для определения местоположения устройства в сети, либо в качестве входа-выхода общего назначения (5В/4мA) для управления светодиодными индикаторами или для передачи иных сигналов ввода-вывода. Типичным приложением для DS28EA00 является оборудование, монтируемое в стойках, для которых точное распределенное измерение температуры является важным: базовые станции беспроводной связи, главные офисные коммутаторы, серверы, системы высокого напряжения переменного тока и системы управления производством. Температурный датчик выпускается в 8-выводном корпусе µSOP.

Автор: Ира 17.05.2007 17:04

Первый 200-вольтовый DirectFET транзистор от IR International Rectifier http://sub.chipdoc.ru/news.php?fn=1250 Новый транзистор разработан для применения в изолированных DC/DC-конверторах с питанием от универсальной шины (36...75 В). Обладая ультранизким сопротивлением канала (51 мОм) и низким зарядом затвора, IRF6641TRPbF идеально подходит для синхронных выпрямителей высокоэффективных сильноточных DC/DC-конверторов, работающих на высокой частоте, последнего поколения конверторов шины, привода постоянного тока и даже для 48-вольтовых конверторов ветрогенераторов. Кроме того, он может использоваться в сильноточных AC/DC-конверторах компьютеров и телекоммуникационных серверов с питанием от 48-вольтовой шины. Новый транзистор в корпусе DirectFET типа MZ при габаритах корпуса SO-8 и высоте корпуса 0,7 мм обеспечивает ток 25 А при минимальных потерях проводимости и переключения. Он заменяет до 3 транзисторов в корпусе SO-8 и экономит до 50% площади печатной платы. Транзистор обеспечивает КПД синхронных выпрямителей до 95% или такой же уровень КПД, что при удвоенном количестве транзисторов в корпусе SO-8 и выходном токе 7 А.

Автор: Ира 17.05.2007 17:06

Dallas Semiconductor представил контроллер защищенного доступа с резервным питанием от батареи и неотображаемым статическим ОЗУ объемом 1КБ http://sub.chipdoc.ru/news.php?fn=1248 Dallas Semiconductor представил DS3641, контроллер защищенного доступа с резервным питанием от батареи, являющийся одним из элементов первого промышленного семейства ИС защиты данных в кассовых торговых терминалах и других чувствительных к секретности данных приложениях. За счет встроенного генератора реального времени (RTC), автоматического переключателя батареи, 4-проводнго интерфейса и корпуса CSBGA для дополнительной защиты, контроллер обеспечивает обнаружение попыток несанкционированного вмешательства и быстрое стирание содержимого ключевой памяти. Благодаря высокому уровню защиты DS3641 не только поддерживает 3 и 4 уровень защиты FIPS-140, но также отвечает высоким требованиям стандартов Common Criteria, PCI-PED и EMV-4.1. Главной новацией DS3641 является энергонезависимое SRAM для хранения ключей шифрования. При такой архитектуре памяти ячейки памяти постоянно заполнены, что исключает возможность считывания данных после вывода ИС из строя. Таким образом, технология предотвращает пассивное обнаружение данных оставшихся в ячейках при выходе памяти из строя. Другой новацией является возможность непосредственного стирания массива внутренней памяти объемом 1КБ менее чем за 100нс после обнаружения сигнала о вмешательстве. Уничтожение данных происходит так быстро потому, что задействуется встроенная функция высокоскоростного аппаратного стирания за счет интегрированного источника питания. DS3641 имеет входы обнаружения вмешательства для связи с системой питания, цепями нагрузки, внешними датчиками и устройствами блокировки. Отслеживание состояния этих элементов осуществляется в режиме низкого энергопотребления. ИС отслеживает синхросигнал встроенного генератора реального времени (RTC) и определяет наличие вмешательства, если значение опускается ниже заданного порога. Встроенный датчик температуры включает детектор скорости изменения температуры, который защищает память ключей от термического воздействия. DS3641 постоянно контролирует основной источник напряжения питания. В случае сбоя источника, автоматически активируется внешний источник резервного батарейного питания с целью сохранения работоспособности SRAM, RTC и схемы обнаружения вмешательства. DS3641 работает в температурном диапазоне от -40°C до +85°C.

Автор: Ира 17.05.2007 17:09

Линейные стабилизаторы на 150 мА с ультранизким уровнем шума и сверхнизким падением напряжения для малогабаритных разработок http://sub.chipdoc.ru/news.php?fn=1245 Maxim Integrated Products представил линейные стабилизаторы MAX8840, MAX8841, MAX8842 с ультранизким уровнем шума и сверхнизким падением напряжения (LDO), которые обеспечивают ток 150мА. Выполненные в небольшом корпусе µDFN с габаритами 1мм х 1,5мм х 0,8мм, устройства дают возможность уменьшить общие габариты разработки до 3,9 кв.мм, включая внешние компоненты. Компактность решения делает их подходящими для применения малогабаритных устройствах, таких как сотовые телефоны, смартфоны, КПК и ноутбуки. MAX8840, MAX8841, MAX8842 работают от источника питания номиналом от 2В до 6В, что позволяет осуществлять питание от одноэлементной Li+ батареи. Время работы батареи максимально удлиняется за счет чрезвычайно низкого тока потребления (40 мкА в рабочем режиме, 50нА в режиме отключения). Среднеквадратичное действующее значение выходного шума 11мкВ (при 100Гц) и коэффициент подавления шумов источника питания 78дБ (при 1 кГц) делает MAX8840 идеальным для систем питания схем, требующих малошумящих источников, таких как радиосистемы, камеры мобильных телефонов и источники напряжения смещения импульсных усилителей. MAX8841 имеет уменьшенные габариты корпуса, так как не требует включения шунтирующего конденсатора, что позволяет применять его во встроенных источниках питания процессорных ядер, периферии и схем памяти. MAX8840, MAX8841 имеют фиксированное выходное напряжение номиналом: 1,5В, 1,8В, 2,5В, 2,6В, 2,7В, 2,8В, 2,85В, 3,0В, 3,3В и 4,5В. MAX8842 позволяет запрограммировать при помощи резисторного делителя выходное напряжение в пределах диапазона от 1,225В до 4,5В. MAX8840, MAX8841, MAX8842 имеют вход с активным низким логическим уровнем для отключения, защиту от превышения значения выходного тока и перегрева, работают в расширенном температурном диапазоне (от -40°С до +85°С) и выпускаются в корпусе µDFN с габаритами 1мм х 1,5мм х 0,8мм, не содержащем свинца.

Автор: VAL 17.05.2007 20:28

Ира Большое спасибо за публикацию новостей МЭ!

Автор: crash55 19.05.2007 16:11

Крупнейшая сделка на российском рынке микроэлектроники: зеленоградский "Ангстрем" купит у AMD производство микрочипов в Германии На российском рынке микроэлектроники готовится крупнейшая в его истории сделка. Как стало известно, зеленоградское ОАО "Ангстрем" (производит микроконтроллеры, кристаллы для микропроцессоров, микропроцессоры и другую микроэлектронику), принадлежащее бывшему совладельцу Межпромбанка Сергею Веремеенко, выкупает у концерна AMD его мощности по производству микрочипов в Германии. Эксперты оценивают сделку в $250-300 млн. Информацию о сделке с "Ангстремом" вчера подтвердили в российском представительстве AMD, но ее подробности сообщить отказались, отметив, что купля-продажа еще не завершена. Однако детали сделки раскрыл источник, близкий к владельцам "Ангстрема". Собеседник сообщил, что в собственность зеленоградского предприятия перейдет оборудование завода AMD в Дрездене, позволяющее производить по 0,13-микронной технологии до 12 млн чипов в год. "Оборудование будет демонтировано и вывезено в Южную промзону Зеленограда. На освободившихся площадях в Германии AMD разместит более современную инфраструктуру,– подчеркнул высокопоставленный представитель одной из участвующих в сделке структур.– Мощности в России позволят выпускать продукции на сумму до $1 млрд в год". Кроме того, источник отметил, что значительная часть продукции "Ангстрема" пойдет на экспорт. По его словам, не исключено, что в ближайшие несколько лет бюджет проекта увеличится до $700 млн. Эксперты отмечают, что сделка между "Ангстремом" и AMD превратит подмосковный Зеленоград в аналог американской Силиконовой долины. Располагаясь в нескольких кварталах друг от друга, здесь будут выпускать микросхемы два агрессивных конкурента – "Ангстрем" и головное предприятие микроэлектронного комплекса концерна Sitronics "Микрон". В июле этого года дочерняя структура АФК "Система" осуществила аналогичный "Ангстрему" проект – приобрела у французской ST Microelectronics за $120 млн оборудование для производства чипов по 0,18-микронной технологии. Возможную конкуренцию с "Ангстремом" в концерне комментируют сдержанно. "Я не думаю, что наши интересы будут пересекаться. Мы используем совершенно иную технологию и планируем работать в другой нише",– говорит заместитель гендиректора по связям с общественностью Sitronics Елена Санарова. Эксперты считают проект "Ангстрема" перспективным, он развивается на фоне резкого повышения спроса на микроэлектронные компоненты в России. "Перспективы российского рынка микроэлектроники сейчас очевидны,– говорит аналитик "Атон" Надежда Голубева.– Я не исключаю, что продукция как предприятий Sitronics, так и 'Ангстрема' найдет покупателя в России,– спрос на чипы со стороны оборонки и госструктур растет. Проекты, связанные с внедрением биопаспортов, медкарт, прав и других электронных документов, значительно повысят спрос на эту продукцию". Участники рынка согласны с этим выводом, однако сомневаются в экспортном потенциале продукции "Ангстрем": по их мнению, российские чипы по характеристикам будут уступать зарубежным аналогам. "Технологический процесс 0,13 мкм – это, конечно, уже не передний край микроэлектроники. На мировой рынок – в глобальном понимании –- российским компаниям проникнуть вряд ли удастся,– отмечает гендиректор компании ИВК Григорий Сизоненко.– А вот в России, странах СНГ и некоторых других государствах компоненты, выполненные по нормам 0,13 мкм, могут быть широко востребованы". По информации «Коммерсант»

Автор: Alexander 19.05.2007 20:54

Разработан метод лазерного охлаждения полупроводников Американский ученый разработал метод лазерного охлаждения полупроводников. Несмотря на то, что метод еще не прошел экспериментальную проверку, специалисты считают, что с его помощью можно улучшить эффективность охлаждения инфракрасных детекторов и других электронных приборов. Бактерии могут хранить компьютерные данные Ученые из Японии предложили хранить информацию, кодируя ее в носителе генетической информации - дезоксирибонуклеиновой кислоте бактерий, сообщает Associated Press. Профессор Масару Томита (Masaru Tomita) из Университета Кейо и его команда смогли закодировать с помощью комбинаций азотистых оснований аденина, гуанина, цитозина и тимина формулу Эйнштейна Е=МС2. Ученые считают, что генетический код даже таких простых организмов как бактерии, настолько массивен, что введение такой закодированной информации не влияет на их характеристики. Однако со временем в генах могут происходить мутации, поэтому для успешного хранения данных ученые создали резервные копии в нескольких местах генетического кода бактерий.

Автор: VAL 4.06.2007 16:44

КРИК МОД http://www.outdoors.ru/round/89/r89-12.php Платья бывают разные. На международных демонстрациях моделей одежды публика знакомилась и с металлическими, и с пластиковыми, и даже с деревянными платьями (сделанными из тонких пластинок ценных пород деревьев). Однако модель, изображенная на нашей фотографии, действительно крик моды. Даже двух мод одновременно - моды на экстравагантную одежду и моды на компьютеры. Ибо перед нами - платье... спаянное из "чипов", интегральных схем. Надо полагать, "чипы" соединили между собой хаотично, но, если пофантазировать, можно представить такое платье будущего, в котором система интегральных схем образует искусственный интеллект. Нет, пожалуй, фантазию надо вовремя останавливать. Мыслящее платье, которое спорит с хозяйкой при выборе цвета говорящей обуви,- это уже слишком...

Автор: VAL 12.12.2007 18:45

Есть ли новости в микроэлектронике? Кто ззнает?

Автор: Zorander 16.02.2008 15:55

Ну что ж, начну публиковать статьи или набирать самостоятельно(может быть) свои по микроэлектронике и электронике. Для начала хотел бы перенести сюда маленькую обзорную статью про транзисторы. Именно транзисторы, потому что недавно им исполнилось 60 лет, они прошли большой этап и притерпели уже 3 транзисторных революции, а их долгосрочное будущее видно лишь в очертаниях. Но учитывая скорость развития, я думаю, что мы еще увидим, по какому же пути пошло это развитие. 60-летие транзисторной технологии Уже прошло 60 лет с тех пор, как были изобретены транзисторы и почти 50 лет с тех пор, как они были интегрированы в кремниевые чипы. Эти миниатюрные выключатели стали поистине нервными клетками информационного века. Устройства, миниатюризация которых стала мерой гонки в разработке все более крошечных и более дешевых электронных узлов, стали настолько маленькими, что на горизонте замаячил день, когда дальнейшее уменьшение транзистора станет уже физически невозможным. Поскольку минимальная толщина кремниевого слоя остается одной и той же для всех производителей микрочипов, ситуация становится более и более драматичной; и регулярное падение цен на компьютерную технику несколько лет спустя может внезапно снизить обороты. А двигатель цифровой революции наткнется на непреодолимую стену. Еще в 1965 году Гордон Мур (Gordon Moore), соучредитель корпорации Intel, совершил свое знаменитое предсказание о том, что число транзисторов на чипе каждые два года будет удваиваться. Сегодня он утверждает, что непреодолимая преграда для транзисторной техники становится все более и более ощутимой. «Я думаю, это произойдет в течение примерно десяти лет», – говорит он о явлении, известном теперь как закон Мура. «Ситуация сложится нелегкая. Однако подобные застои уже имели место в истории человечества». В страхе перед днем, когда число транзисторов на одном чипе достигнет максимума, производители вкладывают миллиарды долларов в разработки новых технологий. Компания Intel, крупнейший в мире производитель полупроводниковых узлов, предсказывает появление ряда «чисто умозрительных» альтернативных технологий, таких, например, как квантовое исчисление, оптические переключатели и другие методики, нужда в которых возникнет после того, как в районе 2020 года вступит в силу закон Мура. «Сегодня все меняется значительно быстрее, чем это происходило в течение предыдущих десятилетий,» – заявляет главный технолог корпорации Intel Джастин Рэттнер (Justin Rattner). «Скорость перемен растет, мы приближаемся к ряду различных физических ограничений одновременно. Мы постоянно работаем только для того, чтобы раз от разу убеждаться в справедливости закона Мура». Транзисторы работают подобно обычным выключателям, они постоянно переключаются в положение включено/выключено, что позволяет им постоянно генерировать потоки нулей и единиц, необходимых для обработки компьютерной информации. Транзистор был изобретен учеными Уильямом Шокли (William Shockley), Джоном Бардином (John Bardeen) и Уолтером Брэттеном (Walter Brattain) для изменения громкости в телефонах в рамках проекта Bell Labs, открытие, за которое они позже разделили на троих Нобелевскую премию по физике. 16-го декабря 1947 года доктора Бардин и Брэттен создали первый транзистор. Месяц спустя, 23-го января 1948 года, доктор Шокли, член той же исследовательской группы, изобрел еще один тип транзистора, который впоследствии стал предпочтительным вариантом, поскольку его производство было намного более простым. Постоянное снижение размеров транзисторов плюс их низкое энергопотребление не оставили шансов громоздким лампам, используемых в то время для усиления электрических сигналов и переключения электрических токов. Впервые замену ламповой техники транзисторной произвела компания AT&T. В итоге транзисторы нашли свое применение в портативных радиоприемниках. Сегодня основная сфера их применения – блоки в интегральных схемах; последние, кстати, стали еще одним изобретением, за которое была вручена Нобелевская премия. Интегральные схемы теперь стали основой для микропроцессоров, чипов памяти и других видов полупроводниковых устройств. С момента изобретения интегральных схем в конце 1950-х годов – независимо друг от друга работником корпорации Texas Instruments Джеком Килби (Jack Kilby) и будущим соучредителем компании Intel Робертом Нойсом (Robert Noyce) скорость инноваций начала расти в геометрической прогрессии. Число транзисторов в микропроцессорах подскочило с нескольких тысяч в 70-х годах до почти миллиарда сегодня – потрясающий результат, благодаря которому современные компьютеры достигли невообразимой прежде мощи. «Я думаю, транзистор прослужит еще какое-то время,» – утверждает Гордон Мур. «Всегда существовали проекты, призванные заменить эту технологию, делать какие-то предсказания в данном аспекте всегда проблематично, однако я не знаю ничего, что действительно могло бы его заменить». Сегодня одной из насущных проблем является перегрев компонентов, которые, в свою очередь, становятся все меньше и меньше. Это ведет к активным поискам новых материалов, а также других способов повышения производительности. В 2007 году корпорации Intel и IBM независимо друг от друга объявили о разработке способа увеличения эффективности транзисторов. Решение заключается в замене диоксида кремния, использовавшегося в последние 40 лет как изолятор, но ставшего слишком тонким, различными металлами на участках, называемых затворами, которые включают и выключают транзистор, и диэлектрическим затвором – изолирующим слоем, помогающим увеличить производительность и КПД транзистора. «Единственное, что предсказывается чаще, чем закон Мура – это отрицание оного, это утверждение о том, что все мы ошибаемся,» – заявил главный технолог корпорации Sun Microsystems Грег Пападопулос (Greg Papadopoulos). Ну что же, кто прав, а кто ошибался - покажет только время. http://www.mobiledevice.ru/Intel-AT-T-IBM-Sun-Microsystems-Technology-tranzistor-mikroproce.aspx

Автор: Abrikos 24.02.2008 00:12

Кафедра Микро- и наноэлектроники сейчас занимается разработкой высокочувствительного масс-спектрометра. Человечество давно борится с терроризмом и контрабандой. Одним из методов борьбы является контроль за транспортировкой оружия и нераспространением наркотиков. Для этого на постах используют специально обученных собак, но хорошо загерметизированные объёмы позволяют обмануть нюх собаки. Наш масс-спектрометр способен идентифицировать даже самые малые концентрации взрывчатого вещества или наркотика. Естественно, каждый пограничник мечтал бы о таком портативном устройстве.

Автор: VAL 25.02.2008 14:09

QUOTE Естественно, каждый пограничник мечтал бы о таком портативном устройстве... Обожаю все, что портативно и микро....

Автор: VAL 25.02.2008 14:10

Zorander Вперед!

Автор: Zorander 25.02.2008 20:24

Прямой медный контакт идет на смену пайке Новый способ присоединения микрочипов к внешним электронным схемам позволит увеличить скорости передачи информации внутри компьютера. По мере того, как усложняются компьютеры, растет и число соединений между микросхемами и внешними электронными схемами, такими как системные платы или модули беспроводной связи. Для оптимизации работы интегрированных схем и сборок требуется улучшить и способы соединений между отдельными элементами, чтобы уменьшить потери и обеспечить возможность работы на более высоких частотах. Пол Коль (Paul Kohl), профессор технического университета штата Джорджия (США), представил на заседании Американского общества по исследованию материалов работу, в которой предложен новый подход к соединению элементов в микроэлектронике, способный увеличить объем и скорость передачи информации между отдельными блоками. Проф. Коль предложил использовать вместо традиционной пайки с припоем на основе олова метод, в котором элементы соединяют с помощью медных микростержней. Медь имеет лучшую проводимость по сравнению с оловом, и у нее не хуже, чем у олова, механические свойства. Не менее важен, по мнению профессора, тот факт, что использование меди позволит увеличить число соединений между элементами и улучшить прочность этих соединений. Процесс вертикального соединения двух проводников, который проф. Коль осуществил в условиях лаборатории, выглядит следующим образом. Сначала на поверхность каждого из проводящих материалов наносят небольшой кусок меди с помощью метода электроосаждения. Дальнейшая обработка идет уже без использования электричества, и формирование соединения происходит в результате одновременно протекающих химических реакций. Окончательная стадия обработки - нагрев до 180 градусов Цельсия, без которого соединительный медный проводник будет слишком хрупким. В работе приняли участие также компании Texas Instruments, Intel и Applied Materials, которые помогли сделать ряд технологических улучшений. В своем докладе Коль сообщил и о другой интересной разработке, позволяющей улучшить передачу сигнала в длинных линиях и сократить потери. Эта работа очень важна для высокопроизводительных серверов и маршрутизаторов. Улучшение показателей удалось добиться за счет использования многослойных структур из меди и титана, а также полимерных соединений, обработанных термически и с помощью ультрафиолетового облучения.

Автор: Zorander 2.03.2008 18:37

Ученые измерили силу, необходимую для передвижения атомов Ученые из IBM в сотрудничестве с Регенсбургским университетом впервые измерили силу, необходимую для передвижения отдельных атомов на твердой поверхности. Исследователи измерили как численное значение, так и направление силы, требующейся для передвижения атома или молекулы. Для этого они использовали новый микроскоп, имеющий возможности как атомно-силовых, так и сканирующих туннельных микроскопов. Изгибающаяся при взаимодействии с образцом часть зонда микроскопа была выполнена из кварца. Исследовательская группа обнаружила, что необходимая для передвижения сила значительно меняется в зависимости от материала поверхности, а также от того, что требуется транспортировать - атом либо молекулу, даже в случае, если молекула имеет малый размер. Так, сила, необходимая для перемещения атома кобальта по гладкой поверхности платины составляет 210 пиконьютонов, в то время как перемещение атома кобальта на медной поверхности требует приложения силы величиной лишь 17 пиконьютонов. Для сравнения - чтобы поднять медную монету массой 3 г требуется приложить силу в 30 млрд пиконьютонов. Определение силы, необходимой для продвижения атомов на конкретных поверхностях с прецизионной точностью требуется для проектирования и конструирования устройств атомного масштаба: компьютерных микросхем, миниатюрных систем хранения данных и многого другого.

Автор: Zorander 2.03.2008 18:45

Новая разработка TI может привести к появлению сверхэкономичных чипов Компания Texas Instruments в рамках Международной конференции по твердотельным схемам ISSCC 2008, проходящей в Сан-Франциско (Калифорния, США), обнародовала информацию о новой технологии, теоретически позволяющей создавать сверхэкономичные микрочипы. Как сообщается, исследования в области микросхем с низким напряжением питания велись специалистами Texas Instruments в сотрудничестве с экспертами Массачусетского технологического института. Результаты работ были продемонстрированы на примере широко распространенного микроконтроллера TI MSP430. Ученые отмечают, что новая методика позволяет создавать чипы с рабочим напряжением всего в 0,3 В, тогда как для обычных микросхем данный показатель, в лучшем случае, составляет 1 В. Для понижения рабочего напряжения исследователям пришлось применить ряд инновационных решений. В частности, непосредственно в чип был встроен преобразователь постоянного тока, осуществляющий уменьшение напряжения. Такая схема, по словам специалистов, обладает более высокой эффективностью по сравнению с устройствами, у которых преобразователь тока выполнен в виде независимого компонента. Однако в настоящее время технология Texas Instruments является по большей части экспериментальным проектом, и на ее вывод на рынок может уйти до пяти лет. Однако, подчеркивают разработчики, практическое использование методики в перспективе может привести к появлению сверхэкономичных портативных устройств и даже имплантируемого медицинского оборудования, работающего от тепла человеческого тела. http://www.compulenta.ru/

Автор: Zorander 28.03.2008 19:21

Графен: перспектива для ЖК-дисплеев Графен, в дополнение к рекордным показателям тепло- и электропроводности, продемонстрировал и замечательные оптические свойства. Группа ученых из Великобритании и России представила результаты изучения оптических свойств графена - двумерного кристалла из атомов углерода. В составе группы - первооткрыватели графена Андре Гейм и Константин Новоселов из Манчестерского университета и Сергей Морозов из Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН. Новая работа группы открывает направление использования графена в создании различных оптоэлектронных устройств, в первую очередь - в ЖК-дисплеях. Исследователи установили, что графен пропускает до 98% света, что значительно выше показателя пропускания лучших материалов из оксида индия-олова (82-85%). Эти материалы обладают также и высокой электропроводностью, что и позволяет использовать их в качестве прозрачных электродов, управляющих поляризацией и состоянием жидких кристаллов. У графена, помимо более высокой прозрачности и электропроводности, есть и другие преимущества перед оксидом индия. Во-первых, индия в скором времени может просто не остаться - это очень редкий, а, значит, и дорогой элемент. Во-вторых, его соединение с кислородом не слишком стабильно, и со временем оно может выделять ионы как индия, так и кислорода. Графен же недорог и очень стабилен. Ученым удалось решить еще одну важную проблему - создание больших фрагментов графена. Первые образцы графена были получены расщеплением графита на отдельные слои. Новая технология состоит из нескольких этапов. Сначала графит помещают в сосуд с диметилформамидом (органический растворитель) и подвергают облучению ультразвуком в течении 3 часов. Эта процедура приводит к образованию в растворе отдельных графеновых фрагментов. Дальнейшее центрифугирование позволяет разделить небольшие фрагменты от монослоев графена, которые затем наносят на стеклянную поверхность и нагревают до 250 градусов Цельсия в газовой смеси водорода и аргона. Полученные слои графена большой площади не всегда имеют толщину в один атом, их может быть и четыре, однако оптические свойства их близки к показателям тех маленьких образцов, которые получали методом расщепления слоев графита, сообщает Physics World.

Автор: Zorander 28.03.2008 19:25

Графен: рекордная подвижность электронов Графен в очередной раз продемонстрировал замечательные перспективы для его использования в будущих электронных устройствах. Как и предсказывали ученые, у графена - двумерного кристалла из атомов углерода - обнаруживаются необычные свойства и рекордные показатели. Недавно была выявлена рекордная теплопроводность графена, почти в 10 раз превышающая показатели алюминия и меди. В новой работе физиков из центра нанофизики при университете штата Мериленд (США), опубликованной в Nature Nanotechnology, представлены результаты измерения удельного сопротивления и подвижности электронов в графене. Удельное сопротивление графена при комнатной температуре выше (на 35%), чем у меди (1,72*10-8 Ом*м), уступающей по этому параметру лишь серебру 1,59*10-8 Ом*м). Однако проф. Майкл Фурер (Michael S. Fuhrer), руководитель работы, считает, что дальнейшая очистка пока еще не слишком совершенных образцов графена может изменить ситуацию, и графен может и тут оказаться рекордсменом. При измерении подвижности электронов - другого параметра, характеризующего электрические свойства вещества - были также получены интересные результаты. Подвижность электронов в графене достигала 10 000 см2/В*с. Это почти на два порядка превышает значение подвижности в кремнии (1400 см2/В*с), хотя и уступает рекордной подвижности в антимониде индия (77 000 см2/В*с). <>p Теоретически возможная подвижность электронов в графене составляет 200 000 см2/В*с, и нынешний результат, по мнению авторов, также связан с дефектами образцов графена, а также с самим методом измерения, при котором графен наносится на слой диоксида кремния, который вносит свой вклад в рассеяние фононов. Подвижность носителей тока определяет способность электронов и дырок в металлах и полупроводниках реагировать на воздействие внешних электрических полей. Этот показатель чрезвычайно важен для быстродействия современных электронных устройств (в частности, полевых транзисторов). Высокая подвижность электронов, низкое удельное сопротивление и минимальная толщина графена (всего один атом) открывает перспективы для создания различных химических и биохимических датчиков, а также различных вариантов тонких пленок, которые могут найти применение в сенсорных экранах или фотоэлектрических устройствах для преобразования солнечной энергии.

Автор: ZlodeykA 6.04.2008 09:24

NXP представляет самый миниатюрный в мире высокоскоростной MOSFET NXP Semiconductors, независимая компания, основанная корпорацией Philips, представляет сегодня новую серию малосигнальных полевых МОП-транзистров (MOSFETs), размещенных в уникально-миниатюрном корпусе - SOT883. Благодаря своим ультрамаленьким размерам (всего 1.0 x 0.6 мм) корпус SOT883 транзисторов MOSFET компании NXP имеет показатели рассеиваемой мощности и быстродействия сравнимые с показателями транзисторов в корпусе SOT23, в то время как занимают только 14% их площади на печатной плате. Ультрамаленький корпус SOT883 транзисторов MOSFET разработан для широкого применения в приложениях, включая модули DC/DC-преобразователей, источники питания для жидкокристаллических телевизоров, переключатели нагрузки для мобильных телефонов и другой портативной техники. Имея низкий профиль - 0.5 мм и лучшую в данном классе скорость переключения сигнала, а также очень низкое сопротивление открытого канала Rds(on), данная серия транзисторов позволяет производителям удовлетворять потребности заказчиков в более компактных и высокоэффективных решениях. По словам Дина Монтано (Dean Montano), менеджера по маркетингу продукции компании NXP Semiconductors, «рыночный спрос на все более компактные портативные устройства с увеличенной емкостью аккумуляторов заставляет производителей интегрировать сложные функциональные решения в меньшие по размеру устройства». Он также утверждает, что «созданные на проверенной бессвинцовой технологии изготовления плоских корпусов с четырёхсторонним расположением выводов (Quad Flat technology), транзисторы MOSFETs SOT883 компании NXP имеют эффективный и экологически чистый корпус, который все еще обеспечивает высокий уровень производительности, необходимый для работы современных сотовых телефонов и компьютерные приложения для мобильных устройств. В дополнение к существенному уменьшению площади МОП-транзисторов MOSFET, NXP создала безвыводные корпуса, что позволяет высвободить дополнительное место на печатной плате и улучшить тепловые характеристики. Эта комбинация превосходных показателей теплового сопротивления и сопротивления открытого канала Rds(on) менее чем 0.65 Ом при напряжении в 2.5 В, позволяет новым МОП-транзисторам компании NXP выдерживать предельную нагрузку по току больше, чем это делают МОП-транзисторы размером 1.0 x 0.6 мм. Транзисторы новой серии также демонстрируют лучшую в этом классе скорость переключения со временем включения 12-16 нс и временем выключения 17-24 нс. http://sub.chipdoc.ru/news.php?fn=1371

Автор: ZlodeykA 6.04.2008 09:34

11-я Международная выставка электронных компонентов и технологического оборудования «ЭкспоЭлектроника» Крупнейшая отраслевая выставка России и Восточной Европы! Дата открытия: 15 апреля 2008 Дата закрытия: 18 апреля 2008 Место проведения: МВЦ Крокус Экспо Организаторы: ООО «ПРИМЭКСПО», ITE Group Plc 15–18 апреля в выставочном комплексе Крокус Экспо (Москва) пройдет 11-я Международная выставка электронных компонентов и технологического оборудования «ЭкспоЭлектроника». Выставка является первой по значению и масштабу отраслевой выставкой в России и крупнейшей в Восточной Европе. Ежегодно ведущие российские и зарубежные производители демонстрируют последние разработки и новинки отрасли. «ЭкспоЭлектроника» постоянно растет и развивается. В 2007 году площадь выставки составила 18 750 кв.м., участие приняли 467 компаний из 21 страны мира, доля иностранных экспонентов составила 34,6% от общего количества. В 2008 году участие примут уже более 500 компаний из 25 стран мира. На выставке соберутся ведущие российские и зарубежные производители и дистрибьюторы. Свою продукцию представят мировые производители, такие как «Agilent Technologies», «Analog Devices», «Infineon Technologies», «Hamamatsu», «National Instruments», «Panasonic», «Omron Electronics», «Tektronix», «Tyco Electronics», «Sharp», «Rohde & Schwarz». «ЭкспоЭлектроника» - это единственная выставка, которая не только активно привлекает дистрибьюторов иностранных компонентов, но и поддерживает российских производителей. Стабильный рост и развитие выставки обусловлены непрерывной работой по изучению тенденций и потребностей рынка и концентрацией на интересах клиента со стороны организаторов, что позволяет экспонентам извлекать максимальную пользу из участия. В 2005 году выставке были присвоены Знак Российского Союза выставок и ярмарок (РСВЯ) и знак UFI - знаки высокого качества выставочного мероприятия.

Автор: Zorander 20.04.2008 20:32

mosfet? если это кусок из какой то статьи, то нехило было бы объяснить популярно для людей, что да и как. имхо, статья ужасна. а вот про выставку =))) Lerk на нее ездил. Надо будет его попросить, чтобы поделился впечатлениями тут)) Лично я зачетно посмеялся, когда он рассказывал

Автор: Lerk 20.04.2008 21:50

QUOTE (ZlodeykA @ 6.04.2008 10:34) 11-я Международная выставка электронных компонентов и технологического оборудования «ЭкспоЭлектроника» Крупнейшая отраслевая выставка России и Восточной Европы! Дата открытия: 15 апреля 2008 Дата закрытия: 18 апреля 2008 Место проведения: МВЦ Крокус Экспо Организаторы: ООО «ПРИМЭКСПО», ITE Group Plc Да, я там был Выставка была очень масштабной и познавательной(для меня). Ходил я там со своим отцом и его коллегой с работы. Вообще выставку можно условно разделить на две категории - поставщики комплектующих и готовые изделия. Последние, к слову, оооочень дорогие. В общем касательно наших поставщиков - смех сквозь слезы. Одни срывают сроки поставки на 3 месяца, другие цены поднимают в 2 раза без предупреждений (они монополисты в своей нише)... А вот фирмы-гиганты очень порадовали(не ценами). К примеру, производитель (не только) осциллографов - были все от мала до велика, НО все уже цифровые (тока у нас в мифи допотопные аналоговые). Причем топовые модели(не спрашивайте цену :D) имеют полосу пропускания в районе 9ГГц (от 9 до 18), нам один мужчина продемонстрировал его возможности - вставил в него антенну. Щелкнул пару кнопочек на встроенном мониторе (ЖК ~14дюймов, 1280*960 где то) и появился график, динамический активности радиоволн. Включил рядом блютус - опа, на графике определенная частота вскочила вверх на пару см относительно остального графика. Еэели поднести мобилку к антенне, то график вообще "колбасило" по самое не балуй Еще очень впечатилили установки по сборке(автоматической) плат. За 90минут такой автомат ("средней руки") сам собирает плату из серии ATX, причем вся элементная база подается в автомат с блистеров. Основное рабочее устройство - вращающаяся головка с примерно 12 вакуумными присосками, которыми она эту эл. базу набирает и потом "едет" к плате. В общем и целом выставка произвела положительное впечатление. Так что всем советую в след. году сходить, но со знающим человеком, иначе будет не интересно.

Автор: VAL 20.04.2008 22:16

Lerk Большое спасибо за информацию. Жаль, что я не знал (точнее не отследил эту выставку!).... Есть (или была?) такая традиция: студенты специально ходили на выставку и приносили оттуда преподавателю информатики кипу буклетов, справочников, журналов, демо-дисков, плакатов, фирменных авторучек (собираю коллекцию, однако) и т.д. Если есть что-то полезное по курсу КП-08 (и не жалко отдать!), то буду благодарен. Еще, по-моему, будет какая-то выставка по софту (или сетям) в мае. Хотелось бы и оттуда что-то иметь...

Автор: Lerk 20.04.2008 22:32

VAL Т.к. выставка было по электротехнике, а не даже компьютерному "железу", то и буклетов для КП нету. Там же буклеты все были из серии:"Какими технологиями намотки проволоки на колечко обладает данное предприятие" ну или что то в таком ключе. Про выставку софта в мае не слышал, но если узнаю и заинтересуюсь - схожу

Автор: Zorander 23.04.2008 23:04

Немного новостей. ИМХО - новость интересная, но широкого применения не получит, т.к. не вижу смысла в кремние на поверхности бумаги и/или пластмассы. Микросборки должны выдерживать перегрузки, о каких перегрузках идет речь при таких материалах? Хотя мб в космических технологиях и пригодится... Разработана новая технология кристаллизации кремния Тонкий слой алюминия на поверхности аморфного кремния способен значительно снизить температуру кристаллизации. Новый способ управления процессом кристаллизации аморфного кремния, разработанный сотрудниками института металловедения им. Макса Планка в Штутгарте (ФРГ), позволит снизить температуру перехода в кристаллическое состояние с 700oС до 150oC, причем в этом диапазоне может быть получено любое значение температуры. Такое заметное снижение температуры даст возможность существенно упростить процесс производства кристаллического кремния и использовать при создании готовых изделий такие материалы, как пластмассы или бумага, на поверхности которых можно будет создавать тонкие слои кремния. В эксперименте немецких ученых использовался щелевой кристаллизатор. Поверхность аморфного кремния (a-Si) покрывали тонкой пленкой алюминия. Влияние металлов на снижение температуры кристаллизации было известно и ранее, но алюминий с этой точки зрения исследовался впервые. Алюминий, по сути, позволяет снизить энергию, необходимую для активизации процесса кристаллизации. Кристаллизация начинается на поверхности зерен алюминия при достижении некоторой критической толщины алюминиевой пленки. Ученым удалось выяснить, что для снижения температуры кристаллизации до 200oC нужно иметь пленку толщиной около 20 нм, при меньшей толщине температура возрастает. Толщина пленки косвенным образом определяет соотношение поверхностной энергии и энергии кристаллической решетки. Поначалу на границах зерен алюминия формируется не слишком упорядоченный кристалл кремния, однако затем в ходе кристаллизации структура становится всё более совершенной и упорядоченной, поскольку этот процесс происходит с понижением свободной энергии (термодинамического потенциала). Хотя исследователям удалось научиться управлять процессом кристаллизации, детали процесса пока не ясны. В частности, непонятно поведение фрагментов алюминиевой пленки в ходе кристаллизации. Известно лишь, что отдельные атомы алюминия мигрируют по кристаллу и затем собираются в нижней части кристаллического блока кремния.

Автор: ZlodeykA 10.05.2008 17:27

MOSFET-транзисторы низкого сопротивления с уменьшенной потерей энергии и повышенным КПД от Fairchild Semiconductor.

Автор: Zorander 15.05.2008 18:22

В графене наблюдался эффект квантования проводимости Американские ученые утверждают, что им впервые удалось наблюдать эффект квантования проводимости в графене. Несмотря на то, что квантовая проводимость уже была открыта у полупроводящих нанопроводов и углеродных нанотрубок, наблюдать ее в графене пока никому не удавалось. Д-р Ю-Минь Лин (Yu-Ming Lin) и его коллеги из исследовательского центра IBM наблюдали эффект квантования проводимости в графеновых нанолентах, изготовленных из однослойных листов графена, разместив их на кварцевых/кремниевых подложках. Наноленты шириной 30 нм изготавливались методом электронно-лучевой литографии. Электрические свойства полученных наноструктур затем измерялись при различных температурах, сообщает PhysicsWorld. Пока ученым удалось наблюдать квантование проводимости в нанолентах графена при температуре 80 К. Однако д-р Лин и его коллеги надеются, что им удастся изготовить ультраузкие каналы, в которых эффект будет проявляться уже при комнатных температурах. Кстати говоря, на нашей кафедре Графен тоже изучается, интересно на какой стадии?...

Автор: Zorander 15.05.2008 18:26

Создан прототип логического элемента для фотонного компьютера Управление потоком фотонов в компьютерах можно будет осуществлять с помощью нового логического элемента на основе квантовых точек. Сотрудники факультета электротехники Стэнфордского университета под руководством проф. Елены Вукович (Jelena Vuckovic) разработали прототип логического устройства, осуществляющего взаимодействие отдельных фотонов. Статья опубликована в последнем номере журнала Science. Американские исследователи создали квантовую точку внутри фотонного кристалла, введя в сферическую полость в арсениде галлия микроскопический шарообразный фрагмент из арсенида индия. Полученное таким образом устройство оказалось способным к захвату фотонов, которые взаимодействуют между собой на квантовой точке. В отличие от предыдущих подобных попыток, где использовались сложные системы захвата фотонов и наблюдения их взаимодействия, ученым удалось создать систему, где они смогли продемонстрировать взаимодействие двух фотонов в одной квантовой точке. К тому же, стоит отметить, что материалы и способы их использования давно освоены микроэлектронной промышленностью. Логический вентиль в цифровых схемах выполняет элементарную логическую операцию, итогом которой является преобразование множества входных логических сигналов в выходной логический сигнал. Например, одна из операций может состоять в том, что на выходе будет "1" в том случае, если оба входных сигнала также равны "1", и "0", если один из входных сигналов равен "0". Аналогичным образом квантовый фотонный вентиль должен определять свойства поступающих в него фотонов из двух источников и выдавать на выходе фотон с одним из двух возможных вариантов поляризации. Эксперимент, описанный в статье американских ученых, заключался в том, что сначала на квантовую точку направляли один поток фотонов, при этом на квантовой точке происходило поглощение и переизлучение фотонов без какого-либо изменения их свойств. Однако при облучении квантовой точки двумя потоками ситуация меняется - если сначала в нее попадает "контрольный" поток, то затем, после попадания в нее "сигнального" потока, время пребывания фотонов внутри квантовой точки изменяется, что соответствует возникновению фазового сдвига между контрольным и сигнальным потоком или повороту плоскости поляризации. В эксперименте был достигнут фазовый сдвиг 12,6 градуса. Это пока далеко до 180 градусов, соответствующих изменению поляризации на противоположное, что является обязательным условием для работы квантового логического вентиля. Исследователи считают, что решить проблему можно путем размещения последовательности нескольких квантовых точек, которые в совокупности смогут обеспечить требуемый фазовый сдвиг. Того же эффекта можно будет добиться при совершенствовании технологии получения квантовых точек и точности их позиционирования внутри кристалла.

Автор: Shadow 25.05.2008 19:55

Производители микросхем планируют переход на 450-миллиметровые подложки Компании Intel, Samsung и TSMC пришли к соглашению о необходимости общеотраслевого сотрудничества с целью перехода на кремниевые подложки диаметром 450 миллиметров в начале следующего десятилетия. В корпорации Intel отмечают, что переход на кремниевые подложки большего диаметра позволит снизить себестоимость производства микросхем, повысить эффективность использования энергии и сократить выбросы вредных газов в атмосферу. Площадь поверхности 450-миллиметровых подложек более чем в два раза превышает аналогичный показатель для применяющихся сейчас подложек с диаметром 300 миллиметров. Соответственно, из одной 450-миллиметровой подложки можно получить вдвое больше конечных изделий. Традиционно переход на кремниевые подложки большего диаметра происходил один раз в десять лет. Так, например, производители начали применять подложки с диаметром 300 миллиметров в 2001 году - спустя ровно десятилетие после ввода в эксплуатацию первых 200-миллиметровых линий в 1991 году. Поэтому Intel, Samsung и TSMC считают наиболее подходящим временем для начала использования 450-миллиметровых подложек 2012 год. Компании отмечают также, что полупроводниковая промышленность может повысить прибыль на инвестированный капитал и снизить затраты на научные исследования за счет применения согласованных стандартов и точного выполнения графика намеченных работ. Компания Samsung подчеркивает, что от перехода на кремниевые подложки с диаметром 450 миллиметров выиграет вся отрасль интегральных схем. При этом тесное сотрудничество крупнейших компаний и организаций позволит свести к минимуму затраты, связанные с внедрением новых технологий, и ускорить процесс инноваций.

Автор: VAL 4.03.2009 18:30

Объявляется набор ведущих для новостей микро- и наноэлектроники Возможно работа ведущим поможет написать реферат.

Автор: VAL 15.03.2009 20:31

Где же новости? Хотя бы с Нанометра http://www.nanometer.ru/news_list.html или ПЕРСТа http://perst.isssph.kiae.ru/ Есть и другие интересны источники информации: http://popnano.ru/news/index.php?tag=%CC%C8%D4%C8 или http://dailyscience.ru/372.html Конечно, нужно отобрать то, что связано с наноэлектроникой и посмотреть, а не было ли уже на ВАЛинфо этой новости!

Автор: VAL 7.10.2009 21:12

Сверхтонкие провода внутри нанотрубок http://www.nanonewsnet.ru/news/2009/sverkhtonkie-provoda-vnutri-nanotrubok Опубликовано empirv в 1 октября, 2009 - 11:03 Исследователи из Японии вырастили сверхтонкие металлические провода внутри нанотрубок в надежде что результаты их работы (цепочка толщиной в один атом металла) сможет улучшить компоненты наноэлектронных приборов. Металлические провода толщиной в один атом демонстрируют интересные электронные свойства, однако эти структуры отличаются высокой хрупкостью и легкостью к окислению, что, несомненно, осложняет их изучение. Рио Китаура (Ryo Kitaura) вместе с коллегами из Университета Нагойи попытались решить эту проблему, вырастив провода в оболочке, защищающих их нанотрубок. Новый подход позволяет изучать такие провода. Китаура отмечает, что процесс выращивания нанотрубок с вложенными металлическими проводами очень прост. Исследователи помещали углеродные нанотрубки и порошок металла (как правило, сублимирующегося при сравнительно низкой температуре) в стеклянную ампулу и нагревали ее содержимое при температуре 500–600 градусов Цельсия. Испаряющиеся атомы металла заполняют полости в нанотрубках, образуя провода с толщиной в один атом. Изменение толщины нанотрубок позволяет контролировать толщину металлических проводов – исследователи получили как провода, диаметр которых составлял несколько атомов, так и цепочки, состоящие из одиночных атомов.

Автор: McFly 21.12.2009 22:47

Транзисторы из нанотрубок http://www.nanometer.ru/2009/11/22/ibm_159205.html# Для многих современных электронных приспособлений требуются тонкопленочные транзисторы (ТПТ), для изготовления которых широко применяется аморфный кремний. Но эта технология требует применения высоких температур и характеризуется сравнительно малой оперативностью работы получаемых устройств. Недавно начались попытки внедрения органических ТПТ, но они тоже имеют проблему невысокой скорости переключения транзисторов. Наиболее перспективными материалами для тонкопленочных транзисторов сейчас считаются одностенные углеродные нанотрубки (УНТ). УНТ отличаются способностью проводить достаточно большие токи и довольно низким электросопротивлением. На их основе уже создаются электронные схемы с ТПТ, характеризующиеся относительно быстрым срабатыванием, отличной проводимостью, гибкостью и прозрачностью. Но применяемые технологии синтеза УНТ приводят к одновременному образованию двух типов УНТ: с металлической проводимостью (около 33% от общего количества) и полупроводниковых (около 67%). Только метод CVD позволяет достигнуть несколько большей, но, все равно, недостаточной для практического применения доли полупроводниковых трубок. Как правило, требуемая доля составляет 99% (например, для технологических процессов, разрабатываемых компанией IBM). [IMG]http://www.nanometer.ru/2009/11/22/ibm_159205/PROP_IMG_images_3/3.jpg[/IMG]

Автор: McFly 21.12.2009 23:00

Схема устройства тонкопленочного транзистора на основе УНТ

Автор: Alexashka 22.12.2009 10:14

Гибкая органическая флеш-память Флеш-память (энергонезависимая память) может хранить информацию определенное время после отключения от источника питания. Во многих устройствах бытовой электроники (цифровые камеры, mp3-проигрыватели) применяются кремниевые компоненты флеш-памяти. Создание гибких органических деталей для энергонезависимой памяти представляет собой непростую задачу. Физическая основа флеш-памяти – плавающий затвор, представляющий собой проводимый компонент транзистора, полностью внедренный в изолирующий материал. При небольшой толщине слоя изолятора приложение высокого значения электрического потенциала позволяет перенести к плавающему затвору электрический заряд (природа такого переноса до сих пор дискутируется – в его объяснении ряд исследователей оперируют концепцией квантового туннелирования, а ряд – явлением термической эмиссии). Изолированные плавающие затворы могут сохранять заряд в течение длительного времени (для компонентов электроники на основе кремния это могут быть годы) пока заряд не будет «стерт» приложением противоположного по знаку электрического потенциала. Локализация заряда в плавающем затворе влияет на электронные свойства транзистора. Сложность в создании органических систем такого рода заключается в том, что необходимо подобрать материал достаточно удачный для создания диэлектрического слоя (из такого материала необходимо сделать достаточно тонкий диэлектрический слой для возможности переноса заряда к плавающему затвору), но при этом необходимо иметь возможность его обработки при относительно низкой температуре для того, чтобы не расплавить полимерный субстрат-подложку для сборки органических транзисторов. Гибкий органический транзистор с плавающим затвором

Автор: Alexashka 22.12.2009 10:16

Международная группа исследователей из Японии, Германии и Австрии разработали подходящий диэлектрик и создали схему из 676 органических флеш-транзисторов с памятью на листе тонкого гибкого пластического материала. Новый слой диэлектрика состоит из двух компонентов – самоорганизующийся монослой н-октадецилфосфористой кислоты толщиной 2 нм и слой оксида алюминия 4 нм, полученный окислением поверхности алюминия, собственно представляющего собой плавающий затвор. Таким образом, толщина слоя диэлектрика, изолирующего плавающий затвор, составляет 6 нм. Такая толщина слоя диэлектрика позволяет программировать и удалять память с помощью потенциала всего в 6 В, что сравнимо с электронными устройствами, созданными на основе кремния. Прежде полученные элементы памяти из органических материалов требовали для эффективной работы гораздо большего напряжения (около 30 В). Один из членов исследовательской группы Цуйоси Секитани (Tsuyoshi Sekitani) отмечает, что в то время как кремниевые транзисторы с плавающим затвором отлично справляются с хранением информации с высокой плотностью данных, гибкие органические транзисторы с плавающим затвором могут оказаться полезными для создания сенсоров и электромеханических преобразователей энергии, интегрированных с энергонезависимой памятью. Поперечное сечение транзисторов с плавающим затвором

Автор: Alexashka 22.12.2009 10:17

На текущем этапе разработка не может сравниться с традиционной флеш-памятью по плотности и продолжительности хранения данных. Так, существующий образец запоминающего устройства способен удерживать информацию не более суток, и это является одной из основных проблем. Зато «органическая флеш-память» обладает гибкостью и в производстве будет обходиться намного дешевле обычных флеш-накопителей. Предполагается, что в перспективе память нового типа сможет найти применение в гаджетах на основе электронной бумаги, различных датчиках и других продуктах, в которых требуются недорогие запоминающие устройства. Секитани отмечает, что ближайшие задачи исследователей – улучшение стабильности памяти и уменьшить размер транзистора.

Автор: Alexashka 22.12.2009 10:18

И ещё картинок)))

Автор: McFly 22.12.2009 11:22

Поверхность, на которую осаждаются УНТ

Автор: McFly 22.12.2009 11:40

Различие концентраций УНТ на модифицированной APTES (слева)и немодифицированной (справа) поверхностях оксида кремния при осаждении в одинаковых условиях

Автор: VAL 23.12.2009 09:47

Alexashka, McFly, зачтено!

Автор: map 23.12.2009 15:06

Разработаны микроскопические солнечные батареи Учёные из национальной лаборатории Sandia создали крошечные фотоэлектрические элементы, которые в десять раз тоньше, чем обычные солнечные батареи, однако превосходят их по многим параметрам. Потенциал применения новинки крайне широк — от спутников и средств дистанционного зондирования до походных палаток и даже одежды. http://www.membrana.ru/lenta/?9966

Автор: map 23.12.2009 21:51

Физики создали цифровую квантовую батарею Физики предложили конструкцию цифровой квантовой батареи (так свое детище назвали сами исследователи). По словам исследователей, новая схема позволит увеличить емкость аккумуляторов примерно в 10 раз, а также позволит создавать более компактные системы хранения информации. http://lenta.ru/news/2009/12/23/batteries/

Автор: map 23.12.2009 22:00

Новый материал увеличит емкость чипов памяти в 50 раз Ученые из университета Северной Каролины создали композитный материал, который позволит радикально увеличить емкость компьютерных чипов памяти, сообщает TGDaily. Уникальные свойства нового материала также открывают перспективы создания экономичных керамических двигателей внутреннего сгорания и разработки высокоэффективных полупроводников. http://lenta.ru/news/2009/10/21/spin/

Автор: MACTEP 23.12.2009 23:03

Команда исследователей из лондонского центра нанотехнологий при исследовательском центре UCL разработала новое биомедицинское устройство, благодаря которому диагностика рака груди может существенно упроститься. Новый магнетометр высокой чувствительности HistoMag способен с помощью нанотехнологий находить отдельные раковые клетки в образцах тканей достаточно быстро. Устройство настолько инновационно, что получило престижную премию Королевского Наученного Общества Великобритании. Рис. 1. Так выглядит HistoMag Принцип действия устройства состоит в нанесении магнитных наночастиц с прикрепленными к ним антителами, присоединяющимися к белку HER2, который находится на поверхности раковых клеток. После обработки раствором наночастиц образца ткани можно уверенно говорить о том, что раковые клетки в ней «помечены» для дальнейшего исследования прибором-магнетометром, через микроскоп которого можно пересчитать раковые клетки . Как говорит руководитель проекта, профессор Панкхурст (Pankhurst), автоматизация поиска «помеченных» раковых клеток через микроскоп может привести к его преобладанию над другими методами диагностики рака груди. Ученые планируют на полученную премию (£25000) доработать HistoMag с таким расчетом, чтобы в 2010 году он уже появился в клинической практике.

Автор: VAL 24.12.2009 15:36

map, MACTEP - зачтено.

Автор: cerlaeda 24.12.2009 21:54

FAN103 – контроллеры стабилизатора для первичной стороны нового поколения http://catalog.gaw.ru/project/documents/20001_21000/20027/fan103_.jpg FAN103 – контроллеры стабилизатора для первичной стороны нового покаления, позволяющие исключить из схемы 6-8 компонентов по сравнению со стандартным решением на основе FAN102, а также снизить потребляемую в дежурном режиме мощность до 30 мВт. Первым представителем данного семейства является контроллер FAN103. К концу года последует представление еще двух контроллеров, работающих совместно с внешними 0.5- и 1-амперными MOSFET-транзисторами. В контроллер встроены схемы компенсации COMI и COMV, а также высоковольтная схема запуска, которая позволяет исключить из схемы два пусковых резистора, использовавшихся в предыдущих решениях, и избавить от необходимости в каких-либо внешних измерениях в целях снижения потребляемой в дежурном режиме мощности. В рамках разработанного EBV опорного решения потребляемая в дежурном режиме мощность не превышала 30 мВт при питании переменным напряжением 265 В. Отличительные особенности ШИМ управление постоянным током/постоянным напряжением Высокоточный выход напряжения и тока, не требующий гальванической развязки оптроном Потребляемая мощность в режиме ожидания менее 30 мВт Требует на 6-8 внешних компонентов меньше по сравнению с предыдущим решением FAN102 http://catalog.gaw.ru/index.php?page=document&id=20027

Автор: cerlaeda 24.12.2009 21:56

75-вольтовые транзисторы для использования в каскадах синхронного выпрямления Новые 75-вольтовые транзисторы семейства OptiMOSTM 3 характеризуются рекордно-низкими значениями сопротивления открытого канала и отличными коммутационными характеристиками. Благодаря малому сопротивлению транзисторов, размещенных в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа, и их нагрузочной способности до 50А, появляется возможность уменьшения размеров платы, а также гарантирования идеальных характеристик коммутации и наивысших уровней эффективности. IPP023NE7N3 G, с его типовым значением RDS(ON) 2.1 мОм (не более 2.3 мОм), а также тепловым сопротивлением 0.5К/Вт, установил новую рекордную планку для низкоомных MOSFET-транзисторов в 75-вольтовом классе. BSC092NE7NS3 G поставляется в корпусе SuperSO8 и характеризуется типовым значением RDS(ON) 3.7 мОм (максимальное не более 4.2 мОм), что позволит создавать новые высокоэффективные решения. Превосходные электрические характеристики 75-вольтовых транзисторов OptiMOSTM 3 делают их идеальными для использования в широком числе промышленных и потребительских применений. Несмотря на то, что низковольтные 75-вольтовые транзисторы OptiMOSTM 3 компании Infineon оптимизированы для работы в каскаде синхронного выпрямления, они также могут использоваться в других применениях, где требуется максимальная эффективность и минимальное занимаемое пространство, в т.ч. сильноточные каскады управления двигателями, высокочастотные DC/DC-преобразователи и усилители мощности звуковых частот класса D. Отличительные особенности Превосходный показатель надежности (FOM) Заряд затвора х RDS(ON) Сверхмалые заряд затвора (Qg) и заряд Миллера (Qgd) Самое низкое в мире сопротивление открытого канала (RDS(ON)) Наилучшая характеристика коммутации Оптимизированная технология для синхронного выпрямления http://www.ebvnews.ru/technical/infineon/1644.html

Автор: VAL 26.02.2017 13:01

Что-то давно не было новостей по теме...

Автор: VAL 25.12.2021 09:57

(2021) Их тяжкая работа важней иных работ. ак пауки плетут графен Источники: - https://habr.com/ru/post/597479/ - https://www.pvsm.ru/himiya/370715 QUOTE Мне давно хотелось посвятить одну из статей такой теме, которая при поверхностном ознакомлении напоминает об «игнобелевской премии», но на самом деле обладает большим практическим потенциалом, в том числе, в промышленных масштабах. И вот такая тема нашлась. В моем блоге я не раз обращался к бионике и даже (немного) к биоинформатике, но сегодня тема будет по-настоящему экстравагантной. Уже поставлены первые удачные опыты по производству сверхпрочной паутины с включением графена и нанотрубок. Для этого достаточно поить пауков водой с содержанием графена. Этот опыт в 2015 году провела группа ученых под руководством Николы Пуньо (Nicola Pugno) в университете итальянского города Тренто. Графен и нанотрубки включаются в состав паутины, и такие паучьи нити получаются как минимум впятеро прочнее обычных. Они даже выдерживают вес взрослого человека. Опыт был поставлен в 2015 году, о чем даже была новость на Хабре – на чем тема и показалась исчерпанной (пошутили про хоббитов и Унголианту). На самом же деле, работа Пуньо заострила внимание на том, что паутина, а также нити шелкопрядов демонстрируют более широкое свойство метаболизма членистоногих: их ткани легко интегрируются с металлами и даже полупроводниками, что позволяет разрабатывать совершенно новые материалы и датчики. Далее я расскажу, какие достижения в этой области бионики получены к настоящему времени. Белковый матрикс и жесткие ткани насекомых, червей и паукообразных содержат разнообразные металлы, в частности, цинк, марганец и медь. Так достигается механическое упрочнение жвал, мандибул, яйцекладов, а также повышается прочность шелка и паутины. Доказано, что в эти же ткани можно внедрять и другие металлы, например, титан, алюминий свинец – и не только

Powered by Invision Power Board (http://www.invisionboard.com)
© Invision Power Services (http://www.invisionpower.com)